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적층자기콘덴서

  • 기술번호 : KST2015119836
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저가의 니켈 또는 니켈 합금을 내부전극으로 사용하여 이루어지는 적층 자기 콘덴서에 관한 것이다.본 발명은 티탄산 바륨 유전체 자기의 바륨 이온을 스트론튬 이온으로 치환하는 한편 타타늄 이온을 니켈 이온과 지르코늄 이온으로 치환한 것으로 다음의 조정식으로 표시된다.Ba1-x-SrxTi1-y-zNiyZrzO3-y이때,0≤x≤0.20.005≤y≤0.10≤z≤0.2본 발명의 조성물을 이용한 적층 자기 콘덴서는 저산소분압의 환원분위기 소결후에도 106MΩ·㎝ 이상의 높은 비저항을 유지하며, 2000 이상의 유전상수와 3.0% 이하의 유전특성을 나타낸다.또한, 산화니켈이 유전체 조성물에 첨가되어 있기 때문에 내부 전극인 니켈의 유전체 내로의 확산이 방지되어 적층 자기 콘덴서의 유전특성이 유전체 자기 본래의 유전특성과 달라지는 것을 막을 수 있어 적층 자기 콘덴서의 신뢰성과 생산성 향상의 효과가 있다.
Int. CL H01G 4/12 (2006.01)
CPC H01G 4/1245(2013.01) H01G 4/1245(2013.01) H01G 4/1245(2013.01)
출원번호/일자 1019920015079 (1992.08.21)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0087986-0000 (1995.08.17)
공개번호/일자 10-1994-0004672 (1994.03.15) 문서열기
공고번호/일자 1019950005256 (19950522) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.08.21)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오태성 대한민국 서울특별시성북구
2 김윤호 대한민국 서울특별시노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1992-0082879-07
2 특허출원서
Patent Application		 1992.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1992-0082877-16
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.08.21 수리 (Accepted) 1-1-1992-0082878-51
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1995.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0027054-16
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1995.04.13 수리 (Accepted) 1-1-1992-0082880-43
6 의견서
Written Opinion		 1995.04.13 수리 (Accepted) 1-1-1992-0082881-99
7 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0027055-62
8 등록사정서
Decision to grant		 1995.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0027056-18
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

내부전극으로 니켈 또는 니켈 합금을 사용하여 저산소 분압의 환원분위기에서 소결함으로써 이루어지는 적층 자기 콘덴서를 제조하기 위한 아래의 식으로 표시되는 적층 자기 콘덴서를 내환원성 유전체 조성물 ; Ba1-xSrxTi1-y-zNiyZrzO3-y 이때 0≤x≤0

2 2

아래의 식으로 표시되는 적층 자기 콘덴서용 내환원성 유전체 조성물을 사용하여 제조한 유전체 시이트에 니켈전극 페이스트를 도포한 후 다수매 순차 적층하여 산소분압 10-8MPa 내지 10-8MPa범위의 환원분위기에서 소결하는 것으로 이루어지는 적층 자기 콘덴서의 제조방법 ; Ba1-xSrxTi1-y-zNiyZrzO3-y 이때 0≤x≤0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.