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마이크로파 유전체 세라믹의 저온 소결방법

  • 기술번호 : KST2015120172
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 우수한 마이크로파 유전특성을 가지며 소결온도가 1500℃ 이상인 Ba[(Ni0.6Zn0.4)0.33Nb0.67]O3 유전체 세라믹 조성물에 있어서, 높은 소결온도의 단점을 개선하기 위한 소결방법에 관한 것이다. 상기 유전체 세라믹 조성물은 우수한 마이크로파 유전특성을 가지고 있으나 소결온도가 높은 것이 단점이다. 본 발명에서는 상기 유전체 세라믹 조성물에 산화 안티몬(Sb2O5)과 산화 붕소(B2O3)로 구성된 첨가제를 첨가함으로써 소결온도를 기존의 소결온도(1500℃)보다 최대 300℃까지 낮출 수 있는 새롭고도 진보된 마이크로파 유전체 세라믹의 저온 소결방법에 관한 것이다.
Int. CL C04B 35/58 (2006.01)
CPC C04B 35/495(2013.01) C04B 35/495(2013.01) C04B 35/495(2013.01) C04B 35/495(2013.01) C04B 35/495(2013.01) C04B 35/495(2013.01)
출원번호/일자 1019960071322 (1996.12.24)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0178329-0000 (1998.11.21)
공개번호/일자 10-1998-0052342 (1998.09.25) 문서열기
공고번호/일자 (19990320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.24)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김윤호 대한민국 서울특별시 노원구
2 홍국선 대한민국 서울특별시 성동구
3 조서용 대한민국 서울특별시 용산구
4 장영일 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1996.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1996-0235581-90
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1996-0235583-81
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1996-0235582-35
4 등록사정서
Decision to grant		 1998.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1996-0430685-07
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

Ba[(Ni0

2 2

제1항에 있어서, 산화 안티몬(Sb2O5)을 0

3 3

제1항에서 있어서, 산화 붕소(B2O3)를 0

4 4

제1항에 있어서, 산화 붕소(B2O3) 0

5 5

제1항에 있어서, 1,200 ~ 1,350℃에서 소결하는 것을 특징으로 하는 Ba[(Ni0

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.