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급속가열법을 이용한 결정질 루브렌 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015119513
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 급속가열법을 이용한 결정질 루브렌 박막의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 비정질 루브렌 박막을 급속가열하여 제조하는 것을 특징으로 하는 결정질 루브렌 박막의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 급속가열법을 이용한 결정질 루브렌 박막의 제조방법은 종래의 고품질 결정질 필름으로 제조가 어려웠던 루브렌(rubrene)을 급속가열하는 간단한 공정만으로 고성능 박막 트랜지스터(TFT) 특성을 보이는 결정질 필름으로 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에 따라 제조되는 루브렌 박막은 매우 높은 전하 이동도를 나타냄으로써 박막 트랜지스터(TFT)의 제조에 적용되어 고성능 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.
Int. CL C07C 15/62 (2006.01) H01B 1/12 (2006.01) C30B 29/54 (2006.01) H01L 51/30 (2006.01)
CPC C07C 15/62(2013.01) C07C 15/62(2013.01) C07C 15/62(2013.01) C07C 15/62(2013.01) C07C 15/62(2013.01) C07C 15/62(2013.01)
출원번호/일자 1020110004487 (2011.01.17)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1255648-0000 (2013.04.10)
공개번호/일자 10-2012-0083057 (2012.07.25) 문서열기
공고번호/일자 (20130416) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.17)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조성오 대한민국 대전광역시 유성구
2 이혁무 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0036484-23
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.02.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0022423-75
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0561150-41
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.10.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0893458-04
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-0893456-13
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
8 등록결정서
Decision to grant
2013.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0178278-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비정질 루브렌 박막을 150 내지 250 ℃의 온도로 30초 내지 2분동안 급속가열하여 제조하는 것을 특징으로 하는 결정질 루브렌 박막의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 급속가열은 예열된 플레이트 또는 가열로에 비정질 루브렌 박막을 노출시키거나 비정질 루브렌 박막을 직접 가열시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 결정질 루브렌 박막의 제조방법
4 4
제1항의 제조방법에 따라 비정질 루브렌 박막을 150 내지 250 ℃의 온도로 30초 내지 2분동안 급속가열하여 제조되는 결정질 루브렌 박막
5 5
제4항에 있어서, 상기 결정질 루브렌 박막은 10 내지 50 nm의 두께인 것을 특징으로 하는 결정질 루브렌 박막
6 6
제4항에 있어서, 상기 결정질 루브렌 박막은 유기박막트랜지스터의 활성층으로 이용되는 것을 특징으로 하는 결정질 루브렌 박막
7 7
기판/활성층/소스(source) 및 드레인(drain) 금속전극이 순차적으로 적층된 유기박막트랜지스터를 포함하고, 상기 활성층은 제4항의 결정질 루브렌 박막인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국과학기술원 방사선기술개발사업 전자빔 조사를 이용한 에너지 및 환경용 반도체물질 제조기술 개발