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적어도 하나의 금속층; 및
상기 금속층과 교번으로 적층된 적어도 하나의 금속 산화물층을 포함하는 투명 전도성 박막
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2
청구항 1에 있어서,
상기 금속층은 Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ni, Fe, Co, W, Ti, Cr, Mo, Cu, Ag, Au, Pt 및 이들의 합금으로 이루어진 그룹 중 어느 하나를 사용하는 투명 전도성 박막
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3
청구항 1에 있어서,
상기 금속층은 원자층으로 적층된 투명 전도성 박막
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청구항 1에 있어서,
상기 금속 산화물층은 Zn계 산화물, Sn계 산화물, In계 산화물, Cd계 산화물, Ga계 산화물, Al계 산화물, Ni계 산화물, Fe계 산화물, Mg계 산화물, Co계 산화물, Fe계 산화물, W계 산화물, ITO(Indium Tin Oxide), SnO2:N, ZnO:B 및 ZnO:N 또는 상기 산화물(Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ni, Fe, Mg, Co, Fe계 산화물)들의 화합물 그리고 이들의 합금(alloy) 형태(이원계, 삼원계, 사원계)로 이루어진 그룹 중 어느 하나를 사용하는 투명 전도성 박막
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5
청구항 1에 있어서,
상기 금속 산화물층으로 Zn계 산화물, Sn계 산화물, In계 산화물, Cd계 산화물, Ga계 산화물, Al계 산화물 및 ITO 중 어느 하나를 사용하는 경우,
상기 금속층은 Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al 및 이들의 합금으로 이루어진 그룹 중 어느 하나를 사용하는 투명 전도성 박막
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| 6 |
6
청구항 1에 있어서,
상기 금속 산화물층으로 Ni계 산화물, Fe계 산화물, Mg계 산화물, Co계 산화물, Fe계 산화물, W계 산화물, SnO2:N 및 ZnO:N 중 어느 하나를 사용하는 경우,
상기 금속층은 Ni, Fe, Mg, Co, Fe, W 및 이들의 합금으로 이루어진 그룹 중 어느 하나를 사용하는 투명 전도성 박막
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7
청구항 1에 있어서,
상기 금속층과 상기 금속 산화물층은 동일한 금속 물질을 포함하는 투명 전도성 박막
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8
청구항 1에 있어서,
상기 금속층과 상기 금속 산화물층은 단일 챔버 내에서 인시츄로 형성되는 투명 전도성 박막
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9
원자층 증착법으로 기판상에 금속층을 형성하는 단계; 및
상기 금속층 상에 화학 증착법으로 금속 산화물층을 형성하는 단계를 포함하는 투명 전도성 박막 제조 방법
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10
화학 증착법으로 기판상에 금속 산화물층을 형성하는 단계; 및
상기 금속 산화물층 상에 원자층 증착법으로 금속층을 형성하는 단계를 포함하는 투명 전도성 박막 제조 방법
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11
청구항 9 또는 청구항 10에 있어서,
상기 금속층을 형성하는 단계와, 상기 금속 산화물층을 형성하는 단계를 복수번 순차적으로 반복하는 투명 전도성 박막 제조 방법
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12
청구항 11에 있어서,
상기 원자층 증착법은 금속 원료 물질의 분사 하는 단계, 상기 금속 원료 물질의 퍼지하는 단계, 반응 물질을 분사하는 단계 및 상기 반응 물질의 퍼지 단계를 하나의 사이클로 하고,
1 내지 10 사이클을 수행하여 상기 금속층을 형성하는 투명 전도성 박막 제조 방법
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13
청구항 11에 있어서,
상기 금속층은 Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ni, Fe, Co, W, Ti, Cr, Mo, Cu, Ag, Au, Pt 및 이들의 합금으로 이루어진 그룹 중 어느 하나를 사용하는 투명 전도성 박막 제조 방법
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14
청구항 11에 있어서,
상기 금속 산화물층은 Zn계 산화물, Sn계 산화물, In계 산화물, Cd계 산화물, Ga계 산화물, Al계 산화물, Ni계 산화물, Fe계 산화물, Mg계 산화물, Co계 산화물, Fe계 산화물, W계 산화물, ITO(Indium Tin Oxide), SnO2:N, ZnO:B 및 ZnO:N 또는 상기 산화물(Zn, Sn, In, Cd, Ga, Al, Ni, Fe, Mg, Co, Fe계 산화물)들의 화합물 그리고 이들의 합금(alloy) 형태(이원계, 삼원계, 사원계)로 이루어진 그룹 중 어느 하나를 사용하는 투명 전도성 박막 제조 방법
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