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비활성기체와반응성기체를조합한고분자표면처리방법

  • 기술번호 : KST2015120444
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고분자 재료의 표면에 반응성 기체의 플라즈마 이온을 주입하기 전 또는 주입한 후에 비활성 기체의 플라즈마 이온을 주입시키거나, 또는 반응성 기체와 비활성 기체의 혼합 기체의 플라즈마 이온을 주입하는 플라즈마 이온 주입에 의한 고분자 재료의 표면 처리 방법이 제공된다.본 발명의 방법에 따라 고분자 재료의 표면을 처리하면, 비활성 기체의 플라즈마 이온에 의해 고분자 재료의 표면에 다수의 라디칼이 형성되고, 이 라디칼에 의해 고분자 사슬들이 가교 반응을 하여 사슬과 사슬간에 결합을 형성함으로써 고분자 사슬들이 서로 고정되기 때문에, 반응성 기체의 이온 플라즈마에 의해 생성되는 여러 친수성 또는 소수성 작용기를 안정하게 유지할 수 있어, 시간에 따른 에이징 측면에서 우수한 효과를 나타낸다.
Int. CL C08J 9/00 (2006.01)
CPC C08J 7/123(2013.01) C08J 7/123(2013.01) C08J 7/123(2013.01)
출원번호/일자 1019980054636 (1998.12.12)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0308747-0000 (2001.08.31)
공개번호/일자 10-2000-0039319 (2000.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20011102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.12.12)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이연희 대한민국 서울특별시 성북구
2 한승희 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination
1998.12.12 수리 (Accepted) 1-1-1998-0422795-64
2 특허출원서
Patent Application
1998.12.12 수리 (Accepted) 1-1-1998-0454999-65
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1998.12.12 수리 (Accepted) 1-1-1998-0422794-18
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2000.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0246998-60
11 의견서
Written Opinion
2000.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2000-5371310-71
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2000.11.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5371311-16
13 등록결정서
Decision to grant
2001.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0217447-91
14 FD제출서
FD Submission
2001.08.30 수리 (Accepted) 2-1-2001-5144735-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1

(a) 진공조 내의 시료대 위에 피처리 고분자 재료를 위치시키는 단계,

(b) 진공조 내에 상기 재료의 표면에 화학적 활성 라디칼을 형성할 수 있는 비활성 기체의 플라즈마 이온을 형성하는 단계,

(c) 상기 재료에 음전압 펄스를 가하여 상기 비활성 기체의 플라즈마 이온을 상기 재료의 표면에 주입시키는 단계,

(d) 진공조 내에 상기 재료의 표면에 친수성 또는 소수성 작용기를 형성할 수 있는 반응성 기체의 플라즈마 이온을 형성하는 단계, 및

(e) 상기 비활성 기체의 플라즈마 이온을 주입시킨 재료에 음전압 펄스를 가하여 상기 반응성 기체의 플라즈마 이온을 상기 재료의 표면에 주입시키는 단계를 포함하는, 비활성 기체 및 반응성 기체의 플라즈마 이온 주입에 의한 고분자 재료의 표면 처리 방법

2 2

제1항에 있어서, 비활성 기체가 헬륨, 네온, 아르곤, 크립톤 및 크세논으로 이루어진 군 중에서 선택되는 것인 방법

3 3

제1항에 있어서, 반응성 기체가 산소, 질소, 이산화탄소, 일산화탄소, 암모니아, 수소, 수증기, 메탄 및 사불화탄소로 이루어진 군 중에서 선택되는 것인 방법

4 4

(a) 진공조 내의 시료대 위에 피처리 고분자 재료를 위치시키는 단계,

(b) 진공조 내에 상기 재료의 표면에 친수성 또는 소수성 작용기를 형성할 수 있는 반응성 기체의 플라즈마 이온을 형성하는 단계,

(c) 상기 재료에 음전압 펄스를 가하여 상기 반응성 기체의 플라즈마 이온을 상기 재료의 표면에 주입시키는 단계,

(d) 진공조 내에 상기 재료의 표면에 화학적 활성 라디칼을 형성할 수 있는 비활성 기체의 플라즈마 이온을 형성하는 단계, 및

(e) 상기 반응성 기체의 플라즈마 이온을 주입시킨 재료에 음전압 펄스를 가하여 상기 비활성 기체의 플라즈마 이온을 상기 재료의 표면에 주입시키는 단계를 포함하는, 반응성 기체 및 비활성 기체의 플라즈마 이온 주입에 의한 고분자 재료의 표면 처리 방법

5 5

(a) 진공조 내에 위치한 시료대 위에 피처리 고분자 재료를 위치시키는 단계,

(b) 진공조 내에 상기 재료의 표면에 화학적 활성 라디칼을 형성할 수 있는 비활성 기체와 상기 재료의 표면에 친수성 또는 소수성 작용기를 형성할 수 있는 반응성 기체의 혼합 기체의 플라즈마 이온을 형성하는 단계,

(c) 상기 재료에 음전압 펄스를 가하여 상기 비활성 기체와 반응성 기체의 혼합 기체의 플라즈마 이온을 상기 재료의 표면에 주입시키는 단계를 포함하는, 비활성 기체와 반응성 기체의 혼합 기체의 플라즈마 이온 주입에 의한 고분자 재료의 표면 처리 방법

6 6

제5항에 있어서, 상기 혼합 기체는 헬륨, 아르곤, 네온, 크립톤 및 크세논 으로 이루어진 군 중에서 선택된 비활성 기체와, 산소, 질소, 일산화탄소, 이산화탄소, 암모니아, 수소, 수증기, 메탄 및 사불화탄소로 이루어진 군 중에서 선택된 반응성 기체가 각각 90:10, 80:20, 70:30, 60:40, 50:50, 40:60, 30:70, 20:80 또는 10:90의 혼합비로 혼합된 기체인 처리 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.