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SBT 강유전체 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015119185
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 SBT(SrBi2Ta2O9) 강유전체 박막의 제조방법에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 화학증착법에 의하여 강유전체 박박(SrBi2Ta2O9 ; 스크론튬 비스무스 탄탈레이트 화합물)을 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명의 목적은 3V 인가전압에서 잔류분극(Pr)이 15 μC/cm2 이상, 항전계(Ec)는 50 kV/cm 이하, Pt 상하부 전극구조에서 6V 양극 사각파(bipolar square pulse) 하에서 1 X 1011 싸이클 까지 피로현상이 나타나지 않는 박막을 최대한 낮은 온도에서 제조할 수 있는 SBT 강유전체 박막의 제조방법을 제공함에 있다.따라서, 본 발명은 Sr, Bi, Ta의 전구체로 Sr(C5F6HO2)2, Bi(C6H5)3, Ta(C2H5O)5 를 사용하여 110-130℃, 140-160℃ 및 120-140℃로 각각 버블링(bubbling)시켜 플라즈마 내에서 RF 동력을 100-150 W로 하여 500-550℃로 저온증착시키는 SBT(SrBi2Ta2O9) 강유전체 박막의 제조방법임을 특징으로 한다.본 발명에 의해 제조된 SBT 강유전체 박막은 강유전 특성 및 우수한 피로특성 나타내기 때문에, 비휘발성 기억소자에 활용될 수 있다.
Int. CL C23C 16/40 (2006.01) C23C 16/50 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019970041508 (1997.08.27)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0229358-0000 (1999.08.16)
공개번호/일자 10-1999-0018333 (1999.03.15) 문서열기
공고번호/일자 (19991101) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.08.27)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김호기 대한민국 서울특별시 강남구
2 이원재 대한민국 대전광역시 유성구
3 윤순길 대한민국 대전광역시 서구
4 안준형 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박형준 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로*길 **, *층 (서초동, 삼호빌딩)(한솔국제특허법률사무소)
2 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination
1997.08.27 수리 (Accepted) 1-1-1997-0132305-13
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.08.27 수리 (Accepted) 1-1-1997-0132304-67
3 특허출원서
Patent Application
1997.08.27 수리 (Accepted) 1-1-1997-0132303-11
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1997.09.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1997-0132306-58
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1998.05.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1997-0132307-04
6 출원인정보변경(경정)신고서
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1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
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1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
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1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
9 출원인정보변경(경정)신고서
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1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
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1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
11 등록사정서
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1999.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0223791-06
12 출원인정보변경(경정)신고서
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2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
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2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
14 출원인정보변경(경정)신고서
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2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
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2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
16 출원인정보변경(경정)신고서
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2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
17 출원인정보변경(경정)신고서
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2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
18 출원인정보변경(경정)신고서
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2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
19 출원인정보변경(경정)신고서
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2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
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2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
1 1

Sr, Bi, Ta의 전구체로 Sr(C5F6HO2)2, Bi(C6H5)3, Ta(C2H5O)5 를 버블링시켜 플라즈마 내에서 저온증착시킴을 특징으로 하는 SBT(SrBi2Ta2O9)강유전체 박막의 제조방법

2 2

제 1항에 있어서, Sr(C5F6HO2)2, Bi(C6H5)3, Ta(C2H5O)5 의 버블링 온도는 각각 110-130℃, 140-160℃ 및 120-140℃임을 특징으로 하는 SBT(SrBi2Ta2O9)강유전체 박막의 제조방법

3 3

제 1항에 있어서, 증착온도는 500-550℃ 임을 특징으로 하는 SBT(SrBi2Ta2O9)강유전체 박막의 제조방법

4 4

제 1항에 있어서, 플라즈마의 RF 동력은 100-150 W 임을 특징으로 하는SBT(SrBi2Ta2O9)강유전체 박막의 제조방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US06090455 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US6090455 US 미국 DOCDBFAMILY
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