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전자의 평균 스핀이 0이 아닌 분극 전류를 인가 받음에 따라 자기적 상태(magnetic state)가 변환되어 전기 전도도가 변하는 자성 변환 물질; 및상기 자성 변환 물질에 상기 분극 전류를 생성하여 인가하는 분극 전류 인가부를 포함하는 자기적 상태 변환 장치
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제1항에 있어서,상기 분극 전류 인가부는,상기 자성 변환 물질의 일부분에 접촉한 채로 위치하고 자성체 물질로 이루어진 전극을 포함하는,자기적 상태 변환 장치
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제2항에 있어서,상기 자성 변환 물질은,상기 일부분에 인가되는 상기 분극 전류에 의해 상기 일부분과 대응되는 영역에서 자기적 상태가 변환되는자기적 상태 변환 장치
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제2항에 있어서,상기 자성 변환 물질은,전자의 평균 스핀이 0인 비분극 전류가 인가되는 상태에서 상기 일부분에 인가되는 상기 분극 전류의 크기에 따라 상기 일부분과 대응되는 영역에서 자기적 상태가 변환되는 영역의 크기가 달라지는자기적 상태 변환 장치
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제1항에 있어서,상기 자성 변환 물질은,FeA (A는 As, Se, Te중 하나 이상)의 레이어를 포함하는자기적 상태 변환 장치
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제5항에 있어서,상기 자성 변환 물질은,상기 FeA의 레이어의 상하부에 형성되는 R2XO3 레이어를 더 포함하고,상기 A는 As, Se, Te, S 중 어느 하나 이상의 원소이며,상기 R는 Ca, Sr, Ba 중 어느 하나 이상의 원소이며상기 X는 Sc, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn 중 어느 하나 이상의 원소인자기적 상태 변환 장치
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제1항에 있어서,상기 자성 변환 물질은, 상기 분극 전류가 인가되는 경우 상기 자기적 상태가 C4 대칭성(symmetry)을 갖는자기적 상태 변환 장치
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제7항에 있어서,상기 자성 변환 물질은,상기 자기적 상태가 상기 C4 대칭성일 때 상기 자성 변환 물질의 초전도 임계 온도에서 상전도성을 갖는자기적 상태 변환 장치
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제1항에 있어서,상기 장치는,전자의 평균 스핀이 0인 비분극 전류를 생성하는 비분극 전류 인가부를 더 포함하고, 상기 자성 변환 물질은 상기 비분극 전류가 인가됨에 따라 자기적 상태가 변환되어 전기 전도도가 변하는자기적 상태 변환 장치
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제9항에 있어서,상기 비분극 전류 인가부는,상기 자성체 물질로 이루어진 전극이 상기 자성 변환 물질에 접촉하는 상기 일부분과 반대되는 상기 자성 변환 물질의 면에 접촉한 채로 위치하고 비자성체 물질로 이루어진 전극을 포함하는자기적 상태 변환 장치
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제10항에 있어서,상기 자성 변환 물질은,상기 일부분에 인가되는 상기 비분극 전류에 의해 상기 일부분과 대응되는 영역의 자기적 상태가 변환되는자기적 상태 변환 장치
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제9항에 있어서,상기 분극 전류 및 상기 비분극 전류는 선택적으로 인가되면서 상기 자성체 물질로 이루어진 전극과 상기 비자성체 물질로 이루어진 전극 사이에 위치하는 상기 자성 변환 물질의 영역의 성질을 변환시키는자기적 상태 변환 장치
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제9항에 있어서,상기 자성 변환 물질은,상기 비분극 전류가 인가되는 경우 상기 자기적 상태가 C2 대칭성(symmetry)을 갖는자기적 상태 변환 장치
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제13항에 있어서,상기 자성 변환 물질은,상기 자기적 상태가 상기 C2 대칭성일 때 상기 자성 변환 물질의 초전도 임계 온도에서 초전도성을 갖는자기적 상태 변환 장치
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제9항에 있어서,상기 장치는,상기 자성 변환 물질에 소정 크기의 비분극 전류를 인가하는 바이어스 전류부; 및상기 바이어스 전류부가 인가하는 상기 소정 크기의 전류에 의해 상기 자성 변환 물질에 발생하는 전압을 측정하는 전압 측정부를 더 포함하는자기적 상태 변환 장치
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