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재료표면의개질방법및이에의해표면개질된재료

  • 기술번호 : KST2015120156
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 진공 상태하에, 반응성 가스를 고분자, 세라믹, ITO 또는 유리 표면에 직접 불어 넣어주면서 에너지를 가진 이온 입자를 고분자, 세라믹, ITO 또는 유리 표면에 조사하여 그표면의 접촉각을 감소시켜 고분자, 세라믹, ITO 또는 유리 표면을 개질하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 표면 개질 방법은 재료 표면의 접촉각을 크게 감소시킴으로서 수성 물감의 번짐 증가, 다른 물질과의 접착력 증가 및 빛의 산란 방지 등을 가져올 수 있어 고분자, 세라믹, ITO 또는 유리의 응용 분야에서 널리 이용될 수 있다.
Int. CL C08J 7/12 (2006.01) C08J 7/00 (2006.01) C03B 29/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019960011994 (1996.04.19)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0316586-0000 (2001.11.22)
공개번호/일자 10-1996-0037742 (1996.11.19) 문서열기
공고번호/일자 (20020228) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1019960002456   |   1996.02.01
대한민국  |   1019950009194   |   1995.04.19
대한민국  |   1019950017514   |   1995.06.26
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.03.31)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 감직상 대한민국 서울특별시 성북구
2 한경섭 대한민국 서울특별시 서초구
3 최원국 대한민국 서울특별시 양천구
4 고석근 대한민국 서울특별시 성북구
5 정형진 대한민국 경기도 부천시 소사구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 우선권주장증명서류제출서
Submission of Priority Certificate		 1996.04.19 수리 (Accepted) 1-1-1996-0049669-45
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.04.19 수리 (Accepted) 1-1-1996-0049670-92
3 특허출원서
Patent Application		 1996.04.19 수리 (Accepted) 1-1-1996-0049668-00
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원심사청구서
Request for Examination		 1999.03.31 수리 (Accepted) 1-1-1999-5136793-60
9 우선심사신청서
Request for Accelerated Examination		 1999.04.13 수리 (Accepted) 1-1-1999-5147036-84
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
11 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2000.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2000-5024422-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
13 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2000.10.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0018532-17
15 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2001.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2001-5089583-69
16 의견서
Written Opinion		 2001.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2001-5118946-10
17 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.04.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-5118953-29
18 등록결정서
Decision to grant		 2001.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0315742-21
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

진공 상태하에, 반응성 가스가 산소, 질소, 수소, 암모니아, 일산화탄소, 및 이들의 혼합 가스 중에서 선택되는 반응성 가스를 고분자 표면에 직접 불어 넣어주면서, 0

2 2

제 1항에 있어서, 반응성 가스의 주입량이 1-8㎖/min인 개질방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 고분자가 폴리카보네이트, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리이미드, 테프론, 폴리비닐리덴플루오라이드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 및 실리콘 러버 중에서 선택되는 개질방법

4 4

제 1항에 있어서, 에너지를 가진 이온 입자가 아르곤, 산소, 공기, 크립톤 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 개질방법

5 5

제 1 항에 있어서, 에너지를 가진 이온 입자의 조사량이 1014-5×1017ions/㎠ 인 개질방법

6 6

제 1 항에 있어서, 에너지를 가진 이온 입자를 고분자 표면에 조사할 때, 진공도에 따라 그 조사 거리가 5×10-3 - 1 × 10-6 torr의 고진공에서는 25 - 55cm이고, 10-6 torr 이상의 초고진공에서는 55cm 이상이며, 5×10-3 torr 이하의 저진공에서는 25cm이하인 개질방법

7 7

진공상태하에, 산소, 질소, 수소, 암모니아, 일산화탄소, 및 이들의 혼합 가스 중에서 선택되는 반응성 가스를 고분자 표면에 직접 불어 넣어주면서 0

8 8

진공 상태하에, 산소, 질소, 수소, 암모니아, 일산화탄소, 및 이들의 혼합 가스 중에서 선택되는 반응성 가스를 세라믹 표면에 직접 불어 넣어주면서, 0

9 9

제 8 항에 있어서, 반응성 가스의 주입량이 1-8㎖/min인 개질방법

10 10

제 8 항에 있어서, 에너지를 가진 이온 입자가 아르곤, 산소, 공기, 크립톤 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 개질방법

11 11

제 8 항에 있어서, 에너지를 가진 이온 입자의 조사량이 1014 - 5×1017ions/㎠ 인 개질방법

12 12

진공 상태하에, 산소, 질소, 수소, 암모니아, 일산화탄소, 및 이들의 혼합 가스 중에서 선택되는 반응성 가스를 ITO 또는 유리 표면에 직접 불어 넣어주면서, 0

13 13

제 12 항에 있어서, 반응성 가스의 주입량이 1-8㎖/min인 개질방법

14 14

제 12 항에 있어서, 에너지를 가진 이온 입자가 아르곤, 산소, 종기, 크립톤 및 이들의 혼합물 중에서 선택되는 개질방법

15 15

제 12 항에 있어서, 에너지를 가진 이온 입자의 조사량이 1014 - 5×1017ions/㎠인 개질방법

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순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP00822995 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP00822995 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP03124508 JP 일본 FAMILY
4 JP03213005 JP 일본 FAMILY
5 JP10101459 JP 일본 FAMILY
6 JP11501696 JP 일본 FAMILY
7 KR100288500 KR 대한민국 FAMILY
8 KR100324619 KR 대한민국 FAMILY
9 US05783641 US 미국 FAMILY
10 US05965629 US 미국 FAMILY
11 US06162512 US 미국 FAMILY
12 US06162513 US 미국 FAMILY
13 US06300641 US 미국 FAMILY
14 WO1996033293 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 AU4956996 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
2 AU4956996 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
3 BR9608228 BR 브라질 DOCDBFAMILY
4 CN1107124 CN 중국 DOCDBFAMILY
5 CN1181787 CN 중국 DOCDBFAMILY
6 DE69617221 DE 독일 DOCDBFAMILY
7 DE69617221 DE 독일 DOCDBFAMILY
8 EP0822995 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
9 EP0822995 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
10 ES2164873 ES 스페인 DOCDBFAMILY
11 JP10101459 JP 일본 DOCDBFAMILY
12 JP11501696 JP 일본 DOCDBFAMILY
13 JP3124508 JP 일본 DOCDBFAMILY
14 JP3213005 JP 일본 DOCDBFAMILY
15 JPH10101459 JP 일본 DOCDBFAMILY
16 JPH11501696 JP 일본 DOCDBFAMILY
17 KR100288500 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
18 KR100324619 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
19 KR960039134 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
20 KR960039135 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
21 US5783641 US 미국 DOCDBFAMILY
22 US5965629 US 미국 DOCDBFAMILY
23 US6162512 US 미국 DOCDBFAMILY
24 US6300641 US 미국 DOCDBFAMILY
25 WO9633293 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
26 WO9633293 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.