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투명전극 제조방법

  • 기술번호 : KST2015115684
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 생산성이 높을 뿐만 아니라 공정 장비의 가격과 공정 비용이 낮아 제조원가를 획기적으로 낮추는 것이 가능하도록, 기판 위에 용액공정으로 유전체를 도포하여 하유전체층을 형성하는 하유전체형성공정과, 하유전체층 위에 도전성 금속으로 금속박막층을 형성하는 도전막형성공정과, 금속박막층 위에 용액공정으로 유전체를 도포하여 상유전체층을 형성하는 상유전체형성공정을 포함하는 투명전극 제조방법을 제공한다.
Int. CL B32B 9/00 (2006.01) H01B 3/02 (2006.01) H01B 13/00 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 21/6715(2013.01) H01L 21/6715(2013.01) H01L 21/6715(2013.01) H01L 21/6715(2013.01) H01L 21/6715(2013.01) H01L 21/6715(2013.01) H01L 21/6715(2013.01)
출원번호/일자 1020120011460 (2012.02.03)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1290714-0000 (2013.07.23)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130729) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.03)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양민양 대한민국 대전 유성구
2 전강민 대한민국 대전 유성구
3 윤홍석 대한민국 충북 청주시 상당구
4 김성범 대한민국 대전 유성구
5 신성범 대한민국 경남 거창군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0092852-69
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0024977-27
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0272783-65
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.06.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0498197-17
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0498195-15
8 등록결정서
Decision to grant
2013.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0447704-28
9 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)
2013.07.23 수리 (Accepted) 2-1-2013-0388773-83
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 용액공정으로 유전체를 도포하여 하유전체층을 형성하는 하유전체형성공정과,상기 하유전체층 위에 도전성 금속으로 금속박막층을 형성하는 도전막형성공정과,상기 금속박막층 위에 용액공정으로 유전체를 도포하여 상유전체층을 형성하는 상유전체형성공정을 포함하며,상기 금속박막층은 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금 중에서 선택하여 나노파티클 잉크(nanoparticle ink) 또는 오가노메탈릭 잉크(organometallic ink)로 제작하여 이용하는 용액공정으로 형성하는 투명전극 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 하유전체형성공정과 상유전체형성공정은 솔젤(sol-gel)공정, 이온교환법 또는 나노파티클(nanoparticle)을 용매에 분산시켜 용액화한 용액을 이용하는 공정을 포함하는 투명전극 제조방법
3 3
청구항 2에 있어서,상기 하유전체층 및 상유전체층을 형성하는 유전체로는 황화아연(ZnS), 산화텅스텐(WO3), 산화아연(ZnO), 산화티타늄(TiO2), 불화리튬(LiF), 불화세슘(CsF), 불화나트륨(NaF), 탄산세슘(Cs2CO3), 또는 이들의 변형체 중에서 선택하여 사용하는 투명전극 제조방법
4 4
청구항 3에 있어서,상기 하유전체층 및 상유전체층은 황화아연(ZnS), 산화텅스텐(WO3), 산화아연(ZnO), 산화티타늄(TiO2), 불화리튬(LiF), 불화세슘(CsF), 불화나트륨(NaF), 탄산세슘(Cs2CO3), 또는 이들의 변형체 중에서 2종 이상의 유전체를 선택 혼합하여 형성하는 투명전극 제조방법
5 5
청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
6 6
청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
7 7
삭제
8 8
청구항 1에 있어서,상기 하유전체층 또는 상유전체층은 2층이상의 복층으로 형성하고, 이때 각 층의 유전체의 재질을 서로 다르게 구성하는 투명전극 제조방법
9 9
청구항 1에 있어서,상기 금속박막층은 2층이상의 복층으로 형성되고, 이때 각 층의 금속 재질을 서로 다르게 구성하는 투명전극 제조방법
10 10
기판 위에 양극을 형성하고, 양극 위에 정공주입층, 발광층, 전자주입층을 차례로 형성하고, 맨 위에 음극을 형성하는 과정을 포함하는 유기 전자소자 제조방법에 있어서,상기 양극을 형성하는 과정은 기판 위에 용액공정으로 유전체를 도포하여 하유전체층을 형성하는 하유전체형성공정과, 상기 하유전체층 위에 도전성 금속으로 금속박막층을 형성하는 도전막형성공정과, 상기 금속박막층 위에 용액공정으로 유전체를 도포하여 상유전체층을 형성하는 상유전체형성공정을 포함하며,상기 금속박막층은 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금을 나노파티클 잉크(nanoparticle ink) 또는 오가노메탈릭 잉크(organometallic ink)로 제작하여 이용하는 용액공정으로 형성하는 유기 전자소자 제조방법
11 11
청구항 10에 있어서,상기 음극을 형성하는 과정은 상기 전자주입층 위에 용액공정으로 유전체를 도포하여 하유전체층을 형성하는 하유전체형성공정과, 상기 하유전체층 위에 도전성 금속으로 금속박막층을 형성하는 도전막형성공정과, 상기 금속박막층 위에 용액공정으로 유전체를 도포하여 상유전체층을 형성하는 상유전체형성공정을 포함하는 유기 전자소자 제조방법
12 12
청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,상기 하유전체형성공정과 상유전체형성공정은 솔젤(sol-gel)공정, 이온교환법 또는 나노파티클(nanoparticle)을 용매에 분산시켜 용액화한 용액을 이용하는 공정을 포함하는 유기 전자소자 제조방법
13 13
청구항 12에 있어서,상기 하유전체층 및 상유전체층을 형성하는 유전체로는 황화아연(ZnS), 산화텅스텐(WO3), 산화아연(ZnO), 산화티타늄(TiO2), 불화리튬(LiF), 불화세슘(CsF), 불화나트륨(NaF), 탄산세슘(Cs2CO3), 또는 이들의 변형체 중에서 선택하여 사용하는 유기 전자소자 제조방법
14 14
청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
15 15
삭제
16 16
청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,상기 하유전체층 또는 상유전체층은 2층이상의 복층으로 형성되고, 이때 각 층의 유전체의 재질을 서로 다르게 구성하는 유기 전자소자 제조방법
17 17
청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,상기 금속박막층은 2층 이상의 복층으로 형성되고, 이때 각 층의 금속의 재질을 서로 다르게 구성하는 유기 전자소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.