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포토레지스트 형성용 화합물, 이를 포함하는 저분자포토레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015118862
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 포토레지스트 형성용 화합물, 이를 포함하는 저분자 포토레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법에서, 상기 조성물은 환형 잔기를 갖는 화합물 7 내지 14 중량%와, 광산 발생제 0.1 내지 0.5 중량%와 여분의 유기 용매를 포함한다. 상기 저분자 포토레지스트 조성물은 환형 구조의 잔기를 기본 골격으로 하는 상기 화합물을 포함하고 있어 일반적으로 사용되는 저분자 포토레지스트 조성물의 장점을 갖는 동시에 기존의 포토레지스트 조성물에 비해 상대적으로 높은 내식각성을 갖는다.
Int. CL G03F 7/039 (2006.01) G03F 7/004 (2006.01)
CPC G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01)
출원번호/일자 1020060105989 (2006.10.31)
출원인 삼성전자주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0770223-0000 (2007.10.19)
공개번호/일자 10-2007-0064243 (2007.06.20) 문서열기
공고번호/일자 (20071026) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050123628   |   2005.12.15
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.10.31)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경미 대한민국 경기 안양시 만안구
2 김영호 대한민국 경기 용인시 수지구
3 김진백 대한민국 서울 강남구
4 오태환 대한민국 경기 화성시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2006-0794487-76
2 등록결정서
Decision to grant		 2007.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0518873-72
3 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2007.10.19 수리 (Accepted) 2-1-2007-0256781-34
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 구조식 (1), 하기 구조식 (2), 하기 구조식 (3) 및 하기 구조식 (4)로 표기되는 환형 잔기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나의 잔기와 하기 구조식 (9)으로 표기되는 잔기를 포함하는 포토레지스트 형성용 화합물
2 2
제1항에 있어서, 상기 구조식 (1)로 표기되는 잔기를 포함하는 화합물은 하기 구조식 (5)로 표기되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 형성용 화합물
3 3
제2항에 있어서, 상기 화합물은 1,3,5,7-아다만탄테트라카르복실산에 담즙산 유도체인 터셔리 부틸콜레이트 또는 1-터셔리 부톡시 에틸콜레이트를 합성하여 형성된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 형성용 화합물
4 4
제1항에 있어서, 상기 구조식 (2)로 표기되는 잔기를 포함하는 화합물은 하기 구조식 (6)으로 표기되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 형성용 화합물
5 5
제4항에 있어서, 상기 화합물은 1,3-아다만탄디카르복실산에 담즙산 유도체인 터셔리 부틸콜레이트 또는 1-터셔리 부톡시 에틸콜레이트를 합성하여 형성된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 형성용 화합물
6 6
제4항에 있어서, 상기 화합물은 1,3-아다만탄디아세트산에 담즙산 유도체인 터셔리 부틸콜레이트 또는 1-터셔리 부톡시 에틸콜레이트를 합성하여 형성된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 형성용 화합물
7 7
제1항에 있어서, 상기 구조식 (3)으로 표기되는 잔기를 포함하는 화합물은 하기 구조식 (7)로 표기되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 형성용 화합물
8 8
제7항에 있어서, 상기 화합물은 1,3,5-시클로헥산디카르복실산에 담즙산 유도체인 터셔리 부틸콜레이트 또는 1-터셔리 부톡시 에틸콜레이트를 합성하여 형성된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 형성용 화합물
9 9
제1항에 있어서, 상기 구조식 (4)로 표기되는 잔기를 포함하는 화합물은 하기 구조식 (8)로 표기되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 형성용 화합물
10 10
제9항에 있어서, 상기 화합물은 1,4-시클로헥산트리카르복실산에 담즙산 유도체인 터셔리 부틸콜레이트 또는 1-터셔리 부톡시 에틸콜레이트를 합성하여 형성된 것을 특징으로 하는 포토레지스트 형성용 화합물
11 11
하기 구조식 (1), 하기 구조식 (2), 하기 구조식 (3) 및 하기 구조식 (4)로 표기되는 환형 잔기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나의 잔기와 하기 구조식(9)로 표기되는 잔기를 포함하는 포토레지스트 형성용 화합물 7 내지 14 중량%;광산 발생제 0
12 12
제11항에 있어서, 상기 구조식 (1)로 표기되는 잔기를 포함하는 화합물은 하기 구조식 (5)로 표기되는 것을 특징으로 하는 저분자 포토레지스트 조성물
13 13
제11항에 있어서, 상기 구조식 (2)로 표기되는 잔기를 포함하는 화합물은 하기 구조식 (6)으로 표기되는 것을 특징으로 하는 저분자 포토레지스트 조성물
14 14
청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
15 15
제11항에 있어서, 상기 구조식 (4)로 표기되는 잔기를 포함하는 화합물은 하기 구조식 (8)로 표기되는 것을 특징으로 하는 저분자 포토레지스트 조성물
16 16
제11항에 있어서, 상기 광산 발생제는 트리아릴술포늄염(triarylsulfonium salt), 디아릴요도늄염(diaryliodonium salt), 술포네이트(sulfonate), 및 N-히드록시숙신이미드 트리플레이트(N-hydroxysuccinimide triflate)로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 저분자 포토레지스트 조성물
17 17
청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP19191468 JP 일본 FAMILY
2 US07670748 US 미국 FAMILY
3 US20070141511 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2007191468 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US2007141511 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US7670748 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.