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그래핀을 포함하는 산화아연 나노구조물

  • 기술번호 : KST2015116035
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그래핀을 포함하는 산화아연 나노구조물이 제공된다. 산화아연 나노구조물은, 기판과, 기판 위에 형성되는 그래핀 층과, 그래핀 층 위에 형성되고 산화아연 나노 소재를 포함하는 산화아연(ZnO) 층을 포함한다. 산화아연 나노구조물은 광전자 소자에 적용될 수 있다.
Int. CL H01S 3/14 (2006.01) H01S 4/00 (2006.01)
CPC H01S 4/00(2013.01) H01S 4/00(2013.01) H01S 4/00(2013.01)
출원번호/일자 1020120103760 (2012.09.19)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1422486-0000 (2014.07.17)
공개번호/일자 10-2014-0037518 (2014.03.27) 문서열기
공고번호/일자 (20140728) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.19)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최경철 대한민국 대전 유성구
2 김국주 대한민국 대전 유성구
3 이성민 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0758101-32
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.04.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0037256-21
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0728089-15
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-1173717-05
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0069400-86
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0178374-10
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-0278035-60
10 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2014.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0051537-59
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0387787-09
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0387788-44
13 등록결정서
Decision to grant
2014.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0440640-21
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀을 포함하는 산화아연 나노구조물에 있어서,기판;상기 기판 위에 형성되는 그래핀 층; 및상기 그래핀 층 위에 형성되고 산화아연 나노 소재를 포함하는 산화아연(ZnO) 층을 포함하며,자외선에 의한 플라즈몬 공명 특성을 가지는 상기 그래핀 층은, 상기 산화아연(ZnO) 층의 자외선 영역에서의 발광 특성을 향상시키는 산화아연 나노구조물
2 2
제1항에 있어서, 상기 산화아연 나노구조물은,상기 그래핀 층과 상기 산화아연 층 사이에 형성되는 유전체 층을 더 포함하는 산화아연 나노구조물
3 3
제2항에 있어서,상기 그래핀 층과 상기 산화아연 층 사이의 거리는 1(nm)를 초과하고 100(nm)미만인 산화아연 나노구조물
4 4
제1항에 있어서,상기 기판은, 유리, 실리콘, 또는 플라스틱을 포함하는 산화아연 나노구조물
5 5
제1항에 있어서,상기 그래핀 층은, 산화흑연으로부터 박리(exfoliation)된 산화 그래핀들을 포함하는 용액을 용액공정(solution process)을 통하여 상기 기판 위에 도포하여 산화 그래핀 필름을 형성한 후 상기 형성된 산화 그래핀 필름을 화학적 환원법을 통해 환원시키는 것에 의해 형성되는 산화아연 나노구조물
6 6
제1항에 있어서,상기 산화아연 층은 원자층 증착(atomic layer deposition) 방법에 의해 형성되는 산화아연 나노구조물
7 7
제1항에 있어서,상기 산화아연 층은 스퍼터(sputter) 증착 방법 또는 용액공정에 의해 형성되는 산화아연 나노구조물
8 8
그래핀을 포함하는 산화아연 나노구조물에 있어서,기판;상기 기판 위에 형성되고 산화아연 나노 소재를 포함하는 산화아연(ZnO) 층; 및상기 산화아연 층 위에 형성되는 그래핀 층을 포함하며,자외선에 의한 플라즈몬 공명 특성을 가지는 상기 그래핀 층은, 상기 산화아연(ZnO) 층의 자외선 영역에서의 발광 특성을 향상시키는 산화아연 나노구조물
9 9
제8항에 있어서, 상기 산화아연 나노구조물은,상기 산화아연 층과 상기 그래핀 층 사이에 형성되는 유전체 층을 더 포함하는 산화아연 나노구조물
10 10
제9항에 있어서,상기 그래핀 층과 상기 산화아연 층 사이의 거리는 1(nm)를 초과하고 100(nm)미만인 산화아연 나노구조물
11 11
제8항에 있어서,상기 그래핀 층은, 산화흑연으로부터 박리(exfoliation)된 산화 그래핀들을 포함하는 용액을 용액공정(solution process)을 통하여 상기 산화아연 층 위에 도포하여 산화 그래핀 필름을 형성한 후 상기 형성된 산화 그래핀 필름을 화학적 환원법을 통해 환원시키는 것에 의해 형성되는 산화아연 나노구조물
12 12
그래핀을 포함하는 산화아연 나노구조물에 있어서,기판;상기 기판 위에 형성되고 산화아연 나노 소재를 포함하는 산화아연(ZnO) 층; 및상기 산화아연 층 내에 형성되는 그래핀 층을 포함하며,자외선에 의한 플라즈몬 공명 특성을 가지는 상기 그래핀 층은, 상기 산화아연(ZnO) 층의 자외선 영역에서의 발광 특성을 향상시키는 산화아연 나노구조물
13 13
제12항에 있어서,상기 그래핀 층은, 산화흑연으로부터 박리(exfoliation)된 산화 그래핀들을 포함하는 용액을 용액공정(solution process)을 통하여 상기 산화아연 층 위에 도포하여 산화 그래핀 필름을 형성한 후 상기 형성된 산화 그래핀 필름을 화학적 환원법을 통해 환원시키는 것에 의해 형성되는 산화아연 나노구조물
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.