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블록 공중합체의 유도 자기 조립을 이용한 동심원 나노갭 구조 기반 표면강화 라만 분광 기판 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015118999
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 표면강화 라만 분광기판의 제조 방법은 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 규칙적으로 배열되는 원형 구조체를 형성하는 단계; 상기 기판 및 상기 원형 구조체 상에 제1 증착 금속을 1차적으로 코팅하는 단계; 상기 원형 구조체를 제거하여 나노 크기의 구멍을 형성하는 단계; 상기 나노 크기의 구멍 상에 서로 다른 2 이상의 블록 공중합체의 코팅, 유도 자기 조립 과정 및 산화를 통해 동심원 나노 구조체를 형성하는 단계; 상기 동심원 나노 구조체 상에 제2 증착 금속을 2차적으로 코팅하는 단계; 및 상기 제2 증착 금속의 식각을 통해 복수의 동심원 금속 나노갭을 형성하는 단계;를 포함한다.
Int. CL G01J 3/44 (2006.01)
CPC G01J 3/44(2013.01) G01J 3/44(2013.01)
출원번호/일자 1020140125053 (2014.09.19)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1555306-0000 (2015.09.17)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20150925) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.09.19)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정연식 대한민국 대전광역시 유성구
2 백광민 대한민국 대전광역시 유성구
3 심동민 대한민국 대전광역시 유성구
4 김종민 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울시 서초구 서운로**, ***호(서초동, 중앙로얄오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0891206-38
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0058221-12
7 등록결정서
Decision to grant
2015.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0514213-42
8 [일부 청구항 포기]취하(포기)서
[Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment)
2015.09.17 수리 (Accepted) 2-1-2015-0544467-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판(10)을 준비하는 단계;(b) 상기 기판(10) 상에 규칙적으로 배열되는 원형 구조체(20)를 형성하는 단계;(c) 상기 기판(10) 및 상기 원형 구조체(20) 상에 제1 증착 금속(30)을 1차적으로 코팅하는 단계;(d) 상기 원형 구조체(20)를 제거하여 나노 크기의 구멍(35)을 형성하는 단계;(e) 상기 나노 크기의 구멍(35) 상에 서로 다른 2 이상의 블록 공중합체의 코팅, 유도 자기 조립 과정 및 산화를 통해 동심원 나노 구조체(40)를 형성하는 단계;(f) 상기 동심원 나노 구조체(40) 상에 제2 증착 금속(50)을 2차적으로 코팅하는 단계; 및(g) 상기 제2 증착 금속(50)의 식각을 통해 복수의 동심원 금속 나노갭(54)을 형성하는 단계;를 포함하는,표면강화 라만 분광기판의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 원형 구조체(20)의 직경은 10 nm 내지 1 um로 형성되는,표면강화 라만 분광기판의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 원형 구조체(20)는 반응성 이온 에칭을 이용하여 그 직경을 줄이는,표면강화 라만 분광기판의 제조 방법
4 4
청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
5 5
제 1 항에 있어서상기 제1 증착 금속(30)의 코팅 두께는 50 nm 이하인,표면강화 라만 분광기판의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서상기 나노 크기의 구멍(35)은 반응성 이온 에칭(Reactive ion etching)을 통한 상기 원형 구조체(20)의 제거, 유기 용매를 이용한 원형 구조체(20)의 용해, 또는 이들의 조합을 통해 형성되는,표면강화 라만 분광기판의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 나노 크기의 구멍(35)의 직경은 10 nm 내지 1 um 인,표면강화 라만 분광기판의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 블록 공중합체는 폴리스타일렌-b-폴리디메틸실록산(polystyrene-b-polydimethylsioxane),폴리아크릴로나이트릴-b-폴리디메틸실록산(polyacrylonitrile-b-polydimethylsiloxane), 폴리에틸렌옥사이드-b-폴리디메틸실록산(polyethylene oxide-b-polydimethylsiloxane), 폴리(2-비닐피리딘)-b-폴리디메틸실록산(poly(2-vinylpyridine)-b-polydimethylsiloxane), 폴리(4-비닐피리딘)-b-폴리디메틸실록산(poly(4-vinylpyridine)-b-polydimethylsiloxane), 폴리메틸메타크릴레이트-b-폴리디메틸실록산(polymethylmethacrylate-b-polydimethylsiloxane), 폴리아크릴로나이트릴-b-폴리이소프렌 (polyacrylonitrile-b-polyisopyrene), 및 폴리에틸렌옥사이드-b-폴리이소프렌(poly(ethylene oxide)-b-polyisopyrene)를 포함하는 그룹 중 하나인,표면강화 라만 분광기판의 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 블록 공중합체의 부피 비율은 전체 100 부피%에 대해 일측 블록이 10 부피% 내지 30부피%의 부피 비율을 갖는,표면강화 라만 분광기판의 제조 방법
10 10
제 8 항에 있어서,상기 블록 공중합체는 5 kg/mol 내지 100 kg/mo의 분자량을 갖는,표면강화 라만 분광기판의 제조 방법
11 11
제 8 항에 있어서,상기 블록 공중합체의 유도 자기 조립은 열적 어닐링, 용매 어닐링 또는 이들의 조합을 포함하는,표면강화 라만 분광기판의 제조 방법
12 12
제 1 항에 있어서,상기 블록 공중합체는 동심원 나노 구조 형태를 갖는,표면강화 라만 분광기판의 제조 방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 블록 공중합체는 5 nm 내지 50 nm 의 직경을 갖는,표면강화 라만 분광기판의 제조 방법
14 14
청구항 14은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다
15 15
제 1 항에 있어서,상기 제2 증착 금속(50)의 두께는 20 nm 내지 50 nm 인,표면강화 라만 분광기판의 제조 방법
16 16
제 15 항에 있어서,상기 제2 증착 금속(50)의 식각은 10W 내지 400W에서 10초 내지 200초 동안 수행되는,표면강화 라만 분광기판의 제조 방법
17 17
제 12 항에 있어서,상기 형성된 동심원 금속 나노갭(54)은 5 nm 내지 50 nm 인,표면강화 라만 분광기판의 제조 방법
18 18
기판(10);상기 기판(10) 상에 코팅되는 증착 금속(30,50);상기 증착 금속(30,50)에 형성된 나노 크기의 구멍(35);상기 나노 크기의 구멍(35) 상에 서로 다른 2 이상의 블록 공중합체의 코팅, 유도 자기 조립 과정 및 산화를 통해 형성되는 동심원 나노 구조체(40);상기 증착 금속(30,50)의 식각을 통해 상기 동심원 나노 구조체(40) 상에 형성되는 복수의 동심원 금속 나노갭(54);을 포함하는,표면강화 라만 분광기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 글로벌프론티어사업 초저전력 전자융합 소자
2 지식경제부 (주)동진쎄미켐 지식경제기술혁신사업-소재원천기술개발사업 반도체 소자 제작을 위한 20nm급 DSA(Directed Self Assembly) 소재 및 공정 개발