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투명전극 제조방법 및 투명전극을 포함하는 전자소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015116061
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 투명전극 제조방법 및 투명전극을 포함하는 전자소자 제조방법에서, 상기 투명전극의 제조방법은, 베이스 기판 상에 유전체를 도포하여 하유전체층을 형성하는 단계, 상기 하유전체층 상에 금속유기잉크를 도포하여 금속층을 형성하는 단계, 상기 금속층을 패터닝하여 금속 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 금속 패턴이 형성된 하유전체층 상에 유전체를 도포하여 상유전체층을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL G02F 1/1343 (2006.01) H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01)
출원번호/일자 1020120087791 (2012.08.10)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1394967-0000 (2014.05.08)
공개번호/일자 10-2014-0020635 (2014.02.19) 문서열기
공고번호/일자 (20140514) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.08.10)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양민양 대한민국 대전광역시 유성구
2 강봉철 대한민국 대전광역시 유성구
3 전강민 대한민국 대전광역시 유성구
4 윤진호 대한민국 서울특별시 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0641653-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0037317-18
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0478525-78
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0827887-20
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0827885-39
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2013.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0901613-00
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0031502-11
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0031501-65
11 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0299223-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
베이스 기판 상에 솔젤(sol-gel) 공정, 이온교환법 또는 나노파티클(nanoparticle)을 용매에 분산시켜 용액화한 용액을 이용하는 공정으로 형성되는 유전체를 도포하여 하유전체층을 형성하는 단계;상기 하유전체층 상에 금속 나노파티클을 생성하는 전구체, 및 유기용매를 포함하는 금속유기잉크를 도포하여 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층 상에 레이저를 직접 선택적으로 주사하여 상기 레이저가 주사된 금속층은 금속 잉크로부터 금속 나노파티클이 생성되고, 상기 금속 나노파티클이 소결되어 금속 패턴을 형성하는 단계; 및상기 금속 패턴이 형성된 하유전체층 상에 솔젤(sol-gel) 공정, 이온교환법 또는 나노파티클(nanoparticle)을 용매에 분산시켜 용액화한 용액을 이용하는 공정으로 형성되는 유전체를 도포하여 상유전체층을 형성하는 단계를 포함하는 투명전극 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 유전체는 황화아연(ZnS), 산화텅스텐(WO3), 산화아연(ZnO), 산화티타늄(TiO2), 불화리튬(LiF), 불화세슘(CsF), 불화나트륨(NaF), 탄산세슘(CS2CO3) 및 이들의 변형체들 중 하나 또는 하나 이상이 혼합된 것을 특징으로 하는 투명전극 제조방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 금속 나노파티클은 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극 제조방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서, 상기 금속 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 레이저가 주사되지 않은 금속층을 유기용매로 제거하는 것을 특징으로 하는 투명전극 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 하유전체층 또는 상기 상유전체층은 복수의 층을 포함하며, 각각의 층의 유전체는 서로 다른 재질인 것을 특징으로 하는 투명전극 제조방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 금속층은 복수의 층을 포함하며, 각각의 층은 서로 다른 재질인 것을 특징으로 하는 투명전극 제조방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 하유전체층의 두께는 5~45nm, 상기 금속층의 두께는 10~25nm, 상기 상유전체층의 두께는 5~75nm인 것을 특징으로 하는 투명전극 제조방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 하유전체층의 두께는 30 nm, 상기 금속층의 두께는 17 nm, 상기 상유전체층의 두께는 60nm인 것을 특징으로 하는 투명전극 제조방법
13 13
베이스 기판 상에 제1 전극층, 유기발광층 및 제2 전극층을 차례로 형성하는 전자소자 제조방법에서, 상기 제1 전극층을 형성하는 단계는, 베이스 기판 상에 유전체를 도포하여 하유전체층을 형성하는 단계;상기 하유전체층 상에 금속유기잉크를 도포하여 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층 상에 레이저를 직접 선택적으로 주사하여 상기 레이저가 주사된 금속층은 금속 잉크로부터 금속 나노파티클이 생성되고, 상기 금속 나노파티클이 소결되어 금속 패턴을 형성하는 단계; 및상기 금속 패턴이 형성된 하유전체층 상에 유전체를 도포하여 상유전체층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자 제조방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 유기발광층은 정공주입층, 발광층 및 전자주입층을 포함하며, 상기 제1 전극층 상에 도포하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전자소자 제조방법
15 15
삭제
16 16
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.