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정전분무법에 의하여 제조된 ＣＺＴＳ 박막 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015117173
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 CZTS(Cu2ZnSnS4) 박막의 제조방법, 상기 방법에 의해 제조된 CZTS 박막, 및 상기 CZTS 박막을 포함하는 태양전지에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01) H01L 31/0216 (2006.01)
CPC H01L 31/0328(2013.01) H01L 31/0328(2013.01)
출원번호/일자 1020120039407 (2012.04.16)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1322681-0000 (2013.10.22)
공개번호/일자 10-2013-0116746 (2013.10.24) 문서열기
공고번호/일자 (20131030) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.16)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박승빈 대한민국 대전 유성구
2 송동수 대한민국 경기 안양시 동안구
3 칼리드 마흐모드 파키스탄 대전 유성구
4 김우현 대한민국 울산 남구
5 한종인 대한민국 대전 유성구
6 강현우 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.04.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0301729-09
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0714465-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.07.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0051723-71
6 등록결정서
Decision to grant		 2013.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0531986-80
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
구리 공급원, 아연 공급원, 주석 공급원, 및 황 공급원을 포함하는 전구체 용액을 제조하는 단계;상기 전구체 용액을 비진공 상태에서 기판에 정전분무하여 박막을 증착하는 단계; 및상기 박막을 어닐링 하는 단계를 포함하는, CZTS(Cu2ZnSnS4) 박막의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 구리 공급원, 상기 아연 공급원, 및 상기 주석 공급원 각각은, 염산염 또는 질산염을 포함하는 것인, CZTS 박막의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 구리 공급원은 염화구리(CuCl2), 상기 아연 공급원은 염화아연(ZnCl2), 상기 주석 공급원은 염화주석(SnCl2), 및 상기 황 공급원은 티오우레아((NH2)2CS)를 각각 포함하는 것인, CZTS 박막의 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 염화구리, 상기 염화아연, 상기 염화주석, 및 상기 티오우레아의 농도는 각각 0
5 5
제 1 항에 있어서,상기 전구체 용액은 상기 구리 공급원, 상기 아연 공급원, 상기 주석 공급원, 및 상기 황 공급원이 극성 용매에 분산, 용해, 또는, 분산 및 용해된 것을 포함하는 것인, CZTS 박막의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 극성 용매는 물, 에탄올, 또는, 물과 에탄올의 혼합물을 포함하는 것인, CZTS 박막의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 박막을 어닐링 하는 단계는 250℃ 내지 500℃의 온도에서 수행되는 것인, CZTS 박막의 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 기판은 유리 또는 소다 석회 유리를 포함하는 것인, CZTS 박막의 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 정전분무는 상기 전구체 용액을 0
10 10
제 1 항에 있어서,상기 정전분무는 상기 전구체 용액에 1 kV 내지 10 kV의 직류 고전압을 인가한 상태에서 수행되는 것인, CZTS 박막의 제조방법
11 11
제 1 항에 있어서,상기 박막을 증착시키는 단계는 상기 기판의 온도를 200℃ 내지 300℃로 유지하는 것을 포함하는, CZTS 박막의 제조방법
12 12
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조되는 CZTS 박막
13 13
제 12 항에 따른 상기 CZTS 박막을 포함하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학기술원 원천기술개발사업 Heterotrophic 미세조류의 고농도 배양기술 개발