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고유전율과 저유전손실 특성을 가지는 비스무트 니오베이트 유전체 조성물

  • 기술번호 : KST2015121747
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고유전율과 저유전손실 특성을 가지는 비스무트 니오베이트 유전체 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 화학식 1(KSr2(1-x)Bi(y/3)xNb3O10+δ(KSBNO) (상기 화학식 1에서 몰분율 x는 0003c#x≤0.3, y는 4≤x≤6의 범위이다.))로 나타내어지는 조성을 갖는 고유전율과 저유전손실 특성을 가지는 비스무트 니오베이트 유전체 조성물을 제공한다.
Int. CL H01B 3/10 (2006.01) C04B 35/495 (2006.01) H01B 17/56 (2006.01) C04B 35/453 (2006.01)
CPC C04B 35/495(2013.01) C04B 35/495(2013.01) C04B 35/495(2013.01) C04B 35/495(2013.01) C04B 35/495(2013.01)
출원번호/일자 1020130059870 (2013.05.27)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1495093-0000 (2015.02.13)
공개번호/일자 10-2014-0139341 (2014.12.05) 문서열기
공고번호/일자 (20150309) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최지원 대한민국 서울 강남구
2 임해나 대한민국 서울 관악구
3 류소연 대한민국 서울 마포구
4 김진상 대한민국 서울 동작구
5 백승협 대한민국 서울 성북구
6 김성근 대한민국 서울 성북구
7 강종윤 대한민국 서울 서초구
8 윤석진 대한민국 서울 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0468320-90
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0509812-28
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0927684-16
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-1026467-16
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1026466-60
7 등록결정서
Decision to grant		 2015.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0096137-86
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번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 나타내어지는 조성을 갖고, K+ 이온층이 Sr2(1-x)Bi(y/3)xNb3O10 층 사이에 한 층씩 존재하는, 고유전율과 저유전손실 특성을 가지는 층상 구조의 비스무트 니오베이트 유전체 조성물
2 2
하기 화학식 2로 나타내어지는 조성을 갖고, 청구항 제1항에 따른 비스무트 니오베이트 유전체 조성물의 K+ 이온층을 H+ 이온층으로 치환한, 고유전율과 저유전손실 특성을 가지는 층상 구조의 비스무트 니오베이트 유전체 조성물
3 3
하기 화학식 3으로 나타내어지는 조성을 갖고, 청구항 제2항에 따른 비스무트 니오베이트 유전체 조성물의 H+ 이온층이 안정화되어 단결정 시트로 박리된 것인, 고유전율과 저유전손실 특성을 가지는 비스무트 니오베이트 유전체 조성물
4 4
제 3 항에 따른 비스무트 니오베이트 유전체 조성물을 포함하는 나노시트 박막
5 5
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 비스무트 니오베이트 유전체 조성물을 포함하는 적층 세라믹 캐패시터
6 6
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 비스무트 니오베이트 유전체 조성물을 포함하는 마이크로파 유전체
7 7
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 따른 비스무트 니오베이트 유전체 조성물을 포함하는 컴퓨터용 디램(DRAM) 메모리
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05855159 JP 일본 FAMILY
2 JP26227335 JP 일본 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2014227335 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP5855159 JP 일본 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 이화여자대학교산학협력단(참여기관:한국과학기술연구원) 부품소재산업경쟁력향상(소재부품기술개발) 유전율 400이상을 갖는 유전체 무기 나노시트의 합성기술 및 이를 이용한 MLCC 소자용 고유전체 박막 제조기술 개발