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강자성체가 없는 스핀 트랜지스터 및 그 구현 방법

  • 기술번호 : KST2019010820
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 스핀 트랜지스터는, 스핀 홀 효과를 가지는 재료로 구성되어, 소정 방향의 스핀을 가지는 전자를 연결부로 전달하도록 구성되어 있는 입력부, 및 입력부로부터 소정 방향의 스핀을 가지는 전자를 전달받아, 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압에 따라 소정 방향의 스핀을 가지는 전자를 회전시켜 출력부로 전달하도록 구성되어 있는 연결부를 포함한다.
Int. CL H01L 27/22 (2006.01.01) H01L 29/82 (2006.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 21/336 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020140057853 (2014.05.14)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1568373-0000 (2015.11.05)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20151112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.05.14)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 구현철 대한민국 서울 노원구
2 김형준 대한민국 서울 용산구
3 장준연 대한민국 서울 성북구
4 최원영 대한민국 서울 성북구
5 한석희 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0453461-13
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.09.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0838450-85
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.12.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0098324-36
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.06.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0396406-11
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.08.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0782434-42
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2015-0782433-07
8 등록결정서
Decision to grant
2015.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0711753-06
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
스핀 홀 효과를 가지는 재료로 구성되어, 소정 방향의 스핀을 가지는 전자를 연결부로 전달하도록 구성되어 있는 입력부;상기 입력부로부터 상기 소정 방향의 스핀을 가지는 전자를 전달받아, 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압에 따라 상기 소정 방향의 스핀을 가지는 전자를 회전시켜 출력부로 전달하도록 구성되어 있는 연결부; 및스핀 홀 효과를 갖는 재료로 구성되어, 상기 연결부로부터 전달받은 상기 전자의 스핀의 방향에 따라 전압을 출력하도록 구성되어 있는 출력부를 포함하고,상기 연결부는 장방형이고, 상기 입력부는 상기 연결부의 일단에 연결되고, 상기 연결부와 직교하는 방향으로 연장되는 장방형이며, 상기 출력부는 상기 연결부의 타단에 연결되고, 상기 연결부와 직교하는 방향으로 연장되는 장방형이며, 상기 연결부, 상기 입력부, 그리고 상기 출력부는 일체로 형성되어 H 형상을 이루는 스핀 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 스핀 홀 효과를 가지는 재료는, InAs, GaAs, InSb, InGaAs가 채널인 양자우물층, 그래핀, 나노와이어, 또는 금속/oxide 접합면인, 스핀 트랜지스터
4 4
제3항에 있어서,상기 출력부로 전달되는 스핀의 방향은, 상기 게이트 전압에 따라 결정되는, 스핀 트랜지스터
5 5
장방형의 연결부;스핀 홀 효과를 가지는 재료로 구성되어, 상기 연결부의 일단에 연결되고, 상기 연결부와 직교하는 방향으로 연장되는 장방형의 입력부; 및스핀 홀 효과를 가지는 재료로 구성되어, 상기 연결부의 타단에 연결되고, 상기 연결부와 직교하는 방향으로 연장되는 장방형의 출력부를 포함하고, 상기 연결부, 상기 입력부, 그리고 상기 출력부는 일체로 형성되어 H 형상을 이루는 스핀 트랜지스터
6 6
삭제
7 7
제5항에 있어서,상기 스핀 홀 효과를 가지는 재료는, InAs, GaAs, InSb, InGaAs가 채널인 양자우물층, 그래핀, 나노와이어, 또는 금속/oxide 접합면인, 스핀 트랜지스터
8 8
제7항에 있어서,상기 연결부, 상기 입력부 및 상기 출력부에 연결되어 있는 게이트 전극을 더 포함하는 스핀 트랜지스터
9 9
제8항에 있어서,상기 입력부는, 소정 방향의 스핀을 가지는 전자를 연결부로 전달하도록 구성되어 있는, 스핀 트랜지스터
10 10
제9항에 있어서,상기 연결부는, 상기 입력부로부터 상기 소정 방향의 스핀을 가지는 전자를 전달받아, 상기 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압에 따라 상기 소정 방향의 스핀을 가지는 전자를 회전시켜 상기 출력부로 전달하도록 구성되어 있는, 스핀 트랜지스터
11 11
제10항에 있어서,상기 출력부는, 상기 연결부로부터 전달받은 상기 전자의 스핀의 방향에 따라 전압을 출력하도록 구성되어 있는, 스핀 트랜지스터
12 12
제11항에 있어서,상기 출력부로 전달되는 스핀의 방향은, 상기 게이트 전압에 따라 결정되는, 스핀 트랜지스터
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1 US2015333123 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9337272 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술연구원 중견연구자지원 스핀 기반 상보성 논리소자