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반복사용이가능한기판을이용한자립다이아몬드막의제조방법

  • 기술번호 : KST2015119838
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다이아몬드막의 합성이 이루어지는 기판의 형상을 제어하여, 기판상에 합성된 다이아몬드막과 기판간에 별도의 분리 공정을 요함 없이 냉각 과정에서 발생하는 수축량의 차이에 의해 기판과 다이아몬드막간의 자발적인 분리가 이루어지도록 하여 기판의 반복 사용이 가능하도록 한다.W, Mo 또는 Ta 등의 고융점 금속이나 그 합금 또는 WC-Co 합금중 선택된 재질오 된 기판(1)에 다이아몬드막 합성시 또는 합성 후 예리한 모서리 부분에서 다이아몬드막 내부의 응력 집중이 발생하여 다이아몬드막의 파괴가 발생하는 것을 방지하기 위해 상면(1a) 외주연부의 모서리(1b)를 원호상 곡면이 되도록 기판의 상면과 측면에 걸쳐 기상 합성법(직류 글로 방전 CVD, 고온 필라멘트 CVD, EA CVD, 마이크로파 CVD, 직류 아크 제트 또는 산소-아세틸렌 토치법)으로 다이아몬드막(2)을 일체로 형성시킨 후, 냉각 과정에서 기판과 다이아몬드막간의 수축량 차이에 의해 기판에 손상을 가하지 않은 상태로 다이아몬드 막을 분리해 냄으로써 간편하게 자립막을 제조하는 한편, 기판의 반복 사용이 가능해 진다.
Int. CL C23C 16/26 (2006.01)
CPC C23C 16/01(2013.01) C23C 16/01(2013.01) C23C 16/01(2013.01)
출원번호/일자 1019930005996 (1993.04.09)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0091577-0000 (1995.11.13)
공개번호/일자 10-1994-0024104 (1994.11.18) 문서열기
공고번호/일자 1019950008924 (19950809) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.04.09)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이욱성 대한민국 서울특별시동작구
2 백영준 대한민국 서울특별시노원구
3 은광용 대한민국 서울특별시송파구
4 유명기 대한민국 서울특별시도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1993-0032954-52
2 특허출원서
Patent Application		 1993.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1993-0032952-61
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.04.09 수리 (Accepted) 1-1-1993-0032953-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1995.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0011730-99
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1995.05.11 수리 (Accepted) 1-1-1993-0032956-43
6 의견서
Written Opinion		 1995.05.11 수리 (Accepted) 1-1-1993-0032955-08
7 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0011731-34
8 등록사정서
Decision to grant		 1995.11.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0011732-80
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

상면 외주연부가 원호상 곡면을 이루는 기판의 상면과 측면에 걸쳐 기상합성방법으로 다이아몬드 막을 일체로 형성시키는 단계와, 기판과 다이아몬드 막이 일체로 된 후 냉각과정에서 기판과 다이아몬드 막간의 수축량 차이에 의해 기판에 손상을 가하지 않은 상태로 다이아몬드 막을 분리해 내어 자립막을 제조하는 단계의 순서로 수행함을 특징으로 하는 반복사용이 가능한 기판을 이용한 자립 다이아몬드 막의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 기판은 두께/직경비가 0

3 3

제2항에 있어서, 상기 기판은 W, Mo 또는 Ta의 고융점 금속이나 그 합금 또는 WC-Co합금의 재질 중 선택된 어느 임의의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반복사용이 가능한 기판을 이용한 자립 다이아몬드 막의 제조방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 다이아몬드 막의 기상합성방법은 직류 글로우 방전 CVD, 고온 필라멘트 CVD, EA CVD, 마이크로 웨이브 CVD, 직류 아크 제트, 또는 산소-아세틸렌 토치법 중 선택된 어느 하나의 방법인 것을 특징으로 하는 반복사용이 가능한 기판을 이용한 자립 다이아몬드 막의 제조방법

5 5

제1항에 있어서, 기판의 측면에 형성되는 다이아몬드 막이 하부로 갈수록 그 두께가 얇아지게 하여 합성 후 기판측면의 하부에 국한하여 다이아몬드 막의 절단이 일어나도록 하는 것을 특징으로 하는 반복사용이 가능한 기판을 이용한 자립 다이아몬드 막의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.