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격자 정합된 ＩｎＧａＡｓ/ＩｎＧａＡｓＰ 다중 양자우물구조의 광소자용 에피박막층과 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015121180
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고에너지 이온 주입에 의한 격자 정합된 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층과 그 제조방법에 관한 것으로서, 고에너지 이온 주입에 의한 밴드갭 파장 이동을 극대화할 수 있는 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층과, 이온 주입 및 열처리 공정의 최적화 등 양자우물 혼합 과정을 최적화하여 최소 100nm 이상의 밴드갭 파장 이동을 얻을 수 있는 에피박막층의 제조방법에 관한 것이다.고에너지, 이온 주입, 격자 정합, 양자우물, 열처리, 무질서화, 밴드갭, 에피박막층, 활성층, 클래딩층, 보호층, 덮개층, 광전소자, 광집적회로, 반도체 레이저
Int. CL H01L 33/06 (2014.01) H01L 33/04 (2014.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020060008217 (2006.01.26)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0766027-0000 (2007.10.04)
공개번호/일자 10-2007-0078191 (2007.07.31) 문서열기
공고번호/일자 (20071011) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.01.26)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 변영태 대한민국 경기 구리시
2 송종한 대한민국 서울 서초구
3 김선호 대한민국 서울 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이학수 대한민국 부산광역시 연제구 법원로 **, ****호(이학수특허법률사무소)
2 백남훈 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, KTB네트워크빌딩**층 한라국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0062346-23
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2006-0081256-66
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0728311-15
5 의견서
Written Opinion		 2007.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2007-0109284-61
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.02.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0109283-15
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0235656-66
8 의견서
Written Opinion		 2007.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0464457-45
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.06.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0464455-54
10 등록결정서
Decision to grant		 2007.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0383609-13
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위의 n-InP 하부클래딩층, 상기 n-InP 하부클래딩층의 상측으로 InGaAs 우물층과 InGaAsP 장벽층이 상호 교번되게 반복 적층되어 구성된 활성층, p-InP 상부클래딩층 및 그 상측의 InGaAs 전극층을 포함하는 격자 정합된(lattice-matched) InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층에 있어서,상기 InGaAs 전극층 위에 표면 오염 방지 및 열처리시 InGaAs 전극층에서 Ga이 빠져나와 공간(vacancy)이 형성되는 것을 억제하기 위한 InP 보호층이 형성되어 구성되는 것을 특징으로 하는 격자 정합된 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층
2 2
청구항 1에 있어서,상기 InP 보호층은 100nm ~ 200nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 격자 정합된 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층
3 3
청구항 1에 있어서,상기 활성층은 4nm 두께의 InGaAs 우물층 7개와 10nm 두께의 InGaAsP(1
4 4
청구항 1에 있어서,상기 상부클래딩층은 두께가 상이한 2개의 영역으로 구성되어, Zn:5×1017cm-3의 도핑농도로 도핑된 하측의 제1상부클래딩층과, Zn:≥1×1018cm-3의 도핑농도로 도핑된 상측의 제2상부클래딩층이 열처리시 Zn이 도핑되지 않은 영역으로 확산되는 정도를 감쇠시켜주도록 상기 상부클래딩층을 형성하는 것을 특징으로 하는 격자 정합된 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층
5 5
(a)n-InP 하부클래딩층, InGaAs 우물층과 InGaAsP 장벽층이 상호 교번되게 반복 적층되어 구성된 활성층, p-InP 상부클래딩층 및 그 상측의 InGaAs 전극층을 기판 위에 차례로 형성하는 단계를 포함하는 격자 정합된(lattice-matched) InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층을 제조하는 방법에 있어서,(b)상기 InGaAs 전극층을 형성한 후 그 상측에 InP 보호층을 형성하는 단계와;(c)상기와 같이 제작된 다중 양자우물 기판에 대하여 이온 주입을 실시하는 단계와;(d)상기 InP 보호층 위에 유전체 덮개층을 형성하는 단계와;(e)상기 유전체 덮개층이 형성된 다중 양자우물 기판에 대하여 열처리를 실시하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 격자 정합된 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층 제조방법
6 6
청구항 5에 있어서,상기 InP 보호층은 100nm ~ 200nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 격자 정합된 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층 제조방법
7 7
청구항 5에 있어서,상기 상부클래딩층은 Zn:5×1017cm-3의 도핑농도로 도핑된 하측의 제1상부클래딩층과, Zn:≥1×1018cm-3의 도핑농도로 도핑된 상측의 제2상부클래딩층으로 분리 형성하여 열처리시 Zn이 도핑되지 않은 영역으로 확산되는 정도를 감쇠시켜주도록 하는 것을 특징으로 하는 격자 정합된 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층 제조방법
8 8
청구항 5에 있어서,상기 (c)단계에서, 주입되는 이온 종을 P 이온으로 하는 것을 특징으로 하는 격자 정합된 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층 제조방법
9 9
청구항 5에 있어서,상기 (c)단계에서, 이온 주입에 의한 활성층 손상이 발생하지 않도록 활성층에 주입된 이온량과 생성된 공간(vacancy)의 분포가 모두 0이 되는 이온 주입 조건인 1MeV에서 에피박막층에 인 이온(P+)이 시료에 주입되는 조건으로 실시하는 것을 특징으로 하는 격자 정합된 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층 제조방법
10 10
청구항 5, 청구항 8 및 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,상기 (c)단계의 이온 주입 조건으로서, P 이온을 1MeV의 에너지에서 5×1014cm-3의 이온 주입량(dose)으로 주입하는 것을 특징으로 하는 격자 정합된 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층 제조방법
11 11
청구항 5에 있어서,상기 (c)단계에서, 이온 채널링을 최소화하기 위하여 다중 양자우물 기판을 (100)축에서 7°기울어지게 하여 이온 주입을 실시하는 것을 특징으로 하는 격자 정합된 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층 제조방법
12 12
청구항 5에 있어서,상기 (c)단계에서, 이온 주입 동안에 다중 양자우물 기판의 온도를 200℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 격자 정합된 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층 제조방법
13 13
청구항 5에 있어서,상기 (d)단계에서, 상기 유전체 덮개층으로 SiO2 박막 또는 Si3N4 박막을 증착시키는 것을 특징으로 하는 격자 정합된 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층 제조방법
14 14
청구항 5에 있어서,상기 (e)단계에서, 상기 유전체 덮개층이 형성된 다중 양자우물 기판을 675℃ ~ 775℃의 온도범위에서 7분 ~ 12분 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 격자 정합된 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층 제조방법
15 15
청구항 14에 있어서,상기 유전체 덮개층이 형성된 다중 양자우물 기판을 775℃의 온도에서 9분 동안 열처리하는 것을 특징으로 하는 격자 정합된 InGaAs/InGaAsP 다중 양자우물 구조의 광소자용 에피박막층 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.