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신규한 리간드 치환법에 의한 고효율의 양자점의 합성 방법 및 합성된 양자점의 후처리 방법

  • 기술번호 : KST2015119508
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양자점의 합성 방법 및 합성된 양자점의 후처리 방법에 관한 것으로, 합성시 사용되는 양자점의 소수성 리간드를 소수성 유기 용매 내에서 원하는 리간드로 치환하는 것을 특징으로 한다. 이의 대표적인 적용 예로는 소수성 리간드가 접합되어 있는 양자점을 친수성 리간드로 치환하는 데에 있어서 유기 용매에 분산이 가능한 작용기를 함유하는 친수성 리간드를 고온 하에 첨가하여 발광 효율의 감소를 가져오지 않는 친수성 리간드로의 치환이 가능함을 특징으로 한다.이러한 리간드 치환 방법은 기존의 리간드 치환법의 큰 문제인 발광 효율의 급격한 감소를 극복하여 줌과 동시에 기존의 복잡한 리간드 치환 방법에 비하여 단 한번의 용액 주입만으로 리간드 변환이 가능함을 장점으로 갖는다. 상기 방법을 기반으로 양자점의 리간드를 치환할 시, 고 발광 효율의 양자점을 원하는 형태의 리간드가 접합된 형태로 합성할 수 있게 되어 이의 바이오 분야 및 광학 소자 분야에 대해 우수한 적용성을 나타낼 것으로 기대된다.
Int. CL C09K 11/00 (2006.01) C09K 11/08 (2006.01)
CPC C09K 11/00(2013.01) C09K 11/00(2013.01) C09K 11/00(2013.01)
출원번호/일자 1020100114539 (2010.11.17)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0053325 (2012.05.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.17)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전덕영 대한민국 대전광역시 유성구
2 김현기 대한민국 대전광역시 유성구
3 서민원 대한민국 대전광역시 유성구
4 장동선 대한민국 대전광역시 유성구
5 김성욱 대한민국 대전광역시 유성구
6 권병화 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0751856-07
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2012-0006582-40
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0430071-04
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0784252-72
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0870417-59
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0870418-05
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.11.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0662314-23
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-1095433-91
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-0092515-22
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0092514-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0114740-41
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
100~350℃의 유기용매 하에서 양자점을 합성하는 단계; 상기 양자점에 유기용매에 분산이 가능한 X-Y-Z 형태의 리간드를 첨가하는 단계; 및 상기 리간드 첨가 후 100~350℃에서 1분~60분동안 반응시키는 단계; 를 포함하는 리간드가 치환된 양자점을 수득하는 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 유기용매는 non-coordinating solvent 또는 coordinating solvent를 사용하며 이에 리간드 precursor를 주입한 것임을 특징으로 하는 리간드가 치환된 양자점을 수득하는 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 양자점은 ‘12족-16족계 화합물’, ‘11족-13족-16족계 화합물’‘13족-15족계 화합물’ 및 ‘14족-16족계 화합물’로 이루어진 군으로 부터 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 리간드가 치환된 양자점을 수득하는 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 ‘12족-16족계 화합물’은 카드뮴설파이드(CdS), 카드뮴셀레나이드(CdSe), 카드뮴텔레나이드(CdTe), 징크설파이드(ZnS), 징크셀레나이드(ZnSe), 징크텔레나이드(ZnTe), 머큐리설파이드(HgS), 머큐리셀레나이드(HgSe), 머큐리텔레나이드(HgTe), 징크옥사이드(ZnO), 카드뮴옥사이드(CdO), 머큐리옥사이드(HgO), 카드뮴셀레늄설파이드(CdSeS), 카드뮴셀레늄텔레나이드(CdSeTe), 카드뮴설파이드텔레나이드(CdSTe), 카드뮴징크설파이드(CdZnS), 카드뮴징크셀레나이드(CdZnSe), 카드뮴설파이드셀레나이드(CdSSe), 카드뮴징크텔레나이드(CdZnTe), 카드뮴머큐리설파이드(CdHgS), 카드뮴머큐리셀레나이드(CdHgSe), 카드뮴머큐리텔레나이드(CdHgTe), 징크셀레늄설파이드(ZnSeS), 징크셀레늄텔레나이드(ZnSeTe), 징크설파이드텔레나이드(ZnSTe), 머큐리셀레늄설파이드(HgSeS), 머큐리셀레늄텔레나이드(HgSeTe), 머큐리설파이드텔레나이드(HgSTe), 머큐리징크설파이드(HgZnS), 머큐리징크셀레나이드(HgZnSe), 카드뮴징크옥사이드(CdZnO), 카드뮴머큐리옥사이드(CdHgO), 징크머큐리옥사이드(ZnHgO), 징크셀레늄옥사이드(ZnSeO), 징크텔레늄옥사이드(ZnTeO), 징크설파이드옥사이드(ZnSO), 카드뮴셀레늄옥사이드(CdSeO), 카드뮴텔레늄옥사이드(CdTeO), 카드뮴설파이드옥사이드(CdSO), 머큐리셀레늄옥사이드(HgSeO), 머큐리텔레늄옥사이드(HgTeO), 머큐리설파이드옥사이드(HgSO), 카드뮴징크셀레늄설파이드(CdZnSeS), 카드뮴징크셀레늄텔레나이드(CdZnSeTe), 카드뮴징크설파이드텔레나이드(CdZnSTe), 카드뮴머큐리셀레늄설파이드(CdHgSeS), 카드뮴머큐리셀레늄텔레나이드(CdHgSeTe), 카드뮴머큐리설파이드텔레나이드(CdHgSTe), 머큐리징크셀레늄설파이드(HgZnSeS), 머큐리징크셀레늄텔레나이드(HgZnSeTe), 머큐리징크설파이드텔레나이드(HgZnSTe), 카드뮴징크셀레늄옥사이드(CdZnSeO), 카드뮴징크텔레늄옥사이드(CdZnTeO), 카드뮴징크설파이드옥사이드(CdZnSO), 카드뮴머큐리셀레늄옥사이드(CdHgSeO), 카드뮴머큐리텔레늄옥사이드(CdHgTeO), 카드뮴머큐리설파이드옥사이드(CdHgSO), 징크머큐리셀레늄옥사이드(ZnHgSeO), 징크머큐리텔레늄옥사이드(ZnHgTeO) 및 징크머큐리설파이드옥사이드(ZnHgSO) 으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 리간드가 치환된 양자점을 수득하는 방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 ‘13족-15족계 화합물’은 갈륨포스포러스(GaP), 갈륨아세나이드(GaAs), 갈륨안티모니(GaSb), 갈륨나이트라이드(GaN), 알루미늄포스포러스(AlP), 알루미늄아세나이드(AlAs), 알루미늄안티모니(AlSb), 알루미늄나이트라이드(AlN), 인듐포스포러스(InP), 인듐아세나이드(InAs), 인듐안티모니(InSb), 인듐나이트라이드(InN), 갈륨포스포러스아세나이드(GaPAs), 갈륨포스포러스안티모니(GaPSb), 갈륨포스포러스나이트라이드(GaPN), 갈륨아세나이드나이트라이드(GaAsN), 갈륨안티모니나이트라이드(GaSbN), 알루미늄포스포러스아세나이드(AlPAs), 알루미늄포스포러스안티모니(AlPSb), 알루미늄포스포러스나이트라이드(AlPN), 알루미늄아세나이드나이트라이드(AlAsN), 알루미늄안티모니나이트라이드(AlSbN), 인듐포스포러스아세나이드(InPAs), 인듐포스포러스안티모니(InPSb), 인듐포스포러스나이트라이드(InPN), 인듐아세나이드나이트라이드(InAsN), 인듐안티모니나이트라이드(InSbN), 알루미늄갈륨포스포러스(AlGaP), 알루미늄갈륨아세나이드(AlGaAs), 알루미늄갈륨안티모니(AlGaSb), 알루미늄갈륨나이트라이드(AlGaN), 알루미늄아세나이드나이트라이드(AlAsN), 알루미늄안티모니나이트라이드(AlSbN), 인듐갈륨포스포러스(InGaP), 인듐갈륨아세나이드(InGaAs), 인듐갈륨안티모니(InGaSb), 인듐갈륨나이트라이드(InGaN), 인듐아세나이드나이트라이드(InAsN), 인듐안티모니나이트라이드(InSbN), 알루미늄인듐포스포러스(AlInP), 알루미늄인듐아세나이드(AlInAs), 알루미늄인듐안티모니(AlInSb), 알루미늄인듐나이트라이드(AlInN), 알루미늄아세나이드나이트라이드(AlAsN), 알루미늄안티모니나이트라이드(AlSbN), 알루미늄포스포러스나이트라이드(AlPN), 갈륨알루미늄포스포러스아세나이드(GaAlPAs), 갈륨알루미늄포스포러스안티모니(GaAlPSb), 갈륨인듐포스포러스아세나이드(GaInPAs), 갈륨인듐알루미늄아세나이드(GaInAlAs), 갈륨알루미늄포스포러스나이트라이드(GaAlPN), 갈륨알루미늄아세나이드나이트라이드(GaAlAsN), 갈륨알루미늄안티모니나이트라이드(GaAlSbN), 갈륨인듐포스포러스나이트라이드(GaInPN), 갈륨인듐아세나이드나이트라이드(GaInAsN), 갈륨인듐알루미늄나이트라이드(GaInAlN), 갈륨안티모니포스포러스나이트라이드(GaSbPN), 갈륨아세나이드포스포러스나이트라이드(GaAsPN), 갈륨아세나이드안티모니나이트라이드(GaAsSbN), 갈륨인듐포스포러스안티모니(GaInPSb), 갈륨인듐포스포러스나이트라이드(GaInPN), 갈륨인듐안티모니나이트라이드(GaInSbN), 갈륨포스포러스안티모니나이트라이드(GaPSbN), 인듐알루미늄포스포러스아세나이드(InAlPAs), 인듐알루미늄포스포러스나이트라이드(InAlPN), 인듐포스포러스아세나이드나이트라이드(InPAsN), 인듐알루미늄안티모니나이트라이드(InAlSbN), 인듐포스포러스안티모니나이트라이드(InPSbN), 인듐아세나이드안티모니나이트라이드(InAsSbN) 및 인듐알루미늄포스포러스안티모니(InAlPSb)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 리간드가 치환된 양자점을 수득하는 방법
6 6
제3항에 있어서, 상기 ‘14족-16족계 화합물’은 틴옥사이드(SnO), 틴설파이드(SnS), 틴셀레나이드(SnSe), 틴텔레나이드(SnTe), 리드설파이드(PbS), 리드셀레나이드(PbSe), 리드텔레나이드(PbTe), 저마늄옥사이드(GeO), 저마늄설파이드(GeS), 저마늄셀레나이드(GeSe), 저마늄텔레나이드(GeTe), 틴셀레늄설파이드(SnSeS), 틴셀레늄텔레나이드(SnSeTe), 틴설파이드텔레나이드(SnSTe), 리드셀레늄설파이드(PbSeS), 리드셀레늄텔레나이드(PbSeTe), 리드설파이드텔레나이드(PbSTe), 틴리드설파이드(SnPbS), 틴리드셀레나이드(SnPbSe), 틴리드텔레나이드(SnPbTe), 틴옥사이드설파이드(SnOS), 틴옥사이드셀레나이드(SnOSe), 틴옥사이드텔레나이드(SnOTe), 저마늄옥사이드설파이드(GeOS), 저마늄옥사이드셀레나이드(GeOSe), 저마늄옥사이드텔레나이드(GeOTe), 틴리드설파이드셀레나이드(SnPbSSe), 틴리드셀레늄텔레나이드(SnPbSeTe) 및 틴리드설파이드텔레나이드(SnPbSTe)으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 리간드가 치환된 양자점을 수득하는 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 X는 양자점과 리간드를 부착시키는 역할을 하고, 상기 Y는 리간드가 유기용매 내에 분산이 용이하게 하는 역할을 하며, 상기 Z는 원하는 특성을 가진 작용기 역할을 하는 것을 특징으로 하는 리간드가 치환된 양자점을 수득하는 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 양자점과 리간드를 부착시키는 역할을 하는 X는 amine기, phosphine기, phosphide기, acid기, thiol기 및 dithiol기로 이루어 군에서 선택된 군에서 선택된 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 리간드가 치환된 양자점을 수득하는 방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 리간드가 유기용매 내에 분산이 용이하게 하는 역할을 하는 Y는 소수성 용매 내의 분산을 위해서는 단일 결합 탄소 체인이 사용되고, 친수성 용매 내의 분산을 위해서는 결합고리를 포함하고, 극성을 갖는 탄소 체인이 사용되는 것을 특징으로 하는 리간드가 치환된 양자점을 수득하는 방법
10 10
제1항 내지 제9항의 방법 중 선택된 어느 하나의 방법으로 합성된 리간드가 치환된 양자점
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.