진공을 형성시킬 수 있는 챔버와;

상기 챔버 내에 설치되며, 그 표면의 일부를 절개시킨 캔과;

상기 캔 내부에 삽입 설치되며, 띠형 기판이 외주면을 따라 감겨질 수 있도록 원통 형상을 갖는 기판 안착수단과;

상기 캔의 절개된 곳으로 박막 형성을 위한 반응물질을 공급하는 반응물질 공급수단과;

상기 띠형 기판을 가열하기 위해 상기 캔과 기판 안착수단의 사이에, 상기 기판 안착수단을 둘러싸도록 위치한 기판 가열수단과;

상기 기판안착수단을 회전시키기 위한 회전수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 띠형 기판 상의 박막 형성장치

제1항에 있어서, 상기 기판안착수단의 외주면에 상기 띠형 기판이 삽입될 수 있도록 나선형 홈을 형성시킨 것을 특징으로 하는 띠형 기판 상의 박막 형성장치

제2항에 있어서, 상기 캔의 내부를 일정 기체 분위기로 만들기 위한 가스 공급관이 상기 캔에 연결된 것을 특징으로 하는 띠형 기판 상의 박막 형성장치

제3항에 있어서, 상기 일정 기체는 산소인 것을 특징으로 하는 띠형 기판 상의 박막 형성장치

제4항에 있어서, 상기 반응물질이 Y, Ba 및 Cu인 것을 특징으로 하는 띠형 기판 상의 박막 형성장치

제2항에 있어서, 상기 캔 내의 온도를 측정하기 위한 온도측정수단이 설치된 것을 특징으로 하는 띠형 기판 상의 박막 형성장치

제2항에 있어서, 상기 띠형 기판 상에 형성되는 박막의 두께를 모니터링하는 수단이 상기 챔버 내에 더 마련된 것을 특징으로 하는 띠형 기판 상의 박막 형성장치

일정 지름과 높이를 갖는 원통의 외주면을 따라 오목홈이 나선형으로 형성된 기판 안착수단과; 상기 기판 안착수단이 삽입되며, 상기 기판안착수단의 외주면 일부가 노출될 수 있도록 일부분을 절개한 캔과; 상기 캔의 회전수단을 챔버 내에 포함하는 박막 형성장치를 이용하여 박막을 형성하는 방법에 있어서,

상기 기판 안착수단에 띠형 기판을 감은 후 상기 캔 내에 장착하는 단계와;

상기 띠형 기판에 형성된 불순물과 산화막을 제거하는 단계와;

상기 띠형 기판의 형성물질이 박막형성물질에 침투하는 현상을 방지하기 위해 중간층을 형성시키는 단계와;

상기 중간층 형성 완료 후, 상기 기판 안착수단을 회전시키면서 상기 캔의 절개된 부위를 통하여 적어도 하나 이상의 반응물질을 증발시켜 동시 증착하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 띠형 기판 상의 박막형성 방법

제8항에 있어서, 상기 불순물을 제거하는 단계는, 상기 캔의 내부 온도를 600∼800℃, 그 내부 압력을 300∼700mTorr로 각각 유지한 상태에서 수소-아르곤 혼합 가스 분위기에서 열처리하여 진행하는 것을 특징으로 하는 띠형 기판 상의 박막형성 방법

제9항에 있어서, 상기 띠형 기판은 배향화된 니켈이며, 상기 중간층은 CeO2와 그 위에 형성된 YSZ인 것을 특징으로 하는 띠형 기판 상의 박막형성 방법

제10항에 있어서, 상기 중간층의 형성단계는:

Ce 금속을 소스로 이용한 전자빔 증발법으로 상기 니켈 기판 상에 CeO2 층을 형성하는 단계와;

상기 CeO2 층 위에 인시튜로 전자빔 증발법에 의해 YSZ층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 띠형 기판 상의 박막형성 방법

제11항에 있어서, 상기 적어도 하나 이상의 반응물질이 Y, Ba 및 Cu인 것을 특징으로 하는 띠형 기판 상의 박막형성 방법

제8항 내지 제12항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 띠형 기판 상의 불순물 제거 및 증착 효과를 증대시키기 위해 띠형 기판을 가열하는 것을 특징으로 하는 띠형 기판 상의 박막형성 방법