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박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015121457
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 박막 트랜지스터는 게이트 전극, 게이트 절연막, 채널층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함할 수 있다. 채널층은 카드뮴(Cd), 베릴륨(Be), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba) 및 수은(Hg)으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나 및 아연(Zn)이 포함된 산화물을 포함하여 이루어질 수 있다. 박막 트랜지스터는 상부 게이트 방식 또는 하부 게이트 방식로 구현될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터는 채널층을 상온에서 증착할 수 있으므로 공정이 용이하며, 인듐(In)을 사용하지 않아 생산 단가를 낮출 수 있다. 박막 트랜지스터, 채널층, 카드뮴, 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨, 수은, 산화물 반도체
Int. CL H01L 29/786 (2006.01)
CPC H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자 1020090087989 (2009.09.17)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0030055 (2011.03.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.17)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상렬 대한민국 서울특별시 용산구
2 조경철 대한민국 울산광역시 중구
3 이득희 대한민국 대구광역시 달성군 옥포면 교

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0572275-67
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2009-0574032-26
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.12.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.01.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0005327-12
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0095930-59
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0280501-24
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0280500-89
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0605979-59
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하며, 카드뮴, 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨 및 수은으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나 및 아연이 포함된 산화물을 포함하여 이루어지는 채널층; 상기 채널층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 접촉하는 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막과 접촉하는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
2 2
제 1항에 있어서, 상기 채널층은 펄스 레이저 증착에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
3 3
제 1항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 상기 게이트 전극의 상부에 위치하며, 상기 채널층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 상기 게이트 절연막의 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
4 4
제 1항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 상기 채널층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극의 상부에 위치하며, 상기 게이트 전극은 상기 게이트 절연막의 상부에 위치하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
5 5
기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 기판상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막상에 채널층을 형성하는 단계; 및 상기 기판상에 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 채널층은 카드뮴, 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨 및 수은으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나 및 아연이 포함된 산화물을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
6 6
기판상에 채널층을 형성하는 단계; 상기 채널층상에 서로 이격된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 채널층상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 절연막상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 채널층은 카드뮴, 베릴륨, 마그네슘, 칼슘, 스트론튬, 바륨 및 수은으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 어느 하나 및 아연이 포함된 산화물을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
7 7
제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 채널층은 펄스 레이저 증착에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
8 8
제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 게이트 전극, 상기 게이트 절연막, 상기 채널층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 하나 이상은 스퍼터링에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
9 9
제 5항 또는 제 6항에 있어서, 상기 게이트 전극, 상기 게이트 절연막, 상기 채널층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 중 하나 이상은 포토리소그래피 공정 또는 리프트오프 공정을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.