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유전체 세라믹 분말이 수지에 분산되어 있는 세라믹-수지 복합체 후막과, 상기 복합체 후막의 하부 및 상부 표면에 각각 형성된 제1 전극 및 제2 전극과, 상기 제1 전극 및 제2 전극으로부터 각각 수직으로 상기 복합체 후막 내부로 연장되며 서로 전기적으로 접촉하지 않도록 교차적으로 배치되어 형성된 다수의 바늘 형태의 내부 전극을 포함하는 고유전율 캐패시터
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제1항에 있어서, 상기 유전체 세라믹 분말은 수지 내에 균일하게 분산되거나 국부적으로 응집된 형태로 존재하는 고유전율 캐패시터
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제1항에 있어서, 상기 유전체 세라믹 분말은 입경이 10 ㎚ ∼ 10 ㎛이며, 유전율이 4 이상인, BaTiO3, SrTiO3, CaTiO3, BaZrO3, SrZrO3, CaZrO3, PMN-PT, PFNT, BST 및 PZT 등 단순 또는 복합페로브스카이트 화합물들로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나의 물질인 고유전율 캐패시터
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제1항에 있어서, 상기 수지는 에폭시, 페녹시, 폴리이미드, 벤조시클로로부탄, 아크릴레이트, 폴리우레탄, BCB, 폴리페닐린 황화물, 폴리아미드, 폴리에틸렌, 폴리술폰, 폴리에테르에테르키톤, 폴리스티렌, 페놀, 디알릴 프탈레이트 등으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나의 물질인 고유전율 캐패시터
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제1항에 있어서, 상기 복합체에 있어서, 상기 유전체 세라믹 분말 함량이 10 ~ 90 부피%이고 수지 함량이 90 ~ 10 부피%인 것을 특징으로 하는 고유전율 캐패시터
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제1항에 있어서, 상기 복합체 후막은 두께가 1 ~ 100 ㎛이며, 유전율이 10 ~ 200인 것을 특징으로 하는 고유전율 캐패시터
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제1항에 있어서, 상기 내부 전극의 반지름이 1 ~ 50 ㎛인 고유전율 커패시터
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제1항에 있어서, 상기 내부 전극은 하나의 내부 전극의 중심과 인접한 내부 전극과의 중심 사이의 간격이 2
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제1항에 있어서, 상기 제1 전극, 제2 전극 및 내부 전극은 Cu, Ni, Al, Ag, Au, Pt, Pd 등으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나의 물질로 이루어지는 고유전율 캐패시터
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제1항에 있어서, 상기 세라믹-수지 복합체 후막은 적어도 두 층이 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 고유전율 캐패시터
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제1항에 있어서, 상기 캐패시터의 정전용량은 10 ㎊ ~ 100㎌인 고유전율 캐패시터
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제1항에 있어서, 상기 제1전극층 및 제2전극층 외부에 형성되는 절연층을 더 함하는 고유전율 캐패시터
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유전체 세라믹 분말이 수지에 분산되어 있는 세라믹-수지 복합체 후막을 형성하는 단계;상기 복합체 후막에 서로 이격되어 있는 다수의 바늘 형태의 비어홀을 형성하는 단계;상기 비어홀에 전극 물질을 채우는 단계;상기 복합체 후막의 하부 및 상부 표면에 각각 제1전극층 및 제2전극층을 형성하는 단계, 이 경우 상기 비어홀에 채워진 일부의 전극물질과 제1전극층이 전기적으로 접촉하며 제1전극층에 접촉한 전극물질과 접촉하지 않는 전극 물질이 제2전극층과 접촉하도록 하고;상기 복합체 후막을 열간 압착하여 캐패시터 코어를 얻는 단계;상기 캐패시터 코아의 측면에 외부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 고유전율 캐패시터 제조 방법
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제13항에 있어서, 상기 열간 압착시 온도는 500℃ 이하인 것을 특징으로 하는 고유전율 캐패시터 제조 방법
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제13항에 있어서, 상기 전극 물질은 Cu, Ni, Al, Ag, Au, Pt, Pd 등으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나의 금속 물질과, 톨루엔, 에틸알콜, 디메틸에틸케톤, 이소프로필알콜 등으로 구성된 군으로부터 선택된 적어도 어느 하나의 유기용매와의 혼합물로 이루어지는 고유전율 캐패시터 제조 방법
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제13항에 있어서, 상기 측면 외부 전극을 형성하기 전에, 상기 제1전극층 및 제2전극층 외부에 추가적으로 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 고유전율 캐패시터 제조 방법
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