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넓은 파장의 광을 방출하는 발광소자

  • 기술번호 : KST2015121285
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 넓은 파장의 광을 방출하는 발광소자가 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 발광소자는, 양자우물 활성층, 양자우물 활성층을 둘러싸는 중심 도파로층 및 도파로 덮개층을 포함한다. 도파로 덮개층은 그 내부에 도파로 덮개층 보다 굴절율이 높은 전기장 강화층을 포함하고, 전기장 강화층은 다수의 양자점을 포함한다. 전기장 강화층 내의 양자점이 양자우물 활성층에서 발생된 광자를 흡수하여 2차 광자를 발생시킴으로써, 양자점과 양자우물 활성층으로부터 방출되는 넓은 파장의 광을 얻을 수 있다.발광 다이오드, 넓은 발광 파장영역, 양자점, 양자우물
Int. CL H01L 33/06 (2014.01) H01L 33/04 (2014.01) H01L 33/20 (2014.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020070001021 (2007.01.04)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0819388-0000 (2008.03.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080407) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.01.04)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송진동 대한민국 서울 성북구
2 최원준 대한민국 서울 강북구
3 한일기 대한민국 서울 노원구
4 조운조 대한민국 경기 의정부시
5 이정일 대한민국 서울 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
3 윤지홍 대한민국 서울특별시 성동구 왕십리로 **, ***동 ***호(성수동*가, 강변 건영아파트)(운현특허법률사무소)
4 양영준 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2007-0009656-29
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0573504-74
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0829124-63
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.11.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0829159-50
5 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2007.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0835349-14
6 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2008.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0105394-26
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.03.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0131640-65
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
양자우물 활성층;상기 양자우물 활성층을 둘러싸는 중심 도파로층; 및도파로 덮개층을 포함하되, 상기 도파로 덮개층은 그 내부에 도파로 덮개층 보다 굴절율이 높은 전기장 강화층을 포함하고,상기 전기장 강화층은 다수의 양자점을 포함하는 발광소자
2 2
제1항에 있어서,상기 양자우물 활성층은 제1 파장의 광을 방출하고,상기 양자점은 상기 제1 파장 보다 긴 제2 파장의 광을 방출하는, 발광소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 양자점의 밴드갭은 상기 양자우물 활성층의 밴드갭 보다 작은, 발광소자
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전기장 강화층 내의 양자점은 상기 양자우물 활성층에서 발생된 광자를 흡수하여 2차 광자를 발생시키는, 발광소자
5 5
제1 하부 도파로 덮개층 및 제2 하부 도파로 덮개층;상기 제1 및 제2 하부 도파로 덮개층 사이에 형성되며 상기 제1 및 제2 하부 도파로 덮개층 보다 굴절율이 높은 하부 전기장 강화층, 상기 제2 하부 도파로 덮개층 상에 형성된 하부 중심 도파로층;상기 하부 중심 도파로층 상에 형성되며 상기 전기장 강화층 보다 굴절률이 높은 양자우물 활성층;상기 양자우물 활성층 상에 형성된 상부 중심 도파로층;상기 상부 중심 도파로층 상에 형성된 제1 상부 도파로 덮개층 및 제2 상부 도파로 덮개층; 및상기 제1 및 제2 상부 도파로 덮개층 사이에 형성되며 상기 제1 및 제2 상부 도파로 덮개층 보다 굴절율이 높은 상부 전기장 강화층을 포함하며, 상기 상부 및 하부 전기장 강화층은 다수의 양자점을 포함하는 발광소자
6 6
제5항에 있어서,상기 양자우물 활성층은 제1 파장의 광을 방출하고,상기 상부 및 하부 전기장 강화층 내의 양자점은 상기 제1 파장 보다 긴 제2 파장의 광을 방출하는, 발광소자
7 7
제5항에 있어서, 상기 상부 및 하부 전기장 강화층 내의 양자점의 밴드갭은 상기 양자우물 활성층의 밴드갭 보다 작은, 발광소자
8 8
제5항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,상기 상부 및 하부 전기장 강화층 내의 양자점은 상기 양자우물 활성층에서 발생된 광자를 흡수하여 2차 광자를 발생시키는, 발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.