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평면형 애벌랜치 포토다이오드 제조방법

  • 기술번호 : KST2015116133
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단일 식각 및 단일 확산을 이용하여 제작하도록 한 평면형 애벌랜치 포토다이오드 제조방법에 관한 것으로, InP 기판의 전면에 형성된 InP 버퍼층, InGaAs 광 흡수층, InGaAsP 그래이딩층, InP 전계 조절층, 및 InP 층 위에 식각 마스크층을 형성하며, 식각 마스크층이 형성된 InP 층 중에서 수광 영역에 대응되는 일부 영역을 습식 식각 영역으로 식각하며, 식각된 InP 층 위에 확산 억제층을 형성시켜 확산 소오스로 확산하여 가드링 및 활성화 영역, 부유 가드링, 그리고 증폭층을 동시에 형성하며, 가드링 및 활성화 영역, 부유 가드링, 그리고 증폭층이 동시에 형성된 InP 층 위에 표면 보호 및 반사 억제층을 형성하며, 표면 보호 및 반사 억제층의 노출 영역에 상부 전극층을 형성하고 InP 기판에 하부 전극층을 형성하도록 함으로써, 간단하고 식각 깊이 및 확산 깊이 조절을 통한 증폭층의 조절이 용이하여 재현성을 향상시킬 수 있으며, 방향에 무관하게 원하는 형태의 식각 형상을 얻을 수 있으며, 부드럽고 큰 곡률을 가져 가장자리 및 모서리에 전계가 집중되는 현상을 완화할 수 있으며, 또한 식각에 의한 애벌랜치 포토다이오드의 성능 저하를 가져오지 않아 우수한 성능의 소자 제작이 가능하다.
Int. CL H01L 31/107 (2006.01)
CPC H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01)
출원번호/일자 1020120111304 (2012.10.08)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0045137 (2014.04.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.10.08)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양경훈 대한민국 대전 유성구
2 이기원 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정부연 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 ** ***동 ***,***호(서초동, 한빛위너스)(현신특허사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.10.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0813249-15
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0097592-42
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0866229-14
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0136658-08
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0187112-76
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0447259-46
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
InP 기판의 전면에 형성된 InP 버퍼층, InGaAs 광 흡수층, InGaAsP 그래이딩층, InP 전계 조절층, 및 InP 층 위에 식각 마스크층을 형성하는 단계;상기 식각 마스크층이 형성된 InP 층 중에서 수광 영역에 대응되는 일부 영역을 식각하는 단계;상기 식각된 InP 층 위에 확산 억제층을 형성시켜 확산 소오스로 확산하여 가드링 및 활성화 영역, 부유 가드링, 그리고 증폭층을 동시에 형성하는 단계;상기 가드링 및 활성화 영역, 부유 가드링, 그리고 증폭층이 동시에 형성된 InP 층 위에 표면 보호 및 반사 억제층을 형성하는 단계; 및상기 표면 보호 및 반사 억제층의 노출 영역에 상부 전극층을 형성하고 상기 InP 기판에 하부 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 평면형 애벌랜치 포토다이오드 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 일부 영역을 식각하는 단계는Br 또는 HBr 기반의 습식 식각 용액을 사용하여 상기 식각 마스크층이 형성된 InP 층의 습식 식각 영역을 소정 깊이로 식각하는 것을 특징으로 하는 평면형 애벌랜치 포토다이오드 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 일부 영역을 식각하는 단계는건식 식각을 이용하여 상기 식각 마스크층이 형성된 InP 층의 일부 영역을 소정 깊이로 1차 식각하는 단계; 및상기 1차 식각된 부분의 경사면을 완화시키고 식각으로 인한 표면 손상을 완화하기 위해서, 2차로 Br 또는 HBr 기반의 습식 식각을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면형 애벌랜치 포토다이오드 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 가드링 및 활성화 영역, 부유 가드링, 그리고 증폭층을 동시에 형성하는 단계는상기 확산 억제층을 SiO2 또는 SiNx로 사용하여 상기 가드링 및 활성화 영역, 그리고 부유 가드링을 형성하고자 하는 영역이 노출될 수 있도록 하는 것을 특징으로 하는 평면형 애벌랜치 포토다이오드 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 가드링 및 활성화 영역, 부유 가드링, 그리고 증폭층을 동시에 형성하는 단계는상기 확산 소오스가 상기 InP 층 내로 확산되도록 하고 해당 확산된 확산 소오스의 활성화를 위해서 열처리하는 것을 특징으로 하는 평면형 애벌랜치 포토다이오드 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 표면 보호 및 반사 억제층을 형성하는 단계는상기 표면 보호 및 반사 억제층을 BCB, 폴리아미드, SiO2 또는 SiNx로 형성하는 것을 특징으로 하는 평면형 애벌랜치 포토다이오드 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 표면 보호 및 반사 억제층을 형성하는 단계는상기 InP 기판을 통한 후면 입사의 경우, 상기 InP 층 위에 표면 보호층을 형성함과 동시에, 상기 InP 기판에 별도로 반사 억제층을 형성하는 것을 특징으로 하는 평면형 애벌랜치 포토다이오드 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.