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자기 메모리 및 센서에 응용 가능한 워드선 제조방법

  • 기술번호 : KST2015120814
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기 메모리 및 센서에 응용 가능한 워드선 제조방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 자기 메모리 및 센서에서 자화를 반전시키는데 필요한 자기장을 발생시키는 워드선(또는 비트선)의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따르면, 반도체 기판 상에 절연막을 형성하는 단계와; 상기 절연막에 광식각 공정을 이용하여 소정 깊이의 트렌치(Trench)를 형성하는 단계와; 상기 트렌치의 내외측 전표면에 구리(Cu) 재질의 시드(seed)막을 증착하는 단계와; 상기 시드막 상에 트렌치를 충분히 덮을 수 있을 정도 두께로 구리(Cu) 재질의 도전막을 전기도금 방식으로 증착하는 단계와; 상기 절연막의 상부 표면이 노출될때 까지 CMP 공정을 이용하여 평탄화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 메모리 및 센서에 응용 가능한 워드선 제조방법을 제시한다.따라서, 본 발명은 자기 메모리 및 자기센서에 응용 가능한 워드선 및 비트선에 대하여 자화를 반전시키는데 필요한 자기장이 최대가 되도록 워드선/비트선에 대한 최적의 형상을 제공할 수 있다.자기메모리, 센서, 워드선, 비트선, 자화반전, 종횡비
Int. CL G11C 11/15 (2006.01)
CPC H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01)
출원번호/일자 1020010072201 (2001.11.20)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0452618-0000 (2004.10.04)
공개번호/일자 10-2003-0041417 (2003.05.27) 문서열기
공고번호/일자 (20041015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.11.20)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임상호 대한민국 서울특별시 노원구
2 박영준 대한민국 서울특별시 관악구
3 한석희 대한민국 서울특별시 노원구
4 이우영 대한민국 서울특별시 성북구
5 신경호 대한민국 서울특별시 노원구
6 김경숙 대한민국 경기도 성남시 중원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이종일 대한민국 서울특별시 영등포구 당산로**길 **(당산동*가) 진양빌딩 *층(대일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.11.20 수리 (Accepted) 1-1-2001-0301112-69
2 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2001.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2001-0303735-39
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2002.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2002-5066829-57
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.10.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2003-0052136-13
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.12.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0498934-51
8 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.02.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0058557-31
9 의견서
Written Opinion		 2004.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2004-0058554-05
10 등록결정서
Decision to grant		 2004.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0327883-90
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 기판 상에 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막에 광식각 공정을 이용하여 소정 깊이의 트렌치(Trench)를 형성하는 단계와, 상기 트렌치의 내외측 전표면에 구리(Cu) 재질의 시드(seed)막을 증착하는 단계와, 상기 시드막 상에 트렌치를 충분히 덮을 수 있을 정도 두께로 구리(Cu) 재질의 도전막을 전기도금 방식으로 증착하는 단계와, 그리고 상기 절연막의 상부 표면이 노출될때 까지 CMP 공정을 이용하여 평탄화하는 단계를 포함하여 워드선을 형성시키되, 상기 워드선의 최적 형상 종횡비를 0

2 2

삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.