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열린 기공이 적어도 하나 이상 포함된 불연속적인 실린더 형상의 다층 튜브 구조를 포함하는 가스센서에 있어서,상기 다층 튜브는 P-타입 금속산화물층, N-타입 금속산화물층 및 촉매층으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 둘 이상의 물질층으로 이루어진 다층 튜브를 포함하는 가스센서
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제 1항에 있어서, 상기 다층 튜브는 상부층/중심층/하부층으로 이루어진 3층의 샌드위치 구조인 다층 튜브를 포함하는 가스센서
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제 3항에 있어서, 상기 다층 튜브는 P-타입 금속산화물층/N-타입 금속산화물층/촉매층, 촉매층/P-타입 금속산화물층/N-타입 금속산화물층, N-타입 금속산화물층/P-타입 금속산화물층/N-타입 금속산화물층, P-타입 금속산화물층/N-타입 금속산화물층/P-타입 금속산화물층, 촉매층/N-타입 금속산화물층/촉매층, 또는 촉매층/P-타입 금속산화물층/촉매층 중에서 선택된 적어도 어느 하나인 다층 튜브를 포함하는 가스센서
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제1항에 있어서, 상기 열린 기공은 금속산화물 튜브의 벽면에 형성된 미세 기공이거나 금속산화물 튜브의 일단면에 형성된 열린 기공인 다층 튜브 구조를 포함하는 가스센서
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제1항에 있어서, 상기 불연속적인 실린더 형상은 금속산화물 튜브의 일단면이 열려있는 형상인 다층 튜브 구조를 포함하는 가스센서
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제1항에 있어서, 다층 튜브의 직경은 100 nm ~ 3000 nm의 범위를 포함하는 다층 튜브 구조를 포함하는 가스센서
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제1항에 있어서, 다층 튜브에서 다층을 구성하는 박층의 두께는 22 nm ~ 300 nm의 범위를 포함하는 다층 튜브 구조를 포함하는 가스센서
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제3항에 있어서, 다층 튜브에서 중심층의 두께는 20 nm ~ 200 nm의 두께 범위를 포함하는 다층 튜브 구조를 포함하는 가스센서
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제 3항에 있어서, 다층 튜브의 상부층과 하부층의 두께는 각각 1 nm ~ 50 nm의 두께 범위를 포함하는 다층 튜브 구조를 포함하는 가스센서
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제1항에 있어서, 상기 촉매층은 다른 금속산화물층과 공존하거나, 또는 단독으로 상기 다층 튜브의 일 층을 구성하는 것을 포함하는 다층 튜브 구조를 포함하는 가스센서
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제1항에 있어서, N-타입 금속산화물층은 SnO2, TiO2, ZnO, In2O3, WO3, Zn2SnO4 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 다층 튜브 구조를 포함하는 가스센서
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제1항에 있어서, P-타입 금속산화물층은 CuO, NiO, Cr2O3, Co3O4 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 다층 튜브 구조를 포함하는 가스센서
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제1항에 있어서, 촉매층은 Pt, Ag, Au, Pd, RuO2, IrO2 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 다층 튜브 구조를 포함하는 가스센서
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(a) 고분자 나노섬유 템플레이트를 제조하는 단계;(b) 상기 고분자 나노섬유 템플레이트 위에 P-타입 금속산화물층, N-타입 금속산화물층 및 촉매층으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 둘 이상을 층을 코팅하여 다층 박막을 형성하는 단계;(c) 고분자 나노섬유 템플레이트를 제거하고, 다층박막을 결정화하기 위한 열처리하여 다층 튜브를 제조하는 단계; 및(d) 상기 열처리 후에 얻어진 다층 튜브의 감지소재를 페이스트로 만들고, 이를 전극을 포함하는 기판 상에 프린팅하여 상기 다층 튜브들을 서로 네트워크화 시키는 단계를 포함하는 다층 튜브 구조를 포함하는 가스센서의 제조방법
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제 16항에 있어서, 상기 다층 박막은 P-타입 금속산화물층/N-타입 금속산화물층/촉매층, 촉매층/P-타입 금속산화물층/N-타입 금속산화물층, N-타입 금속산화물층/P-타입 금속산화물층/N-타입 금속산화물층, P-타입 금속산화물층/N-타입 금속산화물층/P-타입 금속산화물층, 촉매층/N-타입 금속산화물층/촉매층, 또는 촉매층/P-타입 금속산화물층/촉매층 중에서 선택된 적어도 어느 하나인 다층 튜브 구조를 포함하는 가스센서의 제조방법
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제 16항에 있어서, 고분자 나노섬유 템플레이트는 전기방사를 이용하여 제조된 다층 튜브 구조를 포함하는 가스센서의 제조방법
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제 16항에 있어서, N-타입 금속산화물층은 SnO2, TiO2, ZnO, In2O3, WO3, Zn2SnO4 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 다층 튜브 구조를 포함하는 가스센서의 제조방법
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제 16항에 있어서, P-타입 금속산화물층은 CuO, NiO, Cr2O3, Co3O4 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 다층 튜브 구조를 포함하는 가스센서의 제조방법
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제 16항에 있어서, 촉매층은 Pt, Ag, Au, Pd, RuO2, IrO2 중에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 다층 튜브 구조를 포함하는 가스센서의 제조방법
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제 16항에 있어서, 상기 다층은 상부층/중심층/하부층의 샌드위치 구조이며, 상부층과 하부층은 중심층 물질을 포함하거나 단독의 물질로 형성되는 다층 튜브 구조를 포함하는 가스센서의 제조방법
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제 22항에 있어서, 중심층 물질을 포함하는 상부층 또는 하부층은 중심층과 동시 증착법 공정에 의하여 형성되는 다층 튜브 구조를 포함하는 가스센서의 제조방법
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제 16항에 있어서, 다층 박막은 스퍼터링, PLD (Pulsed Laser Deposition), CVD (Chemical Vapor Deposition), ALD (Atomic Layer Deposition), 열증방법 (Thermal Evaporation), 전자빔 증착법 (E-beam Evaporation) 중에서 선택된 하나 이상의 공정에 의하여 형성되는 다층 튜브 구조를 포함하는 가스센서의 제조방법
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제 16항에 있어서, 상기 열처리는 산화분위기, 환원분위기 또는 진공분위기에서 400 ~ 800℃의 온도에서 진행되며, 이때 상기 고분자 나노섬유 템플레이트는 열분해에 의해 제거되고, 상기 다층 튜브는 결정화되는 다층 튜브 구조를 포함하는 가스센서의 제조방법
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열린 기공이 적어도 하나 이상 포함된 불연속적인 실린더 형상의 다층 튜브 구조를 포함하는 전자소자에 있어서,상기 다층 튜브는 제 16항의 단계 (a) 내지 단계 (c) 단계에 의하여 제조되는 다층 튜브 구조를 포함하는 전자소자
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열린 기공이 적어도 하나 이상 포함된 불연속적인 실린더 형상의 다층 튜브 구조를 포함하는 에너지저장 소자에 있어서,상기 다층 튜브는 제 16항의 단계 (a) 내지 단계 (c) 단계에 의하여 제조되는 다층 튜브 구조를 포함하는 에너지저장 소자
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