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건식공정을 이용한 다공성 박막 구조의 제조방법 및 그로부터 제조된 다공성 박막 구조

  • 기술번호 : KST2015122043
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 두 가지 이상의 원소로부터 박막을 형성한 후, 건식 식각법을 이용하여 선택적으로 특정 원소를 제거함으로써 다공성(porous) 박막 구조를 제조하는 방법 및 그로부터 제조된 다공성 박막 구조에 관한 것이다. 본 발명에 의하면 다공성 박막 구조를 제조하는 전 과정이 건식공정으로만 이루어짐으로써 종래 전해석출법 또는 선택적 용해법 등 습식공정을 사용하는 경우에 비해 공정상 관리가 간단하고, 환경에 대한 부담이 적으며, 대량생산이 가능하다는 장점을 갖는다. 또한, 본 발명은 다공도의 조절이 용이할 뿐만 아니라, 일정한 다공도가 유지되도록 함으로써 센서로 이용될 때 재현성 있는 감도를 나타내는 중기공성 박막 구조를 제조할 수 있다.
Int. CL C23C 14/34 (2006.01) C23F 1/12 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01) C23C 14/58 (2006.01)
CPC C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01) C23C 14/34(2013.01)
출원번호/일자 1020110112253 (2011.10.31)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0023011 (2013.03.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020110084027   |   2011.08.23
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020140000779;
심사청구여부/일자 Y (2011.10.31)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김상훈 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 변지영 대한민국 서울특별시 용산구
3 하헌필 대한민국 서울특별시 성북구
4 임채선 대한민국 인천광역시 계양구
5 김도형 대한민국 서울특별시 성북구
6 최정범 대한민국 경기도 성남시 중원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 진수정 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
3 배성호 대한민국 경상북도 경산시 박물관로*길**, ***호(사동, 태화타워팰리스)(특허법인 티앤아이(경상북도분사무소))
4 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0854676-57
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.11.29 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.12.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0094527-35
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.04.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0220469-81
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.05.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0489091-65
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-0489090-19
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.09.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0622078-50
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0900926-60
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.10.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0900927-16
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.11.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0757346-13
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2013.11.29 수리 (Accepted) 7-1-2013-0046995-96
12 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2014.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0006850-08
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
특정 반응 기체에 대한 반응성에서 차이가 나는 두 가지 이상의 원소를 동시에 증착하여 합금박막을 형성하는 단계 및 상기 합금박막으로부터 특정 반응 기체에 대한 반응성이 큰 원소를 선택적으로 제거하여 다공성 박막을 제조하는 단계를 포함하는 다공성(porous) 박막 구조의 제조방법
2 2
제1항에서, 상기 합금박막을 형성하는 단계에서 두 가지 이상의 원소를 스퍼터 증착하여 형성하는 것을 특징으로 하는 다공성 박막 구조의 제조방법
3 3
제1항에서, 상기 합금박막은 Pt, Pd, Ru, Rh, Ag, Au, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Si, As, Ge, Os, Re, Te, Ir, Al, B, C, O, N, P, Ti, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta 및 W 원소로 이루어지는 그룹에서 선택되는 2종 이상의 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 박막 구조의 제조방법
4 4
제1항에서, 상기 다공성 박막을 제조하는 단계에서 선택적으로 제거되는 원소는 Si, As, Ge, Os, Re, Te, Ir, Al, B, C, O, N, P, Cu, Cr, Ti, V, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta 및 W 원소로 이루어지는 그룹에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 다공성 박막 구조의 제조방법
5 5
제1항에서, 상기 다공성 박막을 제조하는 단계에서는 RIE(Reactive ion etching), ICP(Inductively coupled plasma), ECR (Electron Cyclotron Resonance) 또는 helicon discharge의 방식으로 선택적으로 원소를 제거하는 것을 특징으로 하는 다공성 박막 구조의 제조방법
6 6
제1항에서, 상기 다공성 박막을 제조하는 단계에서는 불소(F)를 포함한 비플라즈마 형태의 반응 기체군, 염소(Cl)를 포함한 비플라즈마 형태의 반응 기체군, 브롬(Br)을 포함한 비플라즈마 형태의 반응 기체군 중 1종 이상의 반응기체를 이용하여 선택적으로 원소를 제거하는 것을 특징으로 하는 다공성 박막 구조의 제조방법
7 7
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 방법으로부터 제조된 다공성 박막 구조로서 0
8 8
제7항에서,상기 다공성 박막 구조는 0
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020140016404 KR 대한민국 FAMILY
2 US20130052475 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR20140016404 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.