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(a) 진공조 내의 시료대 위에 피처리 고분자 재료를 위치시키는 단계, (b) 진공조 내에 상기 재료의 표면에 화학적 활성 라디칼을 형성할 수 있는 비활성 기체의 플라즈마 이온을 형성하는 단계, (c) 상기 재료에 음전압 펄스를 가하여 상기 비활성 기체의 플라즈마 이온을 상기 재료의 표면에 주입시키는 단계, (d) 진공조 내에 상기 재료의 표면에 친수성 또는 소수성 작용기를 형성할 수 있는 반응성 기체의 플라즈마 이온을 형성하는 단계, 및 (e) 상기 비활성 기체의 플라즈마 이온을 주입시킨 재료에 음전압 펄스를 가하여 상기 반응성 기체의 플라즈마 이온을 상기 재료의 표면에 주입시키는 단계를 포함하는, 비활성 기체 및 반응성 기체의 플라즈마 이온 주입에 의한 고분자 재료의 표면 처리 방법
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제1항에 있어서, 반응성 기체가 산소, 질소, 이산화탄소, 일산화탄소, 암모니아, 수소, 수증기, 메탄 및 사불화탄소로 이루어진 군 중에서 선택되는 것인 방법
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(a) 진공조 내의 시료대 위에 피처리 고분자 재료를 위치시키는 단계, (b) 진공조 내에 상기 재료의 표면에 친수성 또는 소수성 작용기를 형성할 수 있는 반응성 기체의 플라즈마 이온을 형성하는 단계, (c) 상기 재료에 음전압 펄스를 가하여 상기 반응성 기체의 플라즈마 이온을 상기 재료의 표면에 주입시키는 단계, (d) 진공조 내에 상기 재료의 표면에 화학적 활성 라디칼을 형성할 수 있는 비활성 기체의 플라즈마 이온을 형성하는 단계, 및 (e) 상기 반응성 기체의 플라즈마 이온을 주입시킨 재료에 음전압 펄스를 가하여 상기 비활성 기체의 플라즈마 이온을 상기 재료의 표면에 주입시키는 단계를 포함하는, 반응성 기체 및 비활성 기체의 플라즈마 이온 주입에 의한 고분자 재료의 표면 처리 방법
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(a) 진공조 내에 위치한 시료대 위에 피처리 고분자 재료를 위치시키는 단계, (b) 진공조 내에 상기 재료의 표면에 화학적 활성 라디칼을 형성할 수 있는 비활성 기체와 상기 재료의 표면에 친수성 또는 소수성 작용기를 형성할 수 있는 반응성 기체의 혼합 기체의 플라즈마 이온을 형성하는 단계, (c) 상기 재료에 음전압 펄스를 가하여 상기 비활성 기체와 반응성 기체의 혼합 기체의 플라즈마 이온을 상기 재료의 표면에 주입시키는 단계를 포함하는, 비활성 기체와 반응성 기체의 혼합 기체의 플라즈마 이온 주입에 의한 고분자 재료의 표면 처리 방법
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제5항에 있어서, 상기 혼합 기체는 헬륨, 아르곤, 네온, 크립톤 및 크세논 으로 이루어진 군 중에서 선택된 비활성 기체와, 산소, 질소, 일산화탄소, 이산화탄소, 암모니아, 수소, 수증기, 메탄 및 사불화탄소로 이루어진 군 중에서 선택된 반응성 기체가 각각 90:10, 80:20, 70:30, 60:40, 50:50, 40:60, 30:70, 20:80 또는 10:90의 혼합비로 혼합된 기체인 처리 방법
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