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1) 세라믹입자상과 기지상을 포함하는 혼합조성물을 성형 및 소결하여 세라믹체를 얻는 단계;
2) 상기 세라믹체 표면 중의 기지상을 제거하여 불규칙한 미세 요철을 갖는 표면층을 형성하는 단계; 및
3) 상기 요철이 형성된 세라믹체 표면 상에 다이아몬드막을 코팅하는 단계를 포함하는, 다이아몬드막-코팅 세라믹체의 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 기지상은 세라믹입자상보다 화학적 부식속도나 기계적 마멸속도가 더 큰 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서,
상기 단계 2)는, 상기 세라믹체 표면에 화학적 식각과 기계적 식각 중 하나 이상을 실시하여 기지상을 제거하는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서,
상기 단계 2)는, 상기 세라믹체 표면에 산 또는 염기를 이용한 화학식각법, 플라즈마 기체를 이용한 건식식각법 및 샌드블래스트(sand blast) 중 하나 이상을 실시하여 기지상을 제거하는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서,
상기 세라믹입자상은 탄화규소와 질화규소 중 하나 이상의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서,
상기 기지상은 Si, SiO2, 금속 및 유리 중 하나 이상의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
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7
제1항에 있어서,
상기 혼합조성물 중의 세라믹입자상의 중량비율이 50 % 이상인 것을 특징으로 하는 방법
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제1항에 있어서,
상기 세라믹입자상은 세라믹체 내에서 서로 결합을 이룬 골격(skelecton)을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법
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9
제1항에 있어서,
상기 단계 2)에서 형성된 불규칙한 미세 요철을 갖는 표면층의 조도가 1 내지 50 ㎛인 것을 특징으로 하는 방법
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10
제1항에 있어서,
상기 단계 3)에서, 요철이 형성된 세라믹체 표면 상에 다이아몬드막을 5 내지 900 ㎛의 두께로 코팅하는 것을 특징으로 하는 방법
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11
제1항에 있어서,
상기 세라믹체는, 반응소결 탄화규소(RBSC, reaction bonded silicon carbide) 또는 반응소결 질화규소(RBSN, reaction bonded silicon nitride)인 것을 특징으로 하는 방법
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12
제11항에 있어서,
상기 단계 2)는, 세라믹체 표면에 강염기를 이용한 화학식각법, Si와 화학반응이 가능한 성분을 함유한 플라즈마 기체를 이용한 건식식각법 또는 샌드블래스트를 실시하여 Si를 제거하는 것을 특징으로 하는 방법
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제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따르는 방법에 의해 제조된 다이아몬드막-코팅 세라믹체
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