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N-형반도체다이아몬드의제조방법

  • 기술번호 : KST2015117305
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 n-형 반도체 다이아몬드를 제조하는 방법으로 CVD방법을 이용하여 다이아몬드증착과 동시에 불순물을 도핑한다. N-형 불순물로써 Li화합물과 B화합물을 동시에 도핑한후, 다이아몬드의 표면을 에칭하여 n-형반도체 다이아몬드를 제조하는 방법으로 비저항 특성이 1O-2Ωcm이하의 우수한 특성을 나타내는 다이아몬드를 제조하는 발명이다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019970007294 (1997.03.05)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0253115-0000 (2000.01.21)
공개번호/일자 10-1998-0072454 (1998.11.05) 문서열기
공고번호/일자 (20000501) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.03.05)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유진 대한민국 서울특별시 강남구
2 이웅선 대한민국 대전광역시 서구
3 김정근 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박형준 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로*길 **, *층 (서초동, 삼호빌딩)(한솔국제특허법률사무소)
2 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.03.05 수리 (Accepted) 1-1-1997-0023823-17
2 특허출원서
Patent Application		 1997.03.05 수리 (Accepted) 1-1-1997-0023822-72
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.03.05 수리 (Accepted) 1-1-1997-0023824-63
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 1999.07.05 수리 (Accepted) 9-1-1999-0000122-70
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0269549-29
11 의견서
Written Opinion		 1999.10.21 수리 (Accepted) 1-1-1999-5366512-31
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.10.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5366517-69
13 등록사정서
Decision to grant		 1999.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0357128-19
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

CVD (Chemical Vapor Deposition) 방법을 이용한 다이아몬드막 증착과 동시에 n-형 불순물인 리튬(Li) 화합물과 p-형 불순물인 보론(B) 화합물을 다이아몬드막에 도핑한 후, 표면층의 보론 화합물을 에칭으로 제거함을 특징으로 하는 n-형반도체 다이아몬드의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 표면층의 에칭은 수소가스를 사용함을 특징으로 하는 n-형 반도체 다이아몬드의 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US06110276 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US6110276 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.