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기판;상기 기판 상에 형성된 후면 전극;상기 후면 전극 상에 형성되고, 셀레늄(Se) 및 황(S) 중 적어도 하나를 포함하는 광흡수층; 및상기 후면 전극과 상기 광흡수층 사이에 형성되고, 상기 후면 전극으로부터 상기 광흡수층으로 나트륨(Na)의 확산을 제어하기 위해 산소(O)를 포함하는 전극 표면층을 포함하는 Se 또는 S계 박막태양전지
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제1항에 있어서, 상기 후면 전극은 높은 압축잔류응력이 인가되어 치밀한 미세조직을 가지며, 상기 전극 표면층은 상기 후면 전극에 비해 기공성이 높은 미세조직을 가지며, 기공률이 0
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전극 표면층은 상기 후면 전극에 비해 나트륨(Na) 함량이 높은 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
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제1항에 있어서, 상기 광흡수층은 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2계 반도체 화합물로서 Cu(In1-x,Gax)(Se,S)2 (CIGS) 및 I2-II-IV-VI4계 반도체 화합물로서 Cu2ZnSn(Se,S)4 (CZTS) 중 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
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제1항에 있어서, 상기 전극 표면층은, 상기 광흡수층의 셀레늄(Se)과 반응하여 MxSey의 화합물을 형성하는 금속(M)을 포함하는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
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제1항 또는 제5항에 있어서, 상기 후면 전극 또는 상기 전극 표면층은,몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 코발트(Co), 티탄(Ti), 구리(Cu) 및 금(Au) 중 하나 또는 이들의 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
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제1항에 있어서, 상기 후면 전극은,상기 단일층 또는 이중층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
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제1항에 있어서, 상기 기판은,투명재질의 절연물질, 금속, 폴리머 중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
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제8항에 있어서, 상기 기판은 스테인리스 강 또는 티탄(Ti)과 같은 금속을 포함하고, 상기 기판과 상기 후면 전극 사이에 확산 방지막 및 나트륨(Na) 전구체층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
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제9항에 있어서, 상기 확산 방지막은,산화규소(SiOx), 산화알루미늄(Al2O3), 크롬(Cr), 산화아연(ZnO), 질화물(Nitirde) 박막들 중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
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제9항에 있어서, 상기 나트륨(Na) 전구체층은,나트륨(Na)이 도핑된 몰리브덴(Mo), 플루오린화나트륨(NaF), 소다석회유리(Soda-lime glass), 알칼리성 실리케이트 유리(alkali-silicate glass) 박막들 중 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
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제1항에 있어서, 상기 광흡수층 상에 형성되는 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 투명 전극층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지
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기판 상에 후면 전극을 형성하는 단계;상기 후면 전극 상에 산소(O)를 포함하는 전극 표면층을 형성하는 단계; 및상기 전극 표면층 상에 셀레늄(Se) 및 황(S) 중 적어도 하나를 포함하는 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 전극 표면층을 형성하는 단계는,상기 후면 전극에 비해 기공성이 높은 미세조직을 가지도록, 기공률이 0
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제13항에 있어서, 상기 전극 표면층을 형성하는 단계는,8~40 mTorr의 아르곤 분위기에서 1~100nm 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 전극 표면층을 형성하는 단계는,상기 후면 전극의 표면을 산화시키는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 후면 전극의 표면을 산화시키기 위하여 상기 후면 전극을 진공 중의 산소 플라즈마에 노출하는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 후면 전극의 표면을 산화시키기 위하여 상기 후면 전극을 산소 분위기에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 후면 전극을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 기판이 금속을 포함하는 경우, 상기 후면 전극을 형성하기 전에, 상기 기판 상에 확산 방지막을 형성하는 단계; 및상기 확산 방지막 상에 나트륨(Na) 전구체층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 광흡수층 상에 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 투명 전극층을 순차적으로 적층하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 Se 또는 S계 박막태양전지의 제조방법
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