맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

아연산화물 반도체의 금속배선 형성방법

  • 기술번호 : KST2015120677
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 아연산화물 반도체의 금속배선 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명은, 반응기 내의 서셉터 상에 아연산화물 반도체가 증착된 기판을 안착시키고, 반응기 내에 수소를 포함하는 플라즈마를 형성하여 반응기 내의 압력이 1 mTorr ~ 1 Torr이고 온도가 0∼400℃인 조건에서 아연산화물 반도체의 표면을 플라즈마에 노출시킨 다음에, 금속 배선을 형성하는 것을 특징으로 한다. 이 때, 상기 수소를 포함하는 기체에 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 제논(Xe), 및 라돈(Rn)으로 이루어진 불활성기체 군으로부터 선택된 어느 하나를 더 포함시키거나, 또는 적어도 이들 중의 어느 하나를 포함하는 혼합기체를 더 포함시키는 것이 바람직하다. 본 발명에 의하면, 간단한 방법으로 낮은 비접촉저항을 얻을 수 있을 뿐만 아니라 우수한 광학적 특성도 얻을 수 있다. 또한, 본 발명은 고온 공정이 필요치 않으므로 기존의 화합물 반도체에서 사용되는 고온 열처리에 의해 야기될 수 있는 소자의 성능저하도 피할 수 있다. 표면처리, 아연산화물, 수소 비활성화, 비접촉저항, 오믹 접촉,
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC H01L 21/76838(2013.01)
출원번호/일자 1020000047355 (2000.08.17)
출원인 광주과학기술원, 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0377509-0000 (2003.03.12)
공개번호/일자 10-2002-0014201 (2002.02.25) 문서열기
공고번호/일자 (20030326) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2000.08.17)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이지면 대한민국 광주광역시북구
2 김경국 대한민국 광주광역시북구
3 최원국 대한민국 서울특별시성북구
4 박성주 대한민국 광주광역시북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울 성북구
2 광주과학기술원 대한민국 광주 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2000-0171619-09
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2002.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0136159-58
4 의견서
Written Opinion		 2002.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2002-0193758-10
5 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.06.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0193759-66
6 등록결정서
Decision to grant		 2002.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0444603-10
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2003.11.19 수리 (Accepted) 4-1-2003-5076055-97
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반응기 내의 서셉터 상에 아연산화물 반도체가 증착된 기판을 안착시키고, 상기 반응기 내에 수소를 포함하는 플라즈마를 형성하여 상기 반응기 내의 압력이 1 mTorr ~ 1 Torr이고 온도가 0∼400℃인 조건에서 상기 아연산화물 반도체의 표면을 상기 플라즈마에 노출시킨 다음에, 금속 배선을 형성하는 것을 특징으로 하는 아연산화물 반도체의 금속배선 형성방법

2 2

제1 항에 있어서, 상기 수소를 포함하는 기체가 헬륨(He), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크립톤(Kr), 제논(Xe), 및 라돈(Rn)으로 이루어진 불활성기체 군으로부터 선택된 어느 하나를 더 포함하거나, 또는 적어도 이들 중의 어느 하나를 포함하는 혼합기체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 아연산화물 반도체의 금속배선 형성방법

3 3

삭제
4 4

제1 항에 있어서, 상기 플라즈마가 유도결합 방식, 용량성 결합 방식, 또는 전자공명 방식에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 아연산화물 반도체의 금속배선 형성방법

5 5

제1 항에 있어서, 상기 반응기 둘레에 ICP 코일 안테나를 설치하고, 상기 ICP 코일 안테나에는 10 ~ 20 MHz의 주파수를 갖는 ICP 전력을 1~3000W로 인가하고, 상기 서셉터에는 10 ~ 20 MHz의 주파수를 갖는 RF 전력을 1~500W로 인가함으로써, 상기 플라즈마를 유도결합 방식과 용량성 결합 방식이 혼합된 방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 아연산화물 반도체의 금속배선 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.