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고분자투명도전성필름제조방법

  • 기술번호 : KST2015119743
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL C08J 7/04 (2006.01) C08J 5/18 (2006.01)
CPC C23C 16/407(2013.01) C23C 16/407(2013.01) C23C 16/407(2013.01)
출원번호/일자 1019900004043 (1990.03.26)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0065473-0000 (1993.09.13)
공개번호/일자 10-1991-0016830 (1991.11.05) 문서열기
공고번호/일자 1019930005825 (19930625) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1990.03.26)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김정엽 대한민국 서울특별시강남구
2 양성식 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 문기상 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로 *** (삼성동, 우창빌딩)(문앤문국제특허법률사무소)
2 조기호 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호 코디특허법률사무소 (역삼동, 한빛빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 의견서
Written Opinion		 0000.00.00 수리 (Accepted) 1-1-1990-0024540-17
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1990.03.26 수리 (Accepted) 1-1-1990-0024543-54
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1990.03.26 수리 (Accepted) 1-1-1990-0024541-63
4 특허출원서
Patent Application		 1990.03.26 수리 (Accepted) 1-1-1990-0024539-71
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1990.03.26 수리 (Accepted) 1-1-1990-0024542-19
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1993.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0012405-29
7 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1993.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0012406-75
8 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1993.06.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0012408-66
9 등록사정서
Decision to grant		 1993.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1990-0012411-04
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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PET 또는 나이론 6 필름 표면에 산화인디움과 산화주석으로 된 타겟을 사용하여 25℃, 15×10-2Torr에서 저온 스파터링법에 의하여 증착시켜 고분자 투명도전성 필름을 제조함에 있어서, 타겟으로 산화인디움 100중량부에 대하여 산화주석 5~50중량부와 은 0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.