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실리콘 기판위에 산화막(SiO2)을 형성시키는 단계와;
포토리소그래피 공정으로 산화막 위에 임의의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와;
용액공정으로 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 기판 표면에 나노물질을 흡착시키는 단계와;
나노물질이 흡착된 상기 기판 표면의 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 선택적인 나노물질의 배열을 제조하는 포토리소그래피 방법
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청구항 1에 있어서,
실리콘 기판위에 산화막(SiO2)을 형성시키는 단계는,
상기 산화막의 두께는 120 nm - 300 nm이고,
상기 산화막의 형성은, 1000 ℃ 이상에서 열확산로를 이용하여 열산화막을 성장시키거나, PECVD나 LPCVD를 이용하여 SiO2 박막을 기판위에 증착시키거나, SOG(silica-on-glass)를 이용하여 스핀코팅을 시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 선택적인 나노물질의 배열을 제조하는 포토리소그래피 방법
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청구항 1에 있어서,
포토리소그래피 공정으로 산화막 위에 임의의 포토레지스트 패턴을 제작하는 단계에서의 상기 포토레지스트의 선폭이 1 μm부터 10 μm까지 변하고,
상기 포토레지스트의 선폭과 선폭사이의 간격(gap)이 같은 것을 특징으로 하는 선택적인 나노물질의 배열을 제조하는 포토리소그래피 방법
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청구항 1에 있어서,
용액공정으로 상기 시료 표면에 나노물질을 흡착시키는 단계에서,
상기 나노물질은 나노튜브 또는 나노선, 나노튜브 및 나노선을 포함하고,
상기 나노물질이 포토레지스트 패턴 영역과 SiO2 영역에 모두 흡착되고, 각 표면의 친수성 정도에 따라 흡착되는 양이 다르고, 그 결과 포토레지스트 패턴 표면보다 SiO2 표면에 더 많은 나노물질이 흡착되는 것을 특징으로 하는 선택적인 나노물질의 배열을 제조하는 포토리소그래피 방법
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청구항 4에 있어서,
상기 SiO2 박막의 표면 개질을 통하여 흡착되는 나노물질의 양을 조절하는 것을 특징으로 하는 선택적인 나노물질의 배열을 제조하는 포토리소그래피 방법
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6
청구항 1에 있어서,
상기 나노물질이 흡착된 시료 표면의 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계에서,
시료 표면의 포토레지스트 패턴이 아세톤이나 포토레지스트 스트리퍼(PR striper)를 이용하여 제거됨으로서 포토레지스트 패턴이 있던 영역의 나노물질이 제거되어 SiO2 표면이 노출되는 것을 특징으로 하는 선택적인 나노물질의 배열을 제조하는 포토리소그래피 방법
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7
청구항 6에 있어서,
길이가 24 μm이고 폭이 1 μm, 2 μm, 4 μm, 6 μm, 8 μm 또는 10 μm인 직사각형 내에 상기 나노물질을 선택적으로 흡착시키는 것을 특징으로 하는 선택적인 나노물질의 배열을 제조하는 포토리소그래피 방법
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8
청구항 6에 있어서,
길이가 24 μm이고 폭이 1 μm, 2 μm, 4 μm, 6 μm, 8 μm 또는 10 μm인 직사각형이 두 줄로 주기적으로 배열된 패턴 내에 상기 나노물질(나노튜브/나노선)을 선택적으로 흡착시키는 것을 특징으로 하는 선택적인 나노물질의 배열을 제조하는 포토리소그래피 방법
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실리콘 기판위에 산화막(SiO2)을 형성시키는 단계와;
포토리소그래피 공정으로 산화막 위에 미리 설정된 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와;
용액공정으로 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 기판 표면에 나노물질을 흡착시키는 단계와;
나노물질이 흡착된 상기 기판 표면의 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 다중채널 FET 전자소자 제조방법
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10
청구항 9에 있어서,
실리콘 기판위에 산화막(SiO2)을 형성시키는 단계는,
상기 산화막의 두께는 120 nm - 300 nm이고,
상기 산화막의 형성은, 1000 ℃ 이상에서 열확산로를 이용하여 열산화막을 성장시키거나, PECVD나 LPCVD를 이용하여 SiO2 박막을 기판위에 증착시키거나, SOG(silica-on-glass)를 이용하여 스핀코팅을 시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다중채널 FET 전자소자 제조방법
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청구항 9에 있어서,
포토리소그래피 공정으로 산화막 위에 임의의 포토레지스트 패턴을 제작하는 단계에서의 상기 포토레지스트의 선폭이 1 μm부터 10 μm까지 변하고,
상기 포토레지스트의 선폭과 선폭사이의 간격(gap)이 같은 것을 특징으로 하는 다중채널 FET 전자소자 제조방법
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12
청구항 9에 있어서,
용액공정으로 상기 시료 표면에 나노물질을 흡착시키는 단계에서,
상기 나노물질은 나노튜브 또는 나노선, 나노튜브 및 나노선을 포함하고,
상기 나노물질이 포토레지스트 패턴 영역과 SiO2 영역에 모두 흡착되고, 각 표면의 친수성 정도에 따라 흡착되는 양이 다르고, 그 결과 포토레지스트 패턴 표면보다 SiO2 표면에 더 많은 나노물질이 흡착되는 것을 특징으로 하는 다중채널 FET 전자소자 제조방법
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13
청구항 12에 있어서,
상기 SiO2 박막의 표면 개질을 통하여 흡착되는 나노물질의 양을 조절하는 것을 특징으로 하는 다중채널 FET 전자소자 제조방법
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14
청구항 9에 있어서,
상기 나노물질이 흡착된 시료 표면의 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계에서,
시료 표면의 포토레지스트 패턴이 아세톤이나 포토레지스트 스트리퍼(PR striper)를 이용하여 제거됨으로서 포토레지스트 패턴이 있던 영역의 나노물질이 제거되어 SiO2 표면이 노출되는 것을 특징으로 하는 다중채널 FET 전자소자 제조방법
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청구항 14에 있어서,
길이가 24 μm이고 폭이 1 μm, 2 μm, 4 μm, 6 μm, 8 μm 또는 10 μm인 직사각형 내에 상기 나노물질을 선택적으로 흡착시키는 것을 특징으로 하는 다중채널 FET 전자소자 제조방법
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16
청구항 14에 있어서,
길이가 24 μm이고 폭이 1 μm, 2 μm, 4 μm, 6 μm, 8 μm 또는 10 μm인 직사각형이 두 줄로 주기적으로 배열된 패턴 내에 상기 나노물질(나노튜브/나노선)을 선택적으로 흡착시키는 것을 특징으로 하는 다중채널 FET 전자소자 제조방법
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