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실리콘이 0
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제1항에 있어서, 제 1 경질 탄소 박막층과 제 2 경질 탄소 박막층은 교대로 1 ~ 50회 적층되어 총 2층 ~ 100층의 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 경질 탄소박막
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제1항에 있어서, 상기 다층 경질 탄소 박막의 두께는 10nm ~ 수 ㎛의 범위인 것을 특징으로 하는 다층 경질 탄소박막
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제1항에 있어서, 제 1 경질 탄소 박막층 또는 제 2 경질 탄소 박막층의 두께는 각각 1nm ~ 수 ㎛의 범위인 것을 특징으로 하는 다층 경질 탄소박막
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5
제1항에 있어서, 다층 경질 탄소박막름의 경도는 탄소 단일막 보다 10% 이하의 범위로 감소되는 것을 특징으로 하는 다층 경질 탄소박막
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제1항에 있어서, 다층 경질 탄소박막름의 잔류응력은 탄소 단일막 보다 50%의 범위에 이르기까지 감소되는 것을 특징으로 하는 다층 경질 탄소박막
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7
양극과 고체상 탄소원이 장착된 음극에 전원을 인가하여 탄소 플라즈마를 발생시키고, 스퍼터 건에 실리콘 타겟을 장착하고 전원을 주기적으로 변화시키면서 인가하여 실리콘을 스퍼터링시키고, 반응 챔버에 설치된 기판상에 실리콘이 함유된 제 1 경질 탄소 박막층과 탄소만으로 이루어진 제 2 경질 탄소박막층을 번갈아 교대로 증착시키는 것를 포함하여 이루어지며, 상기 제 1 경질 탄소박막층의 실리콘의 양은 0
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삭제
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제7항에 있어서, 제 1 경질 탄소 박막층과 제 2 경질 탄소 박막층은 교대로 1 ~ 50회 적층되어 총 2층 ~ 100층의 범위로 형성되는 것을 특징으로 하는 다층 경질 탄소박막 제조방법
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제7항에 있어서, 탄소 플라즈마의 형성은 아크 방전에 의하는 다층 경질 탄소박막 제조방법
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제7항에 있어서, 탄소 플라즈마 형성시 전극에 인가되는 전원은 22 ~ 30 V, 55 ~ 90 A, 범위인 다층 경질 탄소박막 제조방법
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12
제7항에 있어서, 탄소 플라즈마를 형성시킨 상태에서 실리콘을 스퍼터링하기 전에, 반응 챔버에 불활성기체를 유입시키고 기판 바이어스를 인가하여 기판을 건식 세척시키는 단계를 추가적으로 포함하는 다층 경질 탄소박막 제조방법
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제7항에 있어서, 스퍼터링 전원은 800 ~ 900 V, 0
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제7항에 있어서, 다층 탄소박막의 합성시 기판에 바이어스를 인가하지 않고 제 1 층 및 제 2 층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 다층 경질 탄소박막 제조방법
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제7항에 있어서, 실리콘 스퍼터링시 반응 챔버내에 불활성기체를 유입시키고, 이 때 유입되는 불활성기체의 양을 조절하여 증착되는 실리콘의 양을 조절하는 것을 특징으로 하는 다층 경질 탄소박막 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 반응 챔버 내부의 압력이 10-3 torr ∼ 10-4 torr인 다층 경질 탄소박막 제조방법
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