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(1) 세라믹 몸체의 표면에 화학반응을 일으켜 반응 잔류물을 포함하는 표면층을 형성하는 단계;
(2) 상기 세라믹 몸체의 표면층에 포함된 반응 잔류물을 제거하여 불규칙한 요철 모양의 표면층을 형성시키는 단계; 및
(3) 상기 불규칙한 요철 모양의 표면층에 다이아몬드막을 증착시키는 단계
를 포함하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 불규칙한 요철 모양 표면층의 평균조도가 50㎛ 이하인 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 세라믹 몸체가 SiC 또는 Si3N4를 포함하는 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 단계(1)의 화학반응이 산화반응, 할로겐 기체에 의한 고온 기체화학반응, 플라즈마 기체에 의한 표면화학반응, 도포된 분말에 의한 표면화학반응 및 고온 염에 의한 화학반응으로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법
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제 3 항에 있어서,
상기 단계(1)의 화학반응이 세라믹 몸체의 표면에 산화반응을 일으켜 N 또는 C를 제거하고 Si는 산화규소가 되어 반응 잔류물이 되도록 하는 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법
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제 3 항에 있어서,
상기 단계(1)에서 세라믹 몸체가 SiC를 포함하는 경우 화학반응이 세라믹 몸체의 표면에 할로겐 기체로 고온 기체화학반응시켜 Si를 제거하고 탄소층이 잔류하도록 하는 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법
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제 3 항에 있어서,
상기 단계(1)의 화학반응이 세라믹 몸체의 표면에 금속 분말을 도포하여 규소화합물(silicide)을 형성하는 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 단계(2)에서 반응 잔류물의 제거는 단계가 습식 식각, 건식 식각 또는 샌드 블라스트에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 단계(2)에서 형성된 불규칙한 요철 모양의 표면층의 거칠기가 1 내지 50㎛인 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법
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제 1 항에 있어서,
상기 단계(3)에서 표면층에 증착된 다이아몬드막의 두께가 5 내지 1000㎛인 것을 특징으로 하는, 다이아몬드막이 코팅된 세라믹 몸체의 제조방법
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제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 다이아몬드가 코팅된 세라믹 몸체
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