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다음의 단계를 포함하는 개시제를 사용하는 화학기상증착 반응기(iCVD)를 이용한 적층형 구조의 초소수성 표면체의 제조방법:(a) 기판의 양쪽면에 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산 고분자층을 25~30℃에서 반응기내 챔버의 압력을 150~250mTorr로 유지하면서 10~60분 동안 증착시키는 단계; 및 (b) 상기 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산 고분자층이 증착되어 있는 기판의 양쪽면에 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실아크릴레이트 고분자층을 25~30℃에서 반응기내 챔버의 압력을 50~200mTorr로 유지하면서 5~60분 동안 증착시켜 기판의 상면 및 하면에 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산 고분자층이 증착되어 있고 증착된 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산 고분자층 위에 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실아크릴레이트 고분자층이 증착되어 있으며, 물체 표면과 물의 접촉각이 150°를 넘는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체를 제조하는 단계
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다음의 단계를 포함하는 개시제를 사용하는 화학기상증착 반응기(iCVD)를 이용한 적층형 구조의 초소수성 표면체의 제조방법:(a) 기판의 상면에 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산 고분자층을 25~30℃에서 반응기내 챔버의 압력을 150~250mTorr로 유지하면서 10~60분 동안 증착시키는 단계;(b) 상기 기판의 상면에 증착되어 있는 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산 고분자층 위에 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실아크릴레이트 고분자층을 25~30℃에서 반응기내 챔버의 압력을 50~200mTorr로 유지하면서 5~60분 동안 증착시키는 단계;(c) 기판의 하면에 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산 고분자층을 25~30℃에서 반응기내 챔버의 압력을 150~250mTorr로 유지하면서 증착시키는 단계; 및 (d) 상기 기판의 하면에 증착되어 있는 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산 고분자층 위에 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실아크릴레이트 고분자층을 25~30℃에서 반응기내 챔버의 압력을 50~200mTorr로 유지하면서 증착시켜 기판의 상면 및 하면에 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산 고분자층이 증착되어 있고 증착된 2,4,6,8-테트라메틸-2,4,6,8-테트라비닐시클로테트라실록산 고분자층 위에 1H,1H,2H,2H-퍼플루오로데실아크릴레이트 고분자층이 증착되어 있으며, 물체 표면과 물의 접촉각이 150°를 넘는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체를 제조하는 단계
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