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다공성 표면층을 가지는 나피온 막 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015122247
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 표면층 및 상기 표면층의 하부에 존재하는 하부 층으로 이루어지는 나피온 막으로서, 상기 표면층은 다공성 층이고, 상기 하부층은 기공이 없는 조밀한 층인 다공성 표면층을 가지는 나피온 막 및 이를 용매 증발법으로 제조하는 제조 방법이 제공된다.
Int. CL C08L 27/12 (2006.01) C08J 9/00 (2006.01) H01M 8/02 (2006.01) C08J 5/22 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120059231 (2012.06.01)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1358940-0000 (2014.01.28)
공개번호/일자 10-2013-0135558 (2013.12.11) 문서열기
공고번호/일자 (20140206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.01)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 헨켄스마이어 디억 독일 서울 성북구
2 당 쿠옥 칸 베트남 서울 성북구
3 윤창원 대한민국 서울특별시 용산구
4 조은애 대한민국 서울 성북구
5 남석우 대한민국 서울 동대문구
6 임태훈 대한민국 서울 송파구
7 김형준 대한민국 경기 수원시 영통구
8 장종현 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2012-0441180-83
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.02.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.03.15 수리 (Accepted) 9-1-2013-0019630-83
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0715439-98
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1160102-32
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-1160101-97
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0058633-06
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면층 및 상기 표면층의 하부에 존재하는 하부 층으로 이루어지는 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막으로서, 상기 표면층은 다공성 층이고, 상기 하부층은 기공이 없는 조밀한 층이며,상기 표면층의 다공성 층은 비용매를 사용하는 용매 증발법에 의하여 제조되는 것을 특징으로 하는 다공성 표면층을 가지는 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막
2 2
제 1 항에 있어서,상기 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막의 다공성 표면층; 또는 다공성 표면층 및 하부층;에 촉매층이 더 형성되는 것을 특징으로 다공성 표면층을 가지는 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막
3 3
표면층 및 상기 표면층의 하부에 존재하는 하부 층으로 이루어지는 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막으로서, 상기 표면층은 다공성 층이고, 상기 하부층은 기공이 없는 조밀한 층이며,상기 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막은 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막의 양측 표면에 다공층이 형성되는 것을 특징으로 하는 다공성 표면층을 가지는 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막
4 4
표면층 및 상기 표면층의 하부에 존재하는 하부 층으로 이루어지는 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막으로서, 상기 표면층은 다공성 층이고, 상기 하부층은 기공이 없는 조밀한 층이며,상기 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막의 표면층에 이온 전도성 고분자 막이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 다공성 표면층을 가지는 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막
5 5
제 4 항에 있어서,상기 이온 전도성 고분자 막은, 상기 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막의 술폰화 테트라플루오르에틸렌과 이온 교환 용량이 다른 제 2 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막, 술폰화하이드로카본계 고분자 막 또는 음이온 전도성 고분자 막인 것을 특징으로 하는 다공성 표면층을 가지는 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막
6 6
표면층 및 상기 표면층의 하부에 존재하는 하부 층으로 이루어지는 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막으로서, 상기 표면층은 다공성 층이고, 상기 하부층은 기공이 없는 조밀한 층이며,상기 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막 2개가 적층된 구조를 가지되, 조밀한 하부 층이 서로 마주보도록 적층되는 것을 특징으로 하는 다공성 표면층을 가지는 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막
7 7
제 1 항에 있어서,상기 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막은 연료전지, 센서, 전해조, 가스 분리막 또는 가습기에 사용되는 것을 특징으로 하는 다공성 표면층을 가지는 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막
8 8
용매 증발 법을 이용하여 다공성 표면층을 가지는 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막을 제조하는 방법으로서, 술폰화 테트라플루오르에틸렌 및 용매로 이루어지는 술폰화 테트라플루오르에틸렌 분산액에 비용매를 첨가하여 캐스팅 용액을 제조하는 단계; 상기 캐스팅 용액을 기판에 도포하는 단계; 및용매를 증발시키는 단계를 포함하는, 다공성 표면층을 가지는 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막을 제조하는 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 용매는 비용매보다 끓는점이 낮은 것을 특징으로 하는 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 비용매는 오쏘-디클로로벤젠(o-dichlorobenzene), 메타-디클로로벤젠(m-dichlorobenzene), 파라-디클로로벤젠(p-dichlorobenzene), 나프탈렌, 또는 알파-나프톨인 것을 특징으로 하는 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 비용매는 오쏘-디클로로벤젠이고, 나피온 분산액 1ml에 대하여 140mg 내지 280mg 으로 함유되는 것이고, 상기 나피온 분산액은 20wt% 나피온 및 80wt% 용매로 이루어지고, 상기 용매는 20wt% 물 및 80wt% 알코올로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법
12 12
제 8 항에 있어서,술폰화 테트라플루오르에틸렌 막의 다공성 표면층; 또는 다공성 표면층 및 하부층;에 촉매층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 방법
13 13
제 8 항에 있어서,술폰화 테트라플루오르에틸렌 막의 양측 표면에 다공층을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법
14 14
제 8 항에 있어서,술폰화 테트라플루오르에틸렌 막의 표면층에 이온 전도성 고분자 막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 방법
15 15
제 14 항에 있어서,상기 이온 전도성 고분자 막은, 상기 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막의 술폰화 테트라플루오르에틸렌과 이온 교환 용량이 다른 제 2 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막, 술폰화하이드로카본계 고분자 막 또는 음이온 전도성 고분자 막인 것을 특징으로 하는 방법
16 16
제 8 항 또는 제 12 항에 있어서,상기 제조된 술폰화 테트라플루오르에틸렌 막 2개를 적층하되, 조밀한 하부 층이 마주보도록 적층하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09522427 US 미국 FAMILY
2 US20130323496 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013323496 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9522427 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.