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13족 원소의 질화물 양자점을 제조하기 위한단일선구물질, 이의 제조방법 및 이를 이용한 13족 원소의질화물 양자점의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015117497
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 13족 원소의 질화물 양자점을 제조하기 위한 단일선구물질, 이의 제조방법 및 이를 이용한 13족 원소의 질화물 양자점의 제조방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 13족 원소의 질화물 양자점을 제조하기 위한 단일선구물질로서, 13족 원소가 질소원인 아자이드(azide) 및 실릴아민과 결합되어 있는 화합물(Ⅰ)과, 13족 원소의 클로라이드와 유기염기로부터 전기 단일선구물질을 제조하는 방법 및 이 선구물질을 열분해하여 13족 원소의 질화물 양자점을 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명의 단일선구물질은 하나의 물질 내에 제 13족 원소의 공급원과 질소의 공급원을 동시에 보유하고 있는 바, 두 원소의 당량을 따로 조절할 필요가 없으며, 본 발명의 단일선구물질이 열에 의하여 분해되는 경우 13족 원소-질소의 결합 중심과 함께 형성되는 부산물이 휘발성 물질이므로, 열분해 후 쉽게 제거될 수 있다는 특징을 가지고 있다. 또한, 본 발명의 단일선구물질은 13족 원소-탄소 결합을 가지고 있지 않기 때문에, 양자점이 형성되었을 때 탄소의 오염을 최소화시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 본 발명에 의하여 13족 원소의 질화물 양자점을 용액상에서 화학적인 방법으로 제조할 수 있게 됨에 따라, 종래의 방법에 비하여 저온에서 질화물 양자점을 대량으로 생산할 수 있게 되었다.
Int. CL C07F 7/08 (2006.01)
CPC C07F 19/00(2013.01) C07F 19/00(2013.01) C07F 19/00(2013.01)
출원번호/일자 1020010046353 (2001.07.31)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0454650-0000 (2004.10.19)
공개번호/일자 10-2003-0012357 (2003.02.12) 문서열기
공고번호/일자 (20041105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.07.31)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박준택 대한민국 대전광역시유성구
2 박재언 대한민국 경기도용인시기흥읍고

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이한영 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 ** (서초동, 아트스페이스 ***빌딩 *층)(리앤리국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2001.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2001-0192484-03
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2003.09.30 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2003.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2003-0055719-35
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0033386-47
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2004.03.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0130178-19
8 등록결정서
Decision to grant
2004.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0400133-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1

하기 일반식(Ⅰ)로 표시되는, 13족 원소의 질화물 양자점을 제조하기 위한 단일선구물질:


(SiR1R2R3)2N(N3)2M ←D

(Ⅰ)

상기 식에서,

R1, R2 및 R3는 C1 내지 C3의 알킬기;

M은 화학주기율표 상의 13족 원소이며; 및,

D는 유기염기이다

2 2

제 1항에 있어서,

화학주기율표 상의 13족 원소, M은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 또는

인듐(In) 것을 특징으로 하는

13족 원소의 질화물 양자점을 제조하기 위한 단일선구물질

3 3

제 1항에 있어서,

유기염기, D는 NR3(이때, R은 C1 내지 C8의 알킬기), PR3(이때, R은 C1

내지 C8의 알킬기), OPR3(이때, R은 C1 내지 C8의 알킬기) 또는 NC5H5

것을 특징으로 하는

13족 원소의 질화물 양자점을 제조하기 위한 단일선구물질

4 4

(ⅰ) 13족 원소의 클로라이드 화합물과 유기염기를 반응시켜 하기 화합물(Ⅱ)을 수득하는 공정;

(ⅱ) 전기 수득된 화합물 (Ⅱ)를 Li[N(SiR1R2R3)2]과 반응시켜 하기 화합물(Ⅲ)을 수득하는 공정; 및,

(ⅲ) 전기 수득된 화합물(Ⅲ)을 소듐 아자이드(sodium azide, NaN3)와 반응시켜 화합물(Ⅰ)을 수득하는 공정을 포함하는 제 1항의 단일선구물질의 제조방법:


5

제 4항에 있어서,

화학주기율표 상의 13족 원소, M은 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 또는

인듐(In) 것을 특징으로 하는

단일선구물질의 제조방법

6 6

제 4항에 있어서,

유기염기, D는 NR3(이때, R은 C1 내지 C8의 알킬기), PR3(이때, R은

C1 내지 C8의 알킬기), OPR3(이때, R은 C1 내지 C8의 알킬기) 또는

NC5H5인 것을 특징으로 하는

단일선구물질의 제조방법

7 7

제 1항의 화학식(Ⅰ)로 표시되는 단일선구물질을 유기용매 내에서 열분해시켜 13족 원소의 질화물 양자점을 제조하는 방법

8 8

제 7항에 있어서,

유기용매는 트리-n-옥틸포스핀옥사이드(tri-n-octylphosphine oxide)

또는 트리-n-옥틸포스핀(tri-n-octylphosphine)인 것을 특징으로 하는

13족 원소의 질화물 양자점을 제조하는 방법

9 9

제 7항 또는 제 8항에 있어서,

단일선구물질의 열분해는 190 내지 360℃에서 수행되는 것을 특징으로

하는

13족 원소의 질화물 양자점을 제조하는 방법

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