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SOI기판 제조장치

  • 기술번호 : KST2015119192
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 SOI소자 제조장치 및 그를 이용한 SOI소자의 제조방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 간단하며 경제적으로 대형의 SOI소자를 제조할 수 있는 SOI소자 제조장치 및 전기한 제조장치를 사용하여 결정성이 우수한 대형의 SOI소자를 경제적으로 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 SOI소자 제조장치는 내열용기(11)에 충진된 다결정 실리콘(12)을 가열하여 용융시키기 위한 가열수단(13); 일면에 실리콘 단결정 시드(14)가 부착된 절연기판(4)을 상하로 이동시키면서 절연기판(4) 상에 내열용기(11)에 충진된 실리콘 용융액을 침적시켜 단결정 막막(5)을 형성하기 위한 절연기판 이송수단(15); 및 절연기판 이송수단(15)의 상하 이동에 의해 절연기판(4)상에 형성된 단결정 박막(5)의 두께를 일정하게 유지시키기 위한 쉐이퍼(16)로 구성된다. 또한, 본 발명의 SOI소자 제조방법은 실리콘 용융액을 제조하는 공정; 실리콘 용융액에 단결정 시드(14)를 침적시켜 용융시키고 절연기판(4)을 상방으로 이동시키면서 절연기판(4)에 침적된 실리콘 용융액을 응고시켜 단결정 박막(5)을 성장시키는 공정; 및 쉐이퍼(16)에 의해 절연기판(4) 상에 형성된 단결정 박막(5)의 두께를 일정하게 유지시키는 공정을 포함한다.
Int. CL H01L 21/762 (2006.01.01)
CPC H01L 21/76251(2013.01)
출원번호/일자 1019950027603 (1995.08.30)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1997-0013008 (1997.03.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.08.30)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김도현 대한민국 대전광역시 유성구
2 왕종회 대한민국 인천광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이한영 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 ** (서초동, 아트스페이스 ***빌딩 *층)(리앤리국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.08.30 수리 (Accepted) 1-1-1995-0114539-98
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.08.30 수리 (Accepted) 1-1-1995-0114540-34
3 특허출원서
Patent Application		 1995.08.30 수리 (Accepted) 1-1-1995-0114538-42
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0060120-65
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1998.08.31 수리 (Accepted) 1-1-1995-0114541-80
6 의견서
Written Opinion		 1998.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1995-0114543-71
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.09.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1995-0114542-25
8 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1998.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0475458-03
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.06 수리 (Accepted) 4-1-1999-0030399-30
12 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 1999.02.06 수리 (Accepted) 1-1-1999-5052651-48
13 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.02.06 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-1999-5052650-03
14 출원인코드정정신청서
Request for Correction of Applicant Code		 1999.03.16 수리 (Accepted) 1-1-1999-5113582-50
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
16 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 1999.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0316960-74
17 심사전치출원의 심사결과보고서
Notice of Result of Reexamination		 1999.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-1999-0015693-29
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

내열용기(11)에 충진된 다결정 실리콘(12)을 가열하여 용융시키기 위한 가열수단(13); 일면에 실리콘 단결정 시드(14)가 부착된 절연기판(4)을 상하로 이동시키면서 절연기판(4) 상에 내열용기(11)에 충진된 실리콘 용융액을 침적시켜 단결정 박막(5)을 형성하기 위한 절연기판 이송수단(15); 및 절연기판 이송수단(15)의 상하 이동에 의해 절연기판(4)상에 형성된 단결정 박막(5)의 두께를 일정하게 유지시키기 위한 쉐이퍼(16)로 구성된 SOI소자 제조장치

2 2

(ⅰ) SOI소자 제조장치의 내열용기(11)에 다결정 실리콘(12)을 충진시키고 가열수단(13)에 의해 1400℃ 이상으로 가열하여 실리콘 용융액을 제조하는 공정; (ⅱ) 일면에 실리콘 단결정 시드(14)가 부착된 1개 이상의 절연기판(4)을 절연기판 이송수단(15)에 의해 하방으로 이동시키고 전기한 실리콘 용융액에 단결정 시드(14)를 침적시켜 단결정 시드(14)를 용융시키고 절연기판(4)을 상방으로 이동시키면서 절연기판(4)에 침적된 실리콘 용융액을 응고시켜 단결정 박막(5)을 성장시키는 공정; 및 (ⅲ) 쉐이퍼(16)에 의해 전기한 절연기판(4) 상에 형성된 단결정 박막(5)의 두께를 일정하게 유지시키는 공정을 포함하는 SOI소자의 제조방법

3 3

제2항에 있어서, 절연기판(4)으로는 사파이어 기판 등의 실리카 기판을 사용하는 것을 특징으로 하는 SOI소자의 제조방법

4 4

제2항에 있어서, 단결정 박막(14) 성장시 실리콘 용융액에 불활성 가스를 주입하는 것을 특징으로 하는 SOI소자의 제조방법

5 5

제2항에 있어서, 실리콘 단결정 시드(14)가 부착된 절연기판(4)을 2개 이상 사용시 절연기판(4) 사이에 분말상의 물질을 첨가하는 것을 특징으로 하는 SOI소자의 제조방법

6 6

제5항에 있어서, 분말상 물질로는 질화붕소를 사용하는 것을 특징으로 하는 SOI소자의 제조방법

7 7

제2항의 SOI소자 제조방법에 의해 제조되며, 절연기판(4) 상에 단결정실리콘 박막(5)이 형성된 SOI소자

8
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US05891244 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US5891244 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.