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하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는, 13족 원소의 질화물 양자점을 제조하기 위한 단일선구물질:
(SiR1R2R3)2N(N3)2M ←D (Ⅰ) 상기 식에서, R1, R2 및 R3는 C1 내지 C3의 알킬기; M은 화학주기율표 상의 13족 원소이며; 및, D는 유기염기이다
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제 1항에 있어서, 화학주기율표 상의 13족 원소, M은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 또는 인듐(In) 것을 특징으로 하는 13족 원소의 질화물 양자점을 제조하기 위한 단일선구물질
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제 1항에 있어서, 유기염기, D는 NR3(이때, R은 C1 내지 C8의 알킬기), PR3(이때, R은 C1 내지 C8의 알킬기), OPR3(이때, R은 C1 내지 C8의 알킬기) 또는 NC5H5인 것을 특징으로 하는 13족 원소의 질화물 양자점을 제조하기 위한 단일선구물질
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(ⅰ) 13족 원소의 클로라이드 화합물과 유기염기를 반응시켜 하기 화합물(Ⅱ)을 수득하는 공정; (ⅱ) 전기 수득된 화합물 (Ⅱ)를 Li[N(SiR1R2R3)2]과 반응시켜 하기 화합물(Ⅲ)을 수득하는 공정; 및, (ⅲ) 전기 수득된 화합물(Ⅲ)을 소듐 아자이드(sodium azide, NaN3)와 반응시켜 화합물(Ⅰ)을 수득하는 공정을 포함하는 제 1항의 단일선구물질의 제조방법:
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제 4항에 있어서, 화학주기율표 상의 13족 원소, M은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 또는 인듐(In) 것을 특징으로 하는 단일선구물질의 제조방법
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제 4항에 있어서, 유기염기, D는 NR3(이때, R은 C1 내지 C8의 알킬기), PR3(이때, R은 C1 내지 C8의 알킬기), OPR3(이때, R은 C1 내지 C8의 알킬기) 또는 NC5H5인 것을 특징으로 하는 단일선구물질의 제조방법
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제 1항의 화학식(Ⅰ)로 표시되는 단일선구물질을 유기용매 내에서 열분해시켜 13족 원소의 질화물 양자점을 제조하는 방법
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제 7항에 있어서, 유기용매는 트리-n-옥틸포스핀옥사이드(tri-n-octylphosphine oxide) 또는 트리-n-옥틸포스핀(tri-n-octylphosphine)인 것을 특징으로 하는 13족 원소의 질화물 양자점을 제조하는 방법
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제 7항 또는 제 8항에 있어서, 단일선구물질의 열분해는 190 내지 360℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 13족 원소의 질화물 양자점을 제조하는 방법
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