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은 및 III족 원소에 의해 코-도핑된 나노선, 그 제조 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2014036389
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예들은 나노선, 그 제조 장치 및 방법에 관한 것이다. 나노선은 은 및 III족 원소에 의하여 도핑된 산화아연으로 이루어질 수 있다. 나노선 제조 장치는, 챔버; 상기 챔버 내에 위치하는 기판; 상기 챔버 내에 상기 기판과 인접하여 위치하며 은 및 III족 원소에 의해 도핑된 타겟 물질; 상기 챔버를 가열하는 가열기; 및 상기 타겟 물질에 레이저를 조사하는 레이저 발생기를 포함할 수 있다. 나노선 제조 방법은, 챔버 내에 은 및 III족 원소에 의해 도핑된 타겟 물질 및 기판을 서로 인접하여 위치시키는 단계; 상기 챔버를 가열하는 단계; 및 상기 타겟 물질에 레이저를 조사하여, 상기 기판상에 상기 타겟 물질로 이루어진 나노선을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 나노선, 은, 알루미늄, III족, 코도핑, 산화아연
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020090050410 (2009.06.08)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1091609-0000 (2011.12.02)
공개번호/일자 10-2010-0131691 (2010.12.16) 문서열기
공고번호/일자 (20111213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.08)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상렬 대한민국 서울특별시 용산구
2 송용원 대한민국 대전광역시 중구
3 김경원 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 밀양환경산업 경상남도 밀양시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0344640-93
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.01.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.02.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0011060-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0151091-50
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0365988-50
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0365984-78
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0701041-89
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
은 및 알루미늄에 의하여 도핑된 산화아연을 포함하여 이루어지는 나노선으로서, 상기 산화아연에 대한, 상기 은 및 상기 알루미늄의 비율은 3 원자% 또는 5 원자%인 것을 특징으로 하는 나노선
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항의 나노선을 포함하는 것을 특징으로 하는 소자
5 5
챔버 내에 은 및 알루미늄에 의해 도핑된 산화아연으로 이루어지는 타겟 물질 및 기판을 서로 인접하여 위치시키는 단계; 상기 챔버를 가열하는 단계; 및 상기 타겟 물질에 레이저를 조사하여, 상기 기판상에 상기 타겟 물질로 이루어진 나노선을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 타겟 물질에서, 상기 산화아연에 대한 상기 은 및 상기 알루미늄의 비율은 3 원자% 또는 5 원자%인 것을 특징으로 하는 나노선 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.