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반도체 나노입자를 포함하는 필름, 입자 및 이들의 용도

  • 기술번호 : KST2015123081
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 나노입자를 포함하는 고분자 필름, 고분자 입자 및 이들의 용도에 관한 것으로, 보다 상세하게, 본 발명은 소수성 또는 친수성으로 표면 개질된 반도체 나노입자와 임의적으로 생체적합성 고분자를 포함하는 고분자 필름, 고분자 입자, 및 이를 이용하여 코팅된 세포 배양용 플레이트; 상기 고분자 필름 또는 고분자 입자를 포함하는 세포 표면 또는 내부로의 반도체 나노입자의 전달이 용이한 세포 배양용 기질 또는 세포 배양용 플레이트 및 이를 이용하는 세포내로의 반도체 나노입자 전달 방법; 및 상기 고분자 필름 또는 고분자 입자를 포함하는 생체 조직으로의 반도체 나노 입자의 전달이 용이한 이식물(implant)에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82Y 30/00 (2011.01) C08J 5/18 (2011.01) C08K 3/10 (2011.01)
CPC C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01) C08J 5/18(2013.01)
출원번호/일자 1020060102327 (2006.10.20)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0838157-0000 (2008.06.09)
공개번호/일자 10-2007-0043665 (2007.04.25) 문서열기
공고번호/일자 (20080613) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050099065   |   2005.10.20
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.10.20)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정혜선 대한민국 서울 양천구
2 우경자 대한민국 서울특별시 노원구
3 권익찬 대한민국 서울특별시 노원구
4 이지숙 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0758682-39
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.04.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.05.11 수리 (Accepted) 9-1-2007-0030634-72
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0466940-80
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0760015-44
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0760017-35
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0109342-03
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0302230-79
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.04.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0302232-60
10 등록결정서
Decision to grant		 2008.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0300318-98
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
코어/쉘 구조의 반도체 나노입자를 포함하는 고분자 필름으로, 상기 반도체 나노입자는 표면이 탄소수 4 내지 18개의 탄화수소로 이루어진 군 중에서 선택된 탄화수소로 코팅되어 소수성 표면을 갖는 것인, 고분자 필름
2 2
제1항에 있어서, 상기 반도체 나노 입자는 CdSe, ZnSe, CdTe, PbSe/Te, InAs 및 InSe로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상으로 되어 있고, 지름이 1 내지 5 nm인 코어 부분과, ZnS, CdS, PbS 및 InP로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상으로 코팅된 쉘 부분을 포함하는, 총 지름 약 3 내지 10 nm의 코어/쉘 구조를 갖는 것인 고분자 필름
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 폴리(L-락티드) (PLLA), 폴리 (DL-락티드) (PDLLA), 폴리(글리콜리드) (PGA), 폴리-DL-락티드/글리콜리드 공중합체 (PLGA), 키토산, 알긴산, 히아룰론산, 콜라겐, 헤파린, 덱스트란, 및 폴리(ε-카프로락톤)으로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 생체 적합성 고분자를 추가로 포함하는 고분자 필름
7 7
제6항에 있어서, 상기 반도체 나노입자와 생체적합성 고분자의 함량비가 1:100000 내지 1:10 (반도체 나노입자 중량:생체적합성 고분자 중량)인 고분자 필름
8 8
코어/쉘 구조의 반도체 나노입자를 포함하는 고분자 입자로,상기 반도체 나노입자는 표면이 탄소수 4 내지 18개의 탄화수소로 이루어진 군 중에서 선택된 탄화수소로 코팅되어 소수성 표면을 갖는 것인,고분자 입자
9 9
제8항에 있어서, 상기 반도체 나노 입자는 CdSe, ZnSe, CdTe, PbSe/Te, InAs 및 InSe로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상으로 되어 있고, 지름이 1 내지 5 nm인 코어 부분과, ZnS, CdS, PbS 및 InP로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상으로 코팅된 쉘 부분을 포함하는, 총 지름 약 3 내지 10 nm의 코어/쉘 구조를 갖는 것인 고분자 입자
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
제8항에 있어서, 폴리(L-락티드) (PLLA), 폴리 (DL-락티드) (PDLLA), 폴리(글리콜리드) (PGA), 폴리-DL-락티드/글리콜리드 공중합체 (PLGA), 키토산, 알긴산, 히아룰론산, 콜라겐, 헤파린, 덱스트란, 및 폴리(ε-카프로락톤)으로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 생체 적합성 고분자를 추가로 포함하는 고분자 입자
14 14
제13항에 있어서, 상기 반도체 나노입자와 생체적합성 고분자의 함량비가 1:100000 내지 1:10 (반도체 나노입자 중량:생체적합성 고분자 중량)인 고분자 입자
15 15
세포 배양용 기질로서, 제1항, 제2항, 제6항 및 제7항 중 어느 한 항의 반도체 나노입자를 포함하는 고분자 필름, 제8항, 제9항, 제13항 및 제14항 중 어느 한 항의 반도체 나노입자를 포함하는 고분자 입자 또는 이들 모두를 포함하고, 상기 반도체 나노입자는 표면이 탄소수 4 내지 18개의 탄화수소로 이루어진 군 중에서 선택된 탄화수소로 코팅되어 소수성 표면을 갖는 것이며,배양된 세포 표면 또는 내부로 반도체 나노입자가 효과적으로 전달되는 것을 특징으로 하는, 세포 배양용 기질
16 16
기판에 코어/쉘 구조의 반도체 나노입자가 코팅되어 있는 세포 배양용 플레이트로,상기 반도체 나노입자는 표면이 탄소수 4 내지 18개의 탄화수소로 이루어진 군 중에서 선택된 탄화수소로 코팅되어 소수성 표면을 갖는 것인,세포 배양용 플레이트
17 17
제16항에 있어서, 상기 반도체 나노 입자는 CdSe, ZnSe, CdTe, PbSe/Te, InAs 및 InSe로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상으로 되어 있고, 지름이 1 내지 5 nm인 코어 부분과, ZnS, CdS, PbS 및 InP로로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상으로 코팅된 쉘 부분을 포함하는, 총 지름 약 3 내지 10 nm의 코어/쉘 구조를 갖는 것인 세포 배양용 플레이트
18 18
삭제
19 19
삭제
20 20
삭제
21 21
제15항의 세포 배양용 기질을 사용하여 세포를 배양하여, 배양된 세포의 표면 또는 내부로 상기 반도체 나노입자를 전달하는 것을 특징으로 하는, 효과적인 반도체 나노입자의 세포 전달 방법
22 22
제1항, 제2항, 제6항 및 제7항 중 어느 한 항의 반도체 나노입자를 포함하는 고분자 필름, 제8항, 제9항, 제13항 및 제14항 중 어느 한 항의 반도체 나노입자를 포함하는 고분자 입자 또는 이들 모두를 포함하고, 상기 반도체 나노입자는 표면이 탄소수 4 내지 18개의 탄화수소로 이루어진 군 중에서 선택된 탄화수소로 코팅되어 소수성 표면을 갖는 것이며,생체 조직 또는 세포로의 효과적인 반도체 나노입자의 전달이 가능한, 생체 이식용 이식물
23 23
삭제
24 24
표면이 탄소수 4 내지 18개의 탄화수소로 이루어진 군 중에서 선택된 탄화수소로 코팅되어 소수성 표면을 갖는 코어/쉘 구조의 반도체 나노입자를 포함하는 고분자 스캐폴드 또는 고분자 파이버
25 25
제24항에 있어서, 상기 반도체 나노 입자는 CdSe, ZnSe, CdTe, PbSe/Te, InAs 및 InSe로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상으로 되어 있고, 지름이 1 내지 5 nm인 코어 부분과, ZnS, CdS, PbS 및 InP로로 이루어진 군 중에서 선택된 한 가지 이상으로 코팅된 쉘 부분을 포함하는, 총 지름 약 3 내지 10 nm의 코어/쉘 구조를 갖는 것인, 고분자 스캐폴드 또는 고분자 파이버
26 26
제25항에 있어서, 폴리(L-락티드) (PLLA), 폴리 (DL-락티드) (PDLLA), 폴리(글리콜리드) (PGA), 폴리-DL-락티드/글리콜리드 공중합체 (PLGA), 키토산, 알긴산, 히아룰론산, 콜라겐, 헤파린, 덱스트란, 및 폴리(ε-카프로락톤)으로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 생체 적합성 고분자를 추가로 포함하는 고분자 스캐폴드 또는 고분자 파이버
27 27
제16항 또는 제17항의 세포 배양용 플레이트를 사용하여 세포를 배양하여, 배양된 세포의 표면 또는 내부로 상기 반도체 나노입자를 전달하는 것을 특징으로 하는, 효과적인 반도체 나노입자의 세포 전달 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.