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반사 억제층에 삽입되는 전극층;상기 전극층의 하단에 형성되는 가드링; 및상기 가드링의 내부에 형성되고 그 하단에서 서로 겹치지 않도록 배치되는 적어도 하나의 요철 링을 포함하는 활성 영역을 포함하는 애벌랜치 포토다이오드(Avalanche Photodiode)
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제1항에 있어서, 상기 요철 링의 높이는상기 요철 링의 폭과 동일한 것을 특징으로 하는 애벌랜치 포토다이오드
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제1항에 있어서, 상기 반사 억제층은BCB, 폴리아미드, SiO2 또는 SiNx 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 애벌랜치 포토다이오드
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제1항에 있어서, 상기 활성 영역은확산 소스의 활성화를 위해 열처리된 것을 특징으로 하는 애벌랜치 포토다이오드
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제1항에 있어서, 상기 활성 영역의 깊이는상기 활성 영역이 생성되는 증폭층의 깊이의 50% 이상 내지 80% 이하로 형성되는 것을 특징으로 하는 애벌랜치 포토다이오드
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제1항에 있어서,상기 반사 억제층의 아래에 표면 보호층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 애벌랜치 포토다이오드
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제1 확산 억제층을 통해 제1 확산 공정을 수행하여 불순물이 주입될 증폭층 내에 확산 영역을 형성하는 단계;상기 제1 확산 억제층을 제거하는 단계; 및상기 확산 영역 위에 링 형상의 제2 확산 억제층을 통해 제2 확산 공정을 수행하여 활성 영역을 형성하고 상기 형성된 활성 영역의 하단에 적어도 하나의 요철 링을 형성하는 단계를 포함하는 애벌랜치 포토다이오드 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 제1 또는 제2 확산 억제층은SiO2 또는 SiNx를 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 애벌랜치 포토다이오드 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 증폭층 내에 확산 영역을 형성하는 단계는확산 소스가 상기 증폭층 내로 확산되고 상기 확산된 확산 소스의 활성화를 위해서 열처리하는 것을 특징으로 하는 애벌랜치 포토다이오드 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 활성 영역을 형성하고 상기 형성된 활성 영역의 하단에 적어도 하나의 요철 링을 형성하는 단계는확산 소스가 상기 증폭층 내로 확산되고 상기 확산된 확산 소스의 활성화를 위해서 열처리하는 것을 특징으로 하는 애벌랜치 포토다이오드 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 활성 영역을 형성하고 상기 형성된 활성 영역의 하단에 적어도 하나의 요철 링을 형성하는 단계는상기 활성 영역의 깊이를 상기 증폭층의 깊이의 50% 이상 내지 80% 이하로 형성하는 것을 특징으로 하는 애벌랜치 포토다이오드 제조방법
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제8항에 있어서, BCB, 폴리아미드, SiO2 또는 SiNx 중 어느 하나로 형성된 반사 억제층을 상기 증폭층의 상부에 형성하는 단계를 더 포함하는 애벌랜치 포토다이오드 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 반사 억제층을 상기 증폭층의 상부에 형성하는 단계는 상기 반사 억제층과 상기 증폭층 사이에 표면 보호층을 형성하고 동시에 상기 반사 억제층을 형성하는 것을 특징으로 하는 애벌랜치 포토다이오드 제조방법
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