요약 | 본 발명은 초전도 박막에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 초전도층 및 상기 초전도층 상부 또는 내부에 2 - 20 nm 간격으로 형성된 섬(island) 또는 점(dot) 형상의 1 - 200 nm2 면적의 강자성체 또는 반강자성체를 포함하는 초전도 박막에 관한 것이다. |
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Int. CL | H01F 6/00 (2006.01) H01B 12/06 (2006.01) |
CPC | H01B 12/06(2013.01) H01B 12/06(2013.01) H01B 12/06(2013.01) H01B 12/06(2013.01) H01B 12/06(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020140071219 (2014.06.12) |
출원인 | 한국과학기술원, 기초과학연구원 |
등록번호/일자 | 10-1477989-0000 (2014.12.24) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20150108) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2014.06.12) |
심사청구항수 | 5 |