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고유전율온도안정형적층세라믹캐패시터및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015120385
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 높은 유전율을 가지면서도 정전용량의 온도계수가 작은 적층 세라믹 캐패시터 (이하 'MLC') 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 특히 (1-x)PMN-xPT, x = 0∼0.25를 조합으로 하는 것을 주 조성으로 하고 첨가제로서 NiO, CuO 및 ZnO가 각각 0∼0.05 mole로 구성되며, 이들 조성이 각각 한 개의 MLC의 내부에 서로 다른 층을 이루며 적층되어서 종전의 고유전율 MLC에 비해 더욱 우수한 고유전율 온도안정성 MLC를 제공한다.
Int. CL H01G 4/30 (2006.01)
CPC H01G 4/1227(2013.01) H01G 4/1227(2013.01) H01G 4/1227(2013.01)
출원번호/일자 1019980030345 (1998.07.28)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0286254-0000 (2001.01.11)
공개번호/일자 10-2000-0009736 (2000.02.15) 문서열기
공고번호/일자 (20010416) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.07.28)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김효태 대한민국 서울특별시 성북구
2 김성호 대한민국 경기도 의정부시
3 노영호 대한민국 대전광역시 서구
4 김인태 대한민국 경기도 성남시 분당구
5 김윤호 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1998-0093256-48
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1998.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1998-0093257-94
3 특허출원서
Patent Application		 1998.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1998-0093255-03
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0145354-97
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.08.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5256462-82
12 의견서
Written Opinion		 2000.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2000-5256451-80
13 등록사정서
Decision to grant		 2000.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0335451-74
14 FD제출서
FD Submission		 2001.01.29 수리 (Accepted) 2-1-2001-5013372-18
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

다음 식 (1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 - xPbTiO3 (x = 0 ∼ 0

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 각기 다른 Tεmax를 갖는 유전체 조성층의 층수가 2 이상인 것을 특징으로 하는 이종 조성층을 갖는 적층 세라믹 캐패시터

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 복수층으로 적층된 유전체 조성층은, 상기 유전체 조성물 중 비교적 저온의 제 1 Tεmax을 갖는 제 1 유전체 조성층과, 상기 제 1 Tεmax에 비해 높은 온도의 제 2 Tεmax을 갖는 제 2 유전체 조성층과, 상기 제 1 및 제 2 Tεmax 사이 온도의 제 3 Tεmax를 갖는 제 3 유전체 조성층이 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는 이종 조성층을 갖는 적층 세라믹 캐패시터

4 4

제 3 항에 있어서, 상기 제 1 Tεmax는 상온 범위 미만의 온도이고, 상기 제 2 Tεmax는 상온 범위 초과하는 온도이며, 상기 제 3 Tεmax는 상온 범위의 온도인 것을 특징으로 하는 이종 조성층을 갖는 적층 세라믹 캐패시터

5 5

제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수층으로 적층된 유전체 조성층은, 각기 서로 다른 두께로 적층된 것을 특징으로 하는 이종 조성층을 갖는 적층 세라믹 캐패시터

6 6

쿨롬바이트 프리커서(columbite precursor)법을 사용하여 MgNb2O6를 하소, 합성하고, 얻어진 MgNb2O6와 과잉 PbO를 혼합, 하소하여 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3를 합성하고, PbO와 TiO2를 혼합, 하소하여 PbTiO3를 합성하고, 상기 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3와 PbTiO3로부터 (1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 - xPbTiO3 (x = 0 ∼ 0

7 7

제 6 항에 있어서, 상기 유전체 조성층의 층수 또는 층 두께가 증감될 수 있도록 적층하는 것을 특징으로 하는 이종 조성층을 갖는 적층 세라믹 캐패시터 제조방법

8 8

제 7 항에 있어서, 상기 유전체 조성층 중 비교적 저온의 제 1 Tεmax을 갖는 제 1 유전체 조성층과, 상기 제 1 Tεmax에 비해 높은 온도의 제 2 Tεmax을 갖는 제 2 유전체 조성층과, 상기 제 1 및 제 2 Tεmax 사이 온도의 제 3 Tεmax를 갖는 제 3 유전체 조성층을 순차적으로 적층하는 것을 특징으로 하는 이종 조성층을 갖는 적층 세라믹 캐패시터의 제조방법

9 9

제 8 항에 있어서, 상기 제 1 Tεmax는 상온 범위 미만의 온도이고, 상기 제 2 Tεmax는 상온 범위 초과하는 온도이며, 상기 제 3 Tεmax는 상온 범위의 온도인 것을 특징으로 하는 이종 조성층을 갖는 적층 세라믹 캐패시터의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.