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보어(bore),상기 보어의 연결되어 있는 적어도 하나의 보빈(bobbin),상기 보어에 권선된 초전도체, 그리고초전도체의 냉각을 위해 상기 권선된 초전도체 사이에 배치되는 하나 이상의 열전도체를 포함하며,상기 열전도체는,상기 초전도체의 교류 손실에 따라 상기 열전도체의 개수가 결정되며,상기 열전도체의 개수는, 초전도 자석 장치의 반경 위치 및 축 위치에 따른 상기 교류 손실의 크기 및 상기 열전도체의 두께에 따라 증감되어 배치되는 초전도 자석 장치
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제1항에서,상기 보빈은, 방사형으로 배치된 복수의 슬릿이 형성되어 있으며,상기 열전도체가 각각 상기 복수의 슬릿을 관통하여 상기 권선된 초전도체 사이에 배치되는 초전도 자석 장치
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제1항에서,상기 보어는,상기 초전도체가 원통형 보어의 원주면을 따라 권선되고, 상기 열전도체가 원통형 보어의 길이방향으로 배치되는 초전도 자석 장치
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제1항에서,상기 보빈은,무산소동 (Oxygen-free high purity copper)을 포함하는 초전도 자석 장치
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제1항에서,상기 초전도체에 고전류를 도입하는 하나 이상의 전류 도입부를 더 포함하는 초전도 자석 장치
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띠 모양으로 형성되며, 보어에 권선된 고온 초전도체, 그리고권선된 상기 고온 초전도체 사이에 배치되되, 상기 보어의 길이 방향으로 배치되는 하나 이상의 열전도체를 포함하며,상기 열전도체는,상기 고온 초전도체의 교류 손실에 따라 상기 열전도체의 개수가 결정되며,상기 열전도체의 개수는, 초전도 자석 장치의 반경 위치 및 축 위치에 따른 상기 교류 손실의 크기 및 상기 열전도체의 두께에 따라 증감되어 배치되는초전도 자석 장치
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제6항에서,상기 고온 초전도체는,원통형 보어의 원주면을 따라 사선 방향으로 권선되는 초전도 자석 장치
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제7항에서,상기 고온 초전도체는,제1 레이어(layer)의 마지막 권선에서 제2 레이어의 권선을 위해 상기 사선방향과 반대 방향을 향하도록 권선되는 초전도 자석 장치
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삭제
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제6항에서,상기 열전도체는,상기 고온 초전도체의 냉각을 위해 배치되는 초전도 자석 장치
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초전도 자석을 제조하는 방법에서,원통형 보어의 원주면을 따라 초전도체를 권선하는 단계,권선된 상기 초전도체에, 휘발성 물질이 함유된 그리스를 도포하는 단계, 그리고보빈의 슬릿을 관통하여 열전도체를 배치하되, 상기 원통형 보어의 길이 방향으로 배치하는 단계를 포함하며,상기 열전도체는,상기 초전도체의 교류 손실에 따라 상기 열전도체의 개수가 결정되며,상기 열전도체의 개수는, 초전도 자석 장치의 반경 위치 및 축 위치에 따른 상기 교류 손실의 크기 및 상기 열전도체의 두께에 따라 증감되어 배치되는 초전도 자석 제조 방법
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제12항에서,상기 그리스를 도포 단계는,핵산(Hexane, C6H14)에 극저온 열전도 그리스(Cryogenic thermal grease)를 녹여 핵산-극저온 그리스 수용액을 제조하는 단계, 그리고제조된 상기 핵산-극저온 그리스 수용액을 상기 초전도체에 도포하는 단계를 포함하는 초전도 자석 제조 방법
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제13항에서,마지막 레이어(layer)에 권선된 초전도체의 끝단을 전류도입부와 연결하고, 마지막 레이어(layer)의 초전도체를 절연 테이프로 감아 고정하는 단계를 더 포함하는 초전도 자석 제조 방법
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제14항에서,상기 열전도체와 상기 보빈의 열접촉을 위해 상기 슬릿을 관통하여 배치된 상기 열전도체의 끝단을 상기 보빈에 고정하는 단계를 더 포함하는 초전도 자석 제조 방법
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