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플라즈마를 이용한 냉동 공조용 금속 재료 표면상의고분자 중합막 합성방법

  • 기술번호 : KST2015120576
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따르면, (a) 챔버 내에 표면 처리되는 금속인 양극과, 음극을 위치시키고; (b) 상기 챔버 내의 압력을 소정 진공 상태로 유지하고; (c) 소정 압력의 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 및 중합 불능 가스를 전체 반응 가스에 대하여 상기 중합 불능 가스의 비율을 50 - 90%가 되도록 상기 챔버 내로 도입하고; (d) 상기 전극에 전압을 인가하여 DC 방전에 의해, 상기 챔버내에 도입된 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 및 상기 중합 불능 가스로부터 양(+) 및 음(-) 이온과 라디칼로 이루어지는 플라즈마를 얻고, 플라즈마 증착에 의해 상기 양극 표면에 친수성을 갖는 고분자 중합막을 형성하는; DC 방전 플라즈마를 이용하여 열교환기와 같은 냉동 공조에 이용되는 금속 재료 표면상에 고분자 중합막을 합성하는 방법이 제공된다.
Int. CL C23C 16/44 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019997011143 (1999.11.29)
출원인 한국과학기술연구원, 주식회사 엘지이아이
등록번호/일자 10-0343717-0000 (2002.06.26)
공개번호/일자 10-2001-0013160 (2001.02.26) 문서열기
공고번호/일자 (20020720) 문서열기
국제출원번호/일자 PCT/KR1998/000398 (1998.12.03)
국제공개번호/일자 WO1999028530 (1999.06.10)
우선권정보 대한민국  |   1019970065740   |   1997.12.04
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.12.03)
심사청구항수 34

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 주식회사 엘지이아이 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고석근 대한민국 서울특별시동대문구
2 정형진 대한민국 서울특별시동대문구
3 최원국 대한민국 서울특별시양천구
4 강병하 대한민국 서울특별시동대문구
5 김기환 대한민국 서울특별시노원구
6 하삼철 대한민국 경상남도창원시
7 김철환 대한민국 경상남도창원시대방동대방지구
8 최성창 대한민국 서울특별시영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 엘지전자주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허법 제201조 및 제203조의 규정에 의한 서면
Document under Articles 201 and 203 of Patent Act		 1999.11.29 수리 (Accepted) 1-1-1999-0158616-74
2 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.12.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-0162514-65
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1999.12.03 수리 (Accepted) 1-1-1999-0162515-11
4 우선권주장증명서류제출서
Submission of Priority Certificate		 1999.12.30 수리 (Accepted) 1-1-1999-5439336-92
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.03.15 수리 (Accepted) 4-1-2000-0033420-65
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.03.29 수리 (Accepted) 4-1-2001-0036111-11
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0316402-92
9 의견서
Written Opinion		 2001.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2001-0338310-58
10 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2001.12.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2001-0338298-97
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
12 등록결정서
Decision to grant		 2002.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0187602-68
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2002-5030566-15
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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(a) 챔버 내에 표면 처리되는 금속인 양극과, 음극을 위치시키고;

(b) 상기 챔버 내의 압력을 소정 진공 상태로 유지하고;

(c) 소정 압력의 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 및 중합 불능 가스를 상기 챔버내로 도입하고;

(d) 상기 전극에 전압을 인가하여 DC 방전에 의해, 상기 챔버내에 도입된 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 및 상기 중합 불능 가스로부터 양(+) 및 음(-) 이온과 라디칼로 이루어지는 플라즈마를 얻고, 플라즈마 증착에 의해 상기 양극 표면에 고분자 중합막을 형성하는; DC 방전 플라즈마를 이용한 냉동 공조용 금속 재료 표면상의 고분자 중합막 합성방법

32 32

(a) 챔버 내에 양극과 음극을 위치시키고;

(b) 상기 챔버 내의 압력을 소정 진공 상태로 유지하고;

(c) 소정 압력의 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 및 중합 불능 가스를 전체 반응 가스에 대하여 상기 중합 불능 가스의 비율을 50 - 90%가 되도록 상기 챔버 내로 도입하고;

(d) 상기 전극에 전압을 인가하여 DC 방전에 의해, 상기 챔버내에 도입된 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 및 상기 중합 불능 가스로부터 양(+) 및 음(-) 이온과 라디칼로 이루어지는 플라즈마를 얻고, 플라즈마 증착에 의해 상기 양극 표면에 친수성을 갖는 고분자 중합막을 형성하는; DC 방전 플라즈마를 이용한 냉동 공조용 금속 재료 표면상의 고분자 중합막 합성방법

33 33

(a) 챔버 내에 표면 처리되는 금속인 양극과, 음극을 위치시키고;

(b) 상기 챔버 내의 압력을 소정 진공 상태로 유지하고;

(c) 소정 압력의 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 및 중합 불능 가스를 전체 반응 가스에 대하여 상기 중합 불능 가스의 비율을 50 - 90%가 되도록 상기 챔버 내로 도입하고;

(d) 상기 전극에 전압을 인가하여 DC 방전에 의해, 상기 챔버내에 도입된 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 및 상기 중합 불능 가스로부터 양(+) 및 음(-) 이온과 라디칼로 이루어지는 플라즈마를 얻고, 플라즈마 증착에 의해 상기 양극 표면에 친수성을 갖는 고분자 중합막을 형성하는; DC 방전 플라즈마를 이용한 냉동 공조용 금속 재료 표면상의 고분자 중합막 합성방법

34 34

제 32 항 또는 제 33 항에 있어서, 상기 DC 방전은 전 처리시간 동안 on/off 펄스 형태로 주기적으로 행해짐으로써 상기 고분막 중합막의 친수성 성질을 향상시키는 것을 특징으로 하는 고분자 중합막 합성방법

35 35

제 32 항 또는 제 33 항에 있어서, 단계 (d)에서 얻어진 고분자 중합막은 O2, N2, CO2, H2O 및 NH3로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 중합 불능 가스의 플라즈마에 의해 표면처리되는 것을 특징으로 하는 고분자 중합막 합성방법

36 36

제 35 항에 있어서, 상기 중합 불능 가스는 불활성 가스와 함께 사용되는 것을 특징으로 하는 고분자 중합막 합성방법

37 37

제 35 항에 있어서, 상기 추가적인 플라즈마 처리에서는 단계 (d)에서 양극으로 사용되었던 전극이 음극으로 사용되는 것을 특징으로 하는 고분자 중합막 합성방법

38 38

제 32 항 또는 제 33 항에 있어서, 플라즈마에 의해 고분자 중합막을 합성하는 상기 단계 (d)는 1초 내지 2분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 고분자 중합막 합성방법

39 39

제 38 항에 있어서, 상기 단계 (d)는 5초 내지 60초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 고분자 중합막 합성방법

40 40

제 32 항 또는 제 33 항에 있어서, 상기 단계 (d)에서 얻어진 고분자 중합막은 100 내지 400 ℃의 온도의 대기 분위기에서 1 내지 60분 동안 열처리되는 것을 특징으로 하는 고분자 중합막 합성방법

41 41

제 32 항 또는 제 33 항에 있어서, 상기 단계 (d)가 행해진 후, 상기 고분자 중합막이 형성된 기판을 이온의 도스를 변화시키며 이온빔으로 처리하는 것을 특징으로 하는 고분자 중합막 합성방법

42 42

제 32 항 또는 제 33 항에 있어서, 상기 DC 방전 전류 밀도는 0

43 43

(a) 챔버 내에 표면 처리되는 금속인 양극과, 음극을 위치시키고;

(b) 상기 챔버 내의 압력을 소정 진공 상태로 유지하고;

(c) 소정 압력의 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 및 중합 불능 가스를 전체 반응 가스에 대하여 상기 중합 불능 가스의 비율을 50% 미만이 되도록 상기 챔버 내로 도입하고;

(d) 상기 전극에 전압을 인가하여 DC 방전에 의해, 상기 챔버내에 도입된 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 및 상기 중합 불능 가스로부터 양(+) 및 음(-) 이온과 라디칼로 이루어지는 플라즈마를 얻고, 플라즈마 증착에 의해 상기 금속 재료 표면에 소수성을 갖는 고분자 중합막을 형성하는; DC 방전 플라즈마를 이용한 냉동 공조용 금속 재료 표면상의 고분자 중합막 합성방법

44 44

(a) 챔버 내에 표면 처리되는 금속인 양극과 음극을 위치시키고;

(b) 상기 챔버 내의 압력을 소정 진공 상태로 유지하고;

(c) 소정 압력의 불소-함유 단량체 가스 및/또는 실리콘-함유 단량체 가스와 소정 압력의 중합 불능 가스를 전체 반응 가스에 대하여 상기 중합 불능 가스의 비율을 10 - 90%가 되도록 상기 챔버 내로 도입하고;

(d) 상기 전극에 전압을 인가하여 DC 방전에 의해, 상기 챔버내에 도입된 불소-함유 단량체 가스 및 상기 중합 불능 가스로부터 양(+) 및 음(-) 이온과 라디칼로 이루어지는 플라즈마를 얻고, 플라즈마 증착에 의해 상기 금속 재료 표면에 소수성을 갖는 고분자 중합막을 형성하는; DC 방전 플라즈마를 이용한 냉동 공조용 금속 재료 표면상의 고분자 중합막 합성방법

45 45

제 43 항 또는 제 44 항에 있어서, 플라즈마에 의해 고분자 중합막을 합성하는 상기 단계 (d)는 1초 내지 2분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 고분자 중합막 합성방법

46 46

제 45 항에 있어서, 상기 단계 (d)는 5초 내지 60초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 고분자 중합막 합성방법

47 47

제 43 항 또는 제 44 항에 있어서, 상기 DC 방전 전류 밀도는 0

48 48

제 44 항에 있어서, 상기 불소-함유 단량체 가스는 C2H2F2, C2HF3와 같은 C, H 및 F를 포함하는 단량체 가스이고 적어도 하나의 탄소이중결합을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 중합막 합성방법

49 49

(a) 챔버 내에 표면 처리되는 금속인 수동 전극과 능동 전극을 위치시키고;

(b) 상기 챔버 내의 압력을 소정 진공 상태로 유지하고;

(c) 소정 압력의 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 및 중합 불능 가스를 상기 챔버 내로 도입하고;

(d) 상기 전극에 전압을 인가하여 RF 방전에 의해, 상기 챔버내에 도입된 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 및 상기 중합 불능 가스로부터 양(+) 및 음(-) 이온과 라디칼로 이루어지는 플라즈마를 얻고, 플라즈마 증착에 의해 상기 수동 전극 표면에 고분자 중합막을 형성하는; RF 방전 플라즈마를 이용한 냉동 공조용 금속 재료 표면상의 고분자 중합막 합성방법

50 50

(a) 챔버 내에 수동 전극과 능동 전극을 위치시키고;

(b) 상기 챔버 내의 압력을 소정 진공 상태로 유지하고;

(c) 소정 압력의 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 및 중합 불능 가스를 전체 반응 가스에 대하여 상기 중합 불능 가스의 비율을 50 - 90%가 되도록 상기 챔버 내로 도입하고;

(d) 상기 전극에 전압을 인가하여 RF 방전에 의해, 상기 챔버내에 도입된 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 및 상기 중합 불능 가스로부터 양(+) 및 음(-) 이온과 라디칼로 이루어지는 플라즈마를 얻고, 플라즈마 증착에 의해 상기 수동 전극 표면에 친수성을 갖는 고분자 중합막을 형성하는; RF 방전 플라즈마를 이용한 냉동 공조용 금속 재료 표면상의 고분자 중합막 합성방법

51 51

(a) 챔버 내에 표면 처리되는 금속인 수동 전극과 능동 전극을 위치시키고;

(b) 상기 챔버 내의 압력을 소정 진공 상태로 유지하고;

(c) 소정 압력의 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 및 중합 불능 가스를 전체 반응 가스에 대하여 상기 중합 불능 가스의 비율을 50 - 90%가 되도록 상기 챔버 내로 도입하고;

(d) 상기 전극에 전압을 인가하여 RF 방전에 의해, 상기 챔버내에 도입된 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 및 상기 중합 불능 가스로부터 양(+) 및 음(-) 이온과 라디칼로 이루어지는 플라즈마를 얻고, 플라즈마 증착에 의해 상기 수동 전극 표면에 친수성을 갖는 고분자 중합막을 형성하는; RF 방전 플라즈마를 이용한 냉동 공조용 금속 재료 표면상의 고분자 중합막 합성방법

52 52

제 50 항 또는 51 항에 있어서, 상기 단계 (d)에서 얻어진 고분자 중합막은 100 내지 400 ℃의 온도의 대기 분위기에서 1 내지 60분 동안 열처리되는 것을 특징으로 하는 고분자 중합막 합성방법

53 53

제 50 항 또는 51 항에 있어서, 단계 (d)에서 얻어진 고분자 중합막은 O2, N2, CO2, H2O 및 NH3로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 중합 불능 가스의 플라즈마에 의해 표면처리되는 것을 특징으로 하는 고분자 중합막 합성방법

54 54

제 53 항에 있어서, 상기 중합 불능 가스는 불활성 가스와 함께 사용되는 것을 특징으로 하는 고분자 중합막 합성방법

55 55

제 50 항 또는 제 51 항에 있어서, 상기 단계 (d)가 행해진 후, 상기 고분자 중합막이 형성된 기판을 이온의 도스를 변화시키며 이온빔으로 처리하는 것을 특징으로 하는 고분자 중합막 합성방법

56 56

(a) 챔버 내에 표면 처리되는 금속인 수동 전극과 능동 전극을 위치시키고;

(b) 상기 챔버 내의 압력을 소정 진공 상태로 유지하고;

(c) 소정 압력의 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 및 중합 불능 가스를 전체 반응 가스에 대하여 상기 중합 불능 가스의 비율을 50% 미만이 되도록 상기 챔버 내로 도입하고;

(d) 상기 전극에 전압을 인가하여 RF 방전에 의해, 상기 챔버내에 도입된 불포화 지방족 탄화수소 단량체 가스 및 상기 중합 불능 가스로부터 양(+) 및 음(-) 이온과 라디칼로 이루어지는 플라즈마를 얻고, 플라즈마 증착에 의해 상기 수동 전극 표면에 소수성을 갖는 고분자 중합막을 형성하는; RF 방전 플라즈마를 이용한 냉동 공조용 금속 재료 표면상의 고분자 중합막 합성방법

57 57

(a) 챔버 내에 표면 처리되는 금속인 능동 전극과 수동 전극을 위치시키고;

(b) 상기 챔버 내의 압력을 소정 진공 상태로 유지하고;

(c) 소정 압력의 불소-함유 단량체 가스 및/또는 실리콘-함유 단량체 가스와 소정 압력의 중합 불능 가스를 전체 반응 가스에 대하여 상기 중합 불능 가스의 비율을 10 - 90%가 되도록 상기 챔버 내로 도입하고;

(d) 상기 전극에 전압을 인가하여 RF 방전에 의해, 상기 챔버내에 도입된 불소 함유 단량체 가스 및 상기 중합 불능 가스로부터 양(+) 및 음(-) 이온과 라디칼로 이루어지는 플라즈마를 얻고, 플라즈마 증착에 의해 상기 능동 전극 표면에 소수성을 갖는 고분자 중합막을 형성하는; RF 방전 플라즈마를 이용한 냉동 공조용 금속 재료 표면상의 고분자 중합막 합성방법

58 58

제 57 항에 있어서, 상기 불소-함유 단량체 가스는 C2H2F2, C2HF3와 같은 C, H 및 F를 포함하는 단량체 가스이고 적어도 하나의 탄소이중결합을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 중합막 합성방법

59 59

제 31 항 내지 제 33 항, 제 43 항, 제 44 항, 제 48 항 내지 제 51 항 및 제 56 항 내지 제 58 항 중 어느 한 항의 방법으로 표면처리되어 표면에 합성되는 고분자 중합막을 이루는 군에서 탄소, 질소 및 산소의 원자수 비율이 탄소 100에 대하여 질소, 산소는 각각 10 내지 30% 임을 특징으로 하는 친수성 또는 소수성을 갖는 고분자 중합막을 표면에 갖는 냉동 공조용 금속 재료

60 60

제 59 항에 있어서, 친수성이 뛰어난 상기 재료는 동적 접촉각 중 후퇴 접촉각이 30°이하인 것을 특징으로 하는 냉동 공조용 금속 재료

61 61

제 59 항에 있어서, 상기 재료 표면은 0

62 62

제 59 항에 있어서, 상기 재료 표면은 내식성을 갖는 것을 특징으로 하는 냉동 공조용 금속 재료

63 63

제 59 항에 있어서, 표면처리되는 상기 재료는 열교환기용 핀인 것을 특징으로 하는 냉동 공조용 금속 재료

64 64

제 59 항에 있어서, 표면처리되는 상기 재료는 냉동 공조용 동관 내표면인 것을 특징으로 하는 냉동 공조용 금속 재료

번호, 국가명의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 지정국 표입니다.
번호 국가명
1 오스트리아,벨기에,스위스,사이프러스,독일,덴마크,스페인,핀란드,프랑스,영국,그리스,아일랜드,이탈리아,룩셈부르크,모나코,네덜란드,포르투칼,스웨덴
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP01036213 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 JP03426583 JP 일본 FAMILY
3 JP13525493 JP 일본 FAMILY
4 JP15268533 JP 일본 FAMILY
5 KR1019990047370 KR 대한민국 FAMILY
6 US07178584 US 미국 FAMILY
7 US20020189931 US 미국 FAMILY
8 US20030000825 US 미국 FAMILY
9 US20030042129 US 미국 FAMILY
10 US20030066746 US 미국 FAMILY
11 US20030070911 US 미국 FAMILY
12 US20050061024 US 미국 FAMILY
13 WO1999028530 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 AU1509299 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
2 AU1509299 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
3 AU758557 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
4 AU758557 AU 오스트레일리아 DOCDBFAMILY
5 CN1116438 CN 중국 DOCDBFAMILY
6 CN1272141 CN 중국 DOCDBFAMILY
7 EP1036213 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
8 JP2001525493 JP 일본 DOCDBFAMILY
9 JP2001525493 JP 일본 DOCDBFAMILY
10 JP2001525493 JP 일본 DOCDBFAMILY
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