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고분자 화합물 필러 구조체를 이용한 3차원 전극 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015115400
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마스터 몰드에 의해 음각이나 양각의 단일 패턴 또는 다단 패턴(Multi-Level)이 형성된 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체를 이용한 3차원 전극 및 그 제조방법에 관한 것으로, 패턴이 형성된 마스터 몰드를 준비하는 단계, 패턴이 형성된 마스터 몰드에 고분자 화합물 레진을 도포하는 단계, 고분자 화합물 레진의 상부에 고분자 화합물로 이루어진, 후면 지지 필름(Back Supporting Film)을 부착하는 단계, 고분자 화합물 레진을 경화하는 단계, 경화된 고분자 화합물 레진을 마스터 몰드에서 분리하여 패턴이 형성된 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체를 취득하는 단계 및 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체의 표면에 전도성 폴리머를 증착하여 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조의 3차원 전극을 형성하는 단계를 포함한다.나아가, 본 발명에 따른 고분자 화합물 필러 구조체를 이용한 3차원 전극은 고분자 화합물로 이루어진, 후면 지지 필름(Back Supporting Film), 후면 지지 필름의 상부에 음각 또는 양각의 패턴(Pattern)이 형성된 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체 및 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체 표면에 형성된 전도성 폴리머층을 포함한다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01) H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020110076965 (2011.08.02)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1251344-0000 (2013.04.01)
공개번호/일자 10-2013-0015128 (2013.02.13) 문서열기
공고번호/일자 (20130405) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.02)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노광수 대한민국 대전광역시 유성구
2 안건 대한민국 대전광역시 유성구
3 홍종인 대한민국 대전광역시 유성구
4 김연태 대한민국 대전광역시 유성구
5 김봉수 대한민국 대전광역시 유성구
6 최윤영 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준성 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길 **, ***호 준성특허법률사무소 (대치동, 대치빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0597759-31
2 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2011.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0620206-46
3 보정요구서
Request for Amendment
2011.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0072809-06
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.08.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0066772-14
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
7 등록결정서
Decision to grant
2013.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0198743-24
8 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2013-0395262-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
패턴이 형성된 마스터 몰드를 준비하는 단계;패턴이 형성된 상기 마스터 몰드에 고분자 화합물 레진을 도포하는 단계;상기 고분자 화합물 레진의 상부에 고분자 화합물로 이루어진, 후면 지지 필름(Back Supporting Film)을 부착하는 단계;상기 고분자 화합물 레진을 경화하는 단계;경화된 상기 고분자 화합물 레진을 상기 마스터 몰드에서 분리하여 패턴이 형성된 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체를 취득하는 단계 및상기 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체의 표면에 전도성 폴리머를 증착하여 상기 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조의 3차원 전극을 형성하는 단계를 포함하는 고분자 화합물 필러 구조체를 이용한 3차원 전극 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 마스터 몰드에 형성된 패턴은,다단 패턴(Multi-Level Pattern)인 것을 특징으로 하는 고분자 화합물 필러 구조체를 이용한 3차원 전극 제조방법
3 3
제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 마스터 몰드는,기판 상부에 산화막을 형성하는 단계;상기 산화막 상부에 감광액(Photoresist)을 코팅 또는 증착하는 단계;패턴이 형성된 유리 마스크(Glass Mask)를 준비하는 단계;상기 유리 마스크(Glass Mask)를 상기 산화막과 압착한 후 감광처리하여 상기 감광액(Photoresist)을 경화하는 단계;상기 유리 마스크(Glass Mask)를 제거하고, 포토리소그래피(Photolithography) 공정으로 상기 감광액과 상기 산화막을 식각하는 단계 및건식 식각을 이용해 상기 산화막과 상기 기판을 식각하여, 패턴이 형성된 마스터 몰드를 취득하는 단계에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물 필러 구조체를 이용한 3차원 전극 제조방법
4 4
제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고분자 화합물은,PVC(PolyVinyl Chloride), Neoprene, PVA(Polyvinyl Alcohol), PMMA(Poly Methyl Meta Acrylate), PBMA(Poly Benzyl Meta Acrylate), PolyStylene, SOG(Spin On Glass), PDMS(PolyDiMethylSiloxane), PVFM(Poly Vinyl ForMal), Parylene, Polyester, Epoxy, Polyether, Polyimide, LOR 또는 PUA(PolyUrethane Acrylate) 중 어느 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 고분자 화합물 필러 구조체를 이용한 3차원 전극 제조방법
5 5
제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 후면 지지 필름(Back Supporting Film)은,PVC(PolyVinyl Chloride), Neoprene, PVA(Polyvinyl Alcohol), PMMA(Poly Methyl Meta Acrylate), PBMA(Poly Benzyl Meta Acrylate), PolyStylene, SOG(Spin On Glass), PDMS(PolyDiMethylSiloxane), PVFM(Poly Vinyl ForMal), Parylene, Polyester, Epoxy, Polyether, Polyimide, LOR, PUA(PolyUrethane Acrylate) 또는 PC(PolyCarbonate) 중 어느 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 고분자 화합물 필러 구조체를 이용한 3차원 전극 제조방법
6 6
제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고분자 화합물 레진은,감광처리에 의해 경화되는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물 필러 구조체를이용한 3차원 전극 제조방법
7 7
제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조의 3차원 전극은,상기 고분자 필러(Pillar) 구조체의 표면에 전도성 폴리머 PEDOT:PSS 솔루션을 500rpm~5000rpm의 회전수, 3acc~6acc의 함량, 10sec~30sec의 시간으로 스핀코팅하여 형성하는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물 필러 구조체를 이용한 3차원 전극 제조방법
8 8
제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조의 3차원 전극은,상기 고분자 필러(Pillar) 구조체의 표면에 전도성 폴리머 PEDOT:PSS 솔루션을 딥 코팅(Dip Coating) 방식으로 코팅하여 형성하는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물 필러 구조체를 이용한 3차원 전극 제조방법
9 9
고분자 화합물로 이루어진, 후면 지지 필름(Back Supporting Film);상기 후면 지지 필름의 상부에 음각 또는 양각의 패턴(Pattern)이 형성된 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체 및상기 고분자 화합물 필러(Pillar) 구조체 표면에 형성된 전도성 폴리머층을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 화합물 필러 구조체를 이용한 3차원 전극
10 10
제 9항에 있어서, 상기 패턴은,다단 패턴(Multi-Level Pattern)인 것을 특징으로 하는 고분자 화합물 필러 구조체를 이용한 3차원 전극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 표준과학연구원 신기술융합형 성장동력사업 인간-기계 인터페이스를 위한 신경모방소자 및 인지시스템 개발