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유기 발광 다이오드 디바이스

  • 기술번호 : KST2014008037
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유기 발광 다이오드 디바이스가 개시된다. 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드 디바이스는, 기판; 상기 기판의 표면상에 배치된 투명 하부-전극층; 상기 투명 하부-전극의 표면상에 배치된 유기 EL 요소층; 상기 유기 EL 요소층의 상부에 배치된 반사 상부-전극층; 및 상기 유기 EL 요소층과 상기 반사 상부-전극층의 사이에 주입되어 형성된 나노 클러스터층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이로써, 유기 발광 다이오드 디바이스는 금속 나노 클러스터를 이용하여 캐리어 주입 및 형광 발광 강화 효과를 갖게 된다. 유기 발광 다이오드, 나노 클러스터, 캐리어 주입, 형광 발광
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/5092(2013.01) H01L 51/5092(2013.01) H01L 51/5092(2013.01) H01L 51/5092(2013.01) H01L 51/5092(2013.01) H01L 51/5092(2013.01) H01L 51/5092(2013.01) H01L 51/5092(2013.01)
출원번호/일자 1020080098503 (2008.10.08)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1007653-0000 (2011.01.05)
공개번호/일자 10-2010-0039518 (2010.04.16) 문서열기
공고번호/일자 (20110113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.08)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최경철 대한민국 대전 유성구
2 양기열 대한민국 경상북도 포항시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0701276-61
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.11.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.12.04 수리 (Accepted) 9-1-2009-0065743-28
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0263712-19
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0541848-16
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0614915-78
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.10.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0681712-66
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0681710-75
9 등록결정서
Decision to grant
2010.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0600496-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판의 표면상에 배치된 투명 하부-전극층; 상기 투명 하부-전극층의 표면상에 배치된 유기 EL 요소층; 상기 유기 EL 요소층의 상부에 배치된 반사 상부-전극층; 상기 유기 EL 요소층과 상기 반사 상부-전극층의 사이에 주입되어 형성된 나노 클러스터층; 및 상기 유기 EL 요소층의 전자 수송층과 상기 나노 클러스터층 사이에, LiF로 이루어진 인슐레이터층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 디바이스
2 2
제 1항에 있어서, 상기 반사 상부-전극층은 Ag, Au, Al을 포함하는 불투명하며 반사 특성을 갖는 금속 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 디바이스
3 3
제 2항에 있어서, 상기 나노 클러스터층은 Ag, Au, Al을 포함하는 불투명하며 반사 특성을 갖는 금속 중, 상기 반사 상부-전극층과 다른 금속으로 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 디바이스
4 4
제 1항 또는 제 3항에 있어서, 상기 나노 클러스터층은 99
5 5
제 3항에 있어서, 상기 나노 클러스터층은 DC 마그네트론(magnetron)을 이용해 플라즈마 방전을 발생시키고, 상기 선택된 금속의 소스에서 클러스터를 방출시켜 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 디바이스
6 6
제 1항에 있어서, 상기 유기 EL 요소층은 NPB 정공 수송층, Alq3 전자 수송층을 포함하며, 상기 Alq3의 두께는 40nm 이하인 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 디바이스
7 7
제 1항에 있어서, 상기 나노 클러스터층과 상기 유기 EL 요소층을 구성하는 층들 중 어느 하나의 층 사이의 거리를 일정하게 유지시키는 스페이서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 다이오드 디바이스
8 8
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1 US20110198636 US 미국 FAMILY
2 WO2010041870 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
3 WO2010041870 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 US2011198636 US 미국 DOCDBFAMILY
2 WO2010041870 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
3 WO2010041870 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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