맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

산화아연계 이중박막 투명전극 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015115927
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화아연계 이중박막 투명전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판 상부에 금속이 도핑된 산화아연계 도전층을 형성하고, 상기 산화아연계 도전층 상부에 플루오르화물의 보호층을 형성하여 이중박막 구조를 가지는 투명전극을 증착함으로써, 500℃ 이상의 고온에서도 높은 열안정성을 갖으며, 전도성이 우수한 산화아연계 이중박막 투명전극 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020120079279 (2012.07.20)
출원인 한국과학기술원, 주식회사 케이씨씨
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0012421 (2014.02.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.05.23)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이씨씨 대한민국 서울특별시 서초구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 우성일 대한민국 대전광역시 유성구
2 황덕현 대한민국 서울특별시 강서구
3 김길호 대한민국 경상남도 진주시
4 배경환 대한민국 경기도 여주군
5 윤성군 대한민국 경기도 여주군

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인태평양 대한민국 서울특별시 중구 청계천로 **, *층(다동, 예금보험공사빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0581185-50
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.05.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5079011-59
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2015-0050516-74
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2015-0116546-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.05.18 수리 (Accepted) 4-1-2017-5075923-28
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2017.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-0489397-79
11 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2017.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-0489398-14
12 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
13 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.10.13 수리 (Accepted) 9-1-2017-0034927-83
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0194381-90
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.05.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0491786-64
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2018-0491784-73
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0652095-57
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5221488-74
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 산화아연계 도전층; 및상기 도전층 상부에 형성된 보호층을 포함하며, 상기 보호층은 플루오르화물인 산화아연계 이중박막 투명전극
2 2
제 1항에 있어서, 상기 플루오르화물은 플루오르화 아연(ZnF2), 플루오르화 마그네슘(MgF2), 플루오르화 칼슘(CaF2), 플루오르화 바륨(BaF2) 및 플루오르화 스트론튬(SrF2) 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 산화아연계 이중박막 투명전극
3 3
제 1항에 있어서,상기 산화아연계 도전층은 붕소, 알루미늄, 갈륨 또는 인듐 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속이 도핑된 산화아연(ZnO)을 포함하는 것인 산화아연계 이중박막 투명전극
4 4
제 1항에 있어서, 상기 산화아연계 도전층의 두께는 1 내지 5㎛이며, 상기 보호층의 두께는 10 내지 250nm인 산화아연계 이중박막 투명전극
5 5
제 1항에 있어서, 상기 산화아연계 이중박막 투명전극의 표면저항은 1 내지 10Ω/□인 산화아연계 이중박막 투명전극
6 6
기판 상에 붕소, 알루미늄, 갈륨 또는 인듐 중에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속이 도핑된 산화아연(ZnO) 타켓을 이용하여 산화아연계 도전층을 증착시키는 도전층 증착단계; 및상기 산화아연계 도전층 상부에 플루오르화물 타켓을 이용하여 보호층을 증착시키는 보호층 증착단계;를 포함하는 산화아연계 이중박막 투명전극의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 증착은 RF 마크네트론 스퍼터링법, DC 마그네트론 스퍼터링법, 펄스레이저 증착법 및 이온-플레이팅 증착법 중에서 선택되는 어느 하나의 방법으로 증착되는 산화아연계 이중박막 투명전극의 제조방법
8 8
제 6항에 있어서, 상기 도전층 증착단계 및 상기 보호층 증착단계에서 타켓과 기판 사이의 거리는 3
9 9
제 6항에 있어서, 상기 도전층 증착단계 및 상기 보호층 증착단계에서 스퍼터링 온도는 20 내지 450℃인 산화아연계 이중박막 투명전극의 제조방법
10 10
제 6항에 있어서, 상기 도전층 증착단계는 1 내지 5㎛ 두께로 도전층을 증착하며, 상기 보호층 증착단계는 10 내지 250nm 두께로 보호층을 증착하는 산화아연계 이중박막 투명전극의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.