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가스 센서용 감지 재료, 이를 포함하는 가스 센서, 가스 센서용 감지 재료의 제조방법 및 상기 감지 재료를 이용한 가스 센서의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015116856
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 가스 센서용 감지 재료, 이를 포함하는 가스 센서, 가스 센서용 감지 재료의 제조방법 및 상기 감지 재료를 이용한 가스 센서의 제조방법을 제시한다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020130151710 (2013.12.06)
출원인 삼성전자주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0066322 (2015.06.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.11.29)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배지현 대한민국 서울 영등포구
2 박종진 대한민국 경기 화성
3 김일두 대한민국 서울 동작구
4 이병선 대한민국 서울 용산구
5 이서진 대한민국 강원 태백시 태백로 ***

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-1120836-09
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2018.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-1194150-37
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0020531-99
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0125565-46
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2020.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0515414-53
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번호 청구항
1 1
Ni3V2O8 나노 구조체를 포함하는 가스 센서용 감지 재료
2 2
제1항에 있어서, 상기 Ni3V2O8 나노 구조체가 복수의 나노 입자가 결착된 나노 섬유들의 네트워크 구조를 갖는 가스 센서용 감지 재료
3 3
제1항에 있어서, 상기 나노 섬유의 평균 직경이 50nm 내지 5000nm인 가스 센서용 감지 재료
4 4
제1항에 있어서, 상기 Ni3V2O8 나노 구조체가 다공성인 가스 센서용 감지 재료
5 5
제2항에 있어서, 상기 Ni3V2O8 나노 구조체가 나노 섬유들 사이에 제1 기공 및 상기 복수의 나노 입자 사이에 제2 기공을 갖는 가스 센서용 감지 재료
6 6
제5항에 있어서, 상기 제1기공의 평균 크기가 50nm 내지 500nm이고 상기 제2기공의 평균 크기가 1nm 내지 30nm인 가스 센서용 감지 재료
7 7
제1항에 있어서, 상기 Ni3V2O8 나노 구조체가 특정 가스의 존재 및 농도에 따라 저항값이 변화하는 가스 센서용 감지 재료
8 8
제7항에 있어서, 상기 특정 가스가 휘발성 유기 화합물 가스, 날숨 가스, 또는 환경 가스를 포함하는 가스 센서용 감지 재료
9 9
제7항에 있어서, 상기 특정 가스가 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 에틸벤젠, 1, 2-디클로로에탄, 아세트알데히드, H2S, 아세톤, 펜탄, 에탄올, 메틸메르캅탄, H2, NH3, CH4, 디메틸 메틸포스포네이트(Dimethyl methylphosphonate; DMMP), 페놀, NOx, CO, 및 SOx로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 가스 센서용 감지 재료
10 10
기판;상기 기판 상에 형성된 제1전극 및 제2 전극; 및상기 제1 전극 및 제2 전극 상에 형성된 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 감지 재료를 포함한 감지층을 포함하는 가스 센서
11 11
제10항에 있어서, 상기 기판이 세라믹 기판, 유리 기판, 알루미나 기판(Al2O3), 플라스틱 기판, 실리콘옥사이드(SiO2) 기판 또는 실리콘 웨이퍼 기판을 포함하는 가스 센서
12 12
제10항에 있어서, 상기 제1전극 및 제2 전극이 상기 기판 상에 형성된 금속 또는 금속 산화물인 가스 센서
13 13
제10항에 있어서, 상기 가스 센서가 특정 가스의 농도 10ppm 이하에서 저항값 변화의 측정이 가능한 가스 센서
14 14
Ni3V2O8 전구체, 고분자 및 용매를 포함하는 용액을 준비하는 단계; 상기 용액을 이용하여 상기 Ni3V2O8 전구체 및 고분자를 포함하는 복합체를 제조하는 단계; 및상기 복합체를 열처리하여Ni3V2O8 나노 구조체를 제조하는 단계;를 포함하는 가스 센서용 감지 재료의 제조방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 Ni3V2O8 전구체가 니켈(II) 클로라이드, 니켈(II) 브로마이드, 니켈(II) 카보네이트, 니켈(II) 플루오라이드, 암모늄 니켈(II) 설페이트, 비스(에틸렌디아민)니켈(II) 클로라이드, 니켈(II) 시클로헥산부티레이트, 니켈(II) 히드록시드, 니켈(II) 아세테이트 테트라하이드레이트(Nickel(II) acetate tetrahydrate), 암모늄 니켈(II) 설페이트 헥사하이드레이트, 니켈(II) 브로마이드 하이드레이트, 니켈(II) 클로라이드 헥사하이드레이트, 바나듐(II) 클로라이드, 바나듐(IV) 설페이트, 바나듐(V) 옥시클로라이드, 바나듐(V) 옥시플루오라이드, 바나딜 설페이트 트리하이드레이트(VOSO4·3H2O), 및 바나딜 아세틸아세토네이트(vanadyl acetylacetonate)로부터 선택된 1종 이상을 포함하는 가스 센서용 감지 재료의 제조방법
16 16
제14항에 있어서, 상기 Ni3V2O8 전구체의 함량이 상기 용액 전체를 기준으로 하여10중량% 내지 40중량%인 가스 센서용 감지 재료의 제조방법
17 17
제14항에 있어서, 상기 고분자가 폴리우레탄(polyuretan), 폴리우레탄 공중합체, 셀룰로오스 아세테이트(cellulose acetate), 셀룰로오스(cellulose), 아세테이트 부틸레이트(acetate butylate), 셀룰로오스 유도체, 폴리메틸메타아크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA), 폴리메틸아크릴레이트(polymethyl acrylate, PMA), 폴리아크릴 공중합체, 폴리비닐아세테이트 공중합체, 폴리비닐아세테이트(polyvinylacetate, PVAc), 폴리비닐피롤리돈(polyvinylpyrrolidone, PVP), 폴리비닐알콜(polymethyl alcohol, PVA), 폴리퍼퓨릴알콜(PPFA), 폴리스티렌(PS), 폴리스티렌 공중합체, 폴리에틸렌 옥사이드(PEO), 폴리프로필렌옥사이드(PPO), 폴리에틸렌 옥사이드 공중합체, 폴리프로필렌옥사이드 공중합체, 폴리카보네이트(PC), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리카프로락톤, 폴리비닐풀루오라이드, 폴리비닐리덴풀루오라이드 공중합체, 폴리아미드, 및 폴리이미드 중에서 선택된 1종 이상인 가스 센서용 감지 재료의 제조방법
18 18
제14항에 있어서, 상기 고분자의 함량이 상기 용액 전체를 기준으로 하여 5중량% 내지 20중량%인 가스 센서용 감지 재료의 제조방법
19 19
제14항에 있어서, 상기 용매가 에탄올, 물, 클로로포름, N, N'-디메틸포름아미드(N,N'-dimethylformamide), 디메틸설폭시드(dimethylsulfoxide), N,N'-디메틸아세트아미드(N,N'-dimethylacetamide), 및 N-메틸피롤리돈(N-methylpyrrolidone)로부터 선택된 1종 이상인 가스 센서용 감지 재료의 제조 방법
20 20
제14항에 있어서, 상기 Ni3V2O8 전구체 및 고분자를 포함하는 복합체를 제조하는 단계는 전기방사법을 이용하는 것을 포함하는 가스 센서용 감지 재료의 제조방법
21 21
제14항에 있어서, 상기 열처리는 대기 또는 산화 분위기에서 400？C 내지 800？C의 온도에서 수행하는 가스 센서용 감지 재료의 제조 방법
22 22
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1전극 및 제2 전극 상에 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 감지 재료를 이용하여 감지층을 형성하는 단계;를 포함하는 가스 센서의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20150160149 US 미국 FAMILY

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1 US2015160149 US 미국 DOCDBFAMILY
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